LiLnP 4 O 12 基WLED材料的制備及性能研究
發(fā)布時間:2021-12-28 06:07
近年來,隨著白光LED在照明領域的快速發(fā)展,紫外光或近紫外光LED芯片激發(fā)多色熒光粉成為一大研究熱點。其中,以LiLn(PO3)4基質的熒光粉因具有較高的猝滅濃度、較高的發(fā)光效率及較低的生產成本受到廣泛關注。本文制備了以LiLn(PO3)4為基質Dy3+/Eu3+、Tb3+/Eu3+稀土離子單雙摻雜的白光熒光粉,分別獲得了白光性能較優(yōu)秀的熒光粉,并在此基礎上制備了熒光玻璃陶瓷(PiG)及以LiLn(PO3)4為基質Dy3+/Eu3+稀土摻雜的微晶陶瓷。全文的研究內容及研究結果如下:1、基于以LiLn(PO3)4基質的熒光粉具有較高的猝滅濃度及優(yōu)異的光學性能,制備了Dy3+/Eu3+、Tb3+/Eu3+
【文章來源】:南京郵電大學江蘇省
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
無機發(fā)光材料的研究體系目前重點研究的固體發(fā)光材料是由基質和激活劑組成的,此外還可以加入助溶劑、共激
圖 1.2 化學元素周期表稀土離子發(fā)光可分為兩類,一類是 fn組態(tài)內的能級間的躍遷即 f-f 躍遷,另 f-d 躍遷。對于電偶極作用引起的躍遷,f-f 躍遷是禁戒的,f-d 躍遷是被允體中之所以能夠看到可見區(qū)域 4fn組態(tài)內 f-f 躍遷是由于晶場奇次項作用產離子 f-f 躍遷發(fā)光特征歸納如下:)發(fā)射光譜呈線性,受溫度影響較;)由于 f 電子處于內殼層,被 5s25p6 屏蔽,故基質對發(fā)射波長影響不大;)猝滅濃度;)溫度猝滅小,在 400-500℃仍然發(fā)光;)譜線豐富,從紫外到紅外。光二極管(W-LED)簡介
其封裝結構如圖1.3 所示。如圖其封裝方式就是把熒光粉與環(huán)氧樹脂或有機硅等粘結均勻混合后涂覆在 LED 芯片表面,這種封裝方式主要存在以下三點問題:一、環(huán)氧樹脂或有機硅等粘結劑熱導率相對較低,這就造成 LED 產生的熱量在粘結劑中很難散發(fā)掉,從而使熒光粉量子效率降低,造成發(fā)光效率降低;二、粘結劑長時間在高溫環(huán)境中容易老化發(fā)黃,嚴重影響 LED 發(fā)光均勻性,從而降低了白光 LED 使用壽命;三、熒光粉與粘結劑混合中存在一定的不均勻,從而導致不同部位發(fā)光狀態(tài)不同,最終影響照明質量。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]熒光粉MPO4:Eu3+,Bi3+/Tb3+(M=La,Gd,Y)的結構及發(fā)光性能研究[J]. 金葉,王慶平. 發(fā)光學報. 2014(01)
[2]Ce3+,Tb3+,Eu3+共摻雜Sr2MgSi2O7體系的白色發(fā)光和能量傳遞機理[J]. 吳靜,張吉林,周文理,榮春英,余麗萍,李承志,廉世勛. 高等學;瘜W學報. 2013(02)
[3]白光LED熒光粉研究及應用新進展[J]. 劉榮輝,何華強,黃小衛(wèi),胡運生,劉元紅,莊衛(wèi)東. 半導體技術. 2012(03)
[4]釩硼酸鹽紅色熒光粉制備工藝研究[J]. 董麗敏,莊艷麗,車厚釗,張顯友. 化工新型材料. 2011(11)
[5]白光LED用高效熒光粉的制備研究進展[J]. 張星,胡鵬,曹月斌,張海寶,李晉林,徐瑞芬,袁方利. 過程工程學報. 2010(06)
[6]白色發(fā)光二極管用熒光粉研究進展(Ⅰ)——藍光或近紫外光發(fā)射半導體芯片激發(fā)的熒光粉[J]. 徐修冬,許貴真,吳占超,汪正良,龔孟濂. 中山大學學報(自然科學版). 2007(05)
[7]白光LED用熒光粉的研究進展[J]. 張凱,劉河洲,胡文彬. 材料導報. 2005(09)
