隨著模擬集成電路朝高精度、高速度和低功耗方向發(fā)展,其集成度越來越高,器件特征尺寸越來越小,器件中寄生效應、電流密度不斷增強,導致器件對缺陷的敏感度也大大增加;同時新的應用要求模擬集成電路擴展其工作領域在高壓、高溫、強輻射、高頻和大功率等惡劣條件下,這都使得模擬集成電路面臨的可靠性問題日益嚴峻。本文選取一種12位A/D轉換器電路為研究對象,開展適應A/D類模擬集成電路特點的可靠性設計技術研究,形成一套完善、有效的設計參考方法。通過對模擬集成電路可靠性設計技術全面、定量的分析與設計研究,從而保證模擬集成電路的可靠應用,滿足高可靠性模擬集成電路的需求,彌補傳統(tǒng)可靠性設計方法不全面的不足。本文主要研究內(nèi)容為:1、模擬集成電路容差設計方法研究對于模擬集成電路來說,由于實際芯片生產(chǎn)工藝中與理想情況存在差異、實際工作環(huán)境中器件工作條件與理想情況存在差異,本文針對在模擬集成電路設計過程中的差異,利用計算機協(xié)助進行參數(shù)選擇,保障器件的性能滿足工作需求。2、抗輻射加固設計研究輻射導致整機中的模擬集成電路參數(shù)退化甚至完全失效,從而整機無法正常工作。因此,本文針對模擬集成電路抗輻射加固設計方法進行研究,針對模... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

2位A/D轉換器整體電路框圖

比較器電路框圖

電荷重分布D/A核框圖

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]CMOS射頻集成電路片上ESD防護研究[D]. 杜曉陽.浙江大學 2009

碩士論文
[1]0.18μm CMOS軍品級標準單元庫的設計[D]. 彭代珉.國防科學技術大學 2007



本文編號：3558629