本文詳細介紹芯片制造中銅互連技術(shù),綜述酸性硫酸銅電鍍工藝要點及常用添加劑作用機理,并概述國內(nèi)外新型添加劑研究進展.在此基礎(chǔ)上,展望新型銅互連工藝替代酸性硫酸電鍍銅工藝的可能性. 

【文章來源】：電化學(xué). 2020,26(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：10 頁

【部分圖文】：

0 含有Cl-離子和SPS的酸性鍍銅液的SERS光譜[28]

1 MPS加速銅沉積作用機制：內(nèi)球型的電子傳遞[29]

2 JGB在陰極表面還原[31]

【參考文獻】：
期刊論文
[1]55nm雙大馬士革結(jié)構(gòu)中電鍍銅添加劑的研究[J]. 曾紹海,林宏,陳張發(fā),李銘.  復(fù)旦學(xué)報(自然科學(xué)版). 2018(04)
[2]利用電鍍銅填充微米盲孔與通孔之應(yīng)用[J]. 竇維平.  復(fù)旦學(xué)報(自然科學(xué)版). 2012(02)
[3]銅電化學(xué)沉積在微孔金屬化中的應(yīng)用[J]. 楊防祖,吳偉剛,田中群,周紹民.  物理化學(xué)學(xué)報. 2011(09)
[4]檸檬酸鹽體系銅電沉積及其在微機電系統(tǒng)中的應(yīng)用[J]. 吳偉剛,楊防祖,駱明輝,田中群,周紹民.  物理化學(xué)學(xué)報. 2010(10)



本文編號：3555510