量子計算機憑借量子不確定性使計算機的信息處理速度得到極大的提升,可以快速有效的分解信息和處理信息,而量子計算機需要在低溫下工作,需要實現低溫和室溫的數據傳輸并且能夠解決器件工作時帶來的熱效應的影響。為了解決這一問題可以利用體積小、功耗低的半導體激光器。因此研制出能夠在低溫下穩(wěn)定工作、低功耗和具有很高調制速度的半導體激光器對實現室溫和低溫數據高速傳輸十分重要,可以成為量子計算機發(fā)展的突破口,也是半導體激光器發(fā)展的一個重要方向。本論文針對In GaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在變溫條件下,對激光器的一些性能進行研究,包括了在15 K到300 K的實驗條件下,對激光器的輸出特性、光譜調諧特性以及在不同溫度下激光器的折射率和群折射率的計算,論文主要內容如下:1首先論文對半導體激光器的原理和應用進行了介紹,同時也對實驗中所用的各種實驗器件進行了敘述。2介紹了In GaAs/GaAs/In GaP 980 nm量子阱激光器材料的生長,包括分子束外延（MBE）技術,同時對In GaAs/GaAs/InGaP 980 nm量子阱激光器材料的結構和器件制造的工藝流程進行了介紹。3研究了激光器的... 

【文章來源】：曲阜師范大學山東省

【文章頁數】：50 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體激光器的簡單結構

Nicolet公司的iS50R傅里葉紅外光譜儀

ITC4020帶溫控電流源

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3552296