[8]發(fā)光二極管材料與器件的歷史、現(xiàn)狀和展望[J]. 方志烈. 物理. 2003(05)
[9]光源的顯色性與顯色指數(shù)[J]. 劉義成. 電子器件. 2000(01)
碩士論文
[1]稀土離子摻雜鈦酸鹽熒光粉的合成及發(fā)光性質[D]. 仲華.大連海事大學 2012
本文編號:3553552
【文章來源】:南京郵電大學江蘇省
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
無機發(fā)光材料的研究體系目前重點研究的固體發(fā)光材料是由基質和激活劑組成的,此外還可以加入助溶劑、共激
圖 1.2 化學元素周期表稀土離子發(fā)光可分為兩類,一類是 fn組態(tài)內的能級間的躍遷即 f-f 躍遷,另 f-d 躍遷。對于電偶極作用引起的躍遷,f-f 躍遷是禁戒的,f-d 躍遷是被允體中之所以能夠看到可見區(qū)域 4fn組態(tài)內 f-f 躍遷是由于晶場奇次項作用產離子 f-f 躍遷發(fā)光特征歸納如下:)發(fā)射光譜呈線性,受溫度影響較;)由于 f 電子處于內殼層,被 5s25p6 屏蔽,故基質對發(fā)射波長影響不大;)猝滅濃度;)溫度猝滅小,在 400-500℃仍然發(fā)光;)譜線豐富,從紫外到紅外。光二極管(W-LED)簡介
其封裝結構如圖1.3 所示。如圖其封裝方式就是把熒光粉與環(huán)氧樹脂或有機硅等粘結均勻混合后涂覆在 LED 芯片表面,這種封裝方式主要存在以下三點問題:一、環(huán)氧樹脂或有機硅等粘結劑熱導率相對較低,這就造成 LED 產生的熱量在粘結劑中很難散發(fā)掉,從而使熒光粉量子效率降低,造成發(fā)光效率降低;二、粘結劑長時間在高溫環(huán)境中容易老化發(fā)黃,嚴重影響 LED 發(fā)光均勻性,從而降低了白光 LED 使用壽命;三、熒光粉與粘結劑混合中存在一定的不均勻,從而導致不同部位發(fā)光狀態(tài)不同,最終影響照明質量。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]熒光粉MPO4:Eu3+,Bi3+/Tb3+(M=La,Gd,Y)的結構及發(fā)光性能研究[J]. 金葉,王慶平. 發(fā)光學報. 2014(01)
[2]Ce3+,Tb3+,Eu3+共摻雜Sr2MgSi2O7體系的白色發(fā)光和能量傳遞機理[J]. 吳靜,張吉林,周文理,榮春英,余麗萍,李承志,廉世勛. 高等學;瘜W學報. 2013(02)
[3]白光LED熒光粉研究及應用新進展[J]. 劉榮輝,何華強,黃小衛(wèi),胡運生,劉元紅,莊衛(wèi)東. 半導體技術. 2012(03)
[4]釩硼酸鹽紅色熒光粉制備工藝研究[J]. 董麗敏,莊艷麗,車厚釗,張顯友. 化工新型材料. 2011(11)
[5]白光LED用高效熒光粉的制備研究進展[J]. 張星,胡鵬,曹月斌,張海寶,李晉林,徐瑞芬,袁方利. 過程工程學報. 2010(06)
[6]白色發(fā)光二極管用熒光粉研究進展(Ⅰ)——藍光或近紫外光發(fā)射半導體芯片激發(fā)的熒光粉[J]. 徐修冬,許貴真,吳占超,汪正良,龔孟濂. 中山大學學報(自然科學版). 2007(05)
[7]白光LED用熒光粉的研究進展[J]. 張凱,劉河洲,胡文彬. 材料導報. 2005(09)
[8]發(fā)光二極管材料與器件的歷史、現(xiàn)狀和展望[J]. 方志烈. 物理. 2003(05)
[9]光源的顯色性與顯色指數(shù)[J]. 劉義成. 電子器件. 2000(01)
碩士論文
[1]稀土離子摻雜鈦酸鹽熒光粉的合成及發(fā)光性質[D]. 仲華.大連海事大學 2012
本文編號:3553552
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3553552.html