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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器低溫下光學(xué)特性研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-25 10:35
  量子計(jì)算機(jī)憑借量子不確定性使計(jì)算機(jī)的信息處理速度得到極大的提升,可以快速有效的分解信息和處理信息,而量子計(jì)算機(jī)需要在低溫下工作,需要實(shí)現(xiàn)低溫和室溫的數(shù)據(jù)傳輸并且能夠解決器件工作時(shí)帶來的熱效應(yīng)的影響。為了解決這一問題可以利用體積小、功耗低的半導(dǎo)體激光器。因此研制出能夠在低溫下穩(wěn)定工作、低功耗和具有很高調(diào)制速度的半導(dǎo)體激光器對實(shí)現(xiàn)室溫和低溫?cái)?shù)據(jù)高速傳輸十分重要,可以成為量子計(jì)算機(jī)發(fā)展的突破口,也是半導(dǎo)體激光器發(fā)展的一個(gè)重要方向。本論文針對In GaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在變溫條件下,對激光器的一些性能進(jìn)行研究,包括了在15 K到300 K的實(shí)驗(yàn)條件下,對激光器的輸出特性、光譜調(diào)諧特性以及在不同溫度下激光器的折射率和群折射率的計(jì)算,論文主要內(nèi)容如下:1首先論文對半導(dǎo)體激光器的原理和應(yīng)用進(jìn)行了介紹,同時(shí)也對實(shí)驗(yàn)中所用的各種實(shí)驗(yàn)器件進(jìn)行了敘述。2介紹了In GaAs/GaAs/In GaP 980 nm量子阱激光器材料的生長,包括分子束外延(MBE)技術(shù),同時(shí)對In GaAs/GaAs/InGaP 980 nm量子阱激光器材料的結(jié)構(gòu)和器件制造的工藝流程進(jìn)行了介紹。3研究了激光器的... 

【文章來源】:曲阜師范大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】:50 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器低溫下光學(xué)特性研究


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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號:3552296

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