宇航用功率VDMOS器件是航天器電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換的核心元器件之一。針對航天器對宇航用功率VDMOS器件的發(fā)展需求,在總結(jié)國內(nèi)外宇航用功率VDMOS器件產(chǎn)品及技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,對比分析了宇航用功率VDMOS器件在技術(shù)水平、系列化程度、長期可靠性和系統(tǒng)應(yīng)用等方面存在的主要差距。對我國宇航用功率VDMOS器件的主要任務(wù)進(jìn)行了展望。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

幾種粒子LET值與入射深度的關(guān)系曲線[16]

當(dāng)粒子入射到VDMOS芯片表面的能量較低時(shí),粒子LET值分布在圖1所示的布拉格峰的右邊。隨著粒子入射深度增加,LET值急劇減小。這類粒子的能量較低,LET值與入射深度的關(guān)系遵從圖1所示布拉格峰的右邊曲線。這一認(rèn)識對評價(jià)宇航用VDMOS器件的抗單粒子輻射能力至關(guān)重要。不同粒子沿入射路徑產(chǎn)生附加電子-空穴對的密度分布如圖2所示�？芍�,要使得粒子對器件的輻射損傷最大,外延層中產(chǎn)生附加電子-空穴對的數(shù)目需要最多。IR公司R5、R6產(chǎn)品的單粒子特性曲線分別如圖3和圖4所示。圖3 IR公司R5產(chǎn)品的單粒子特性曲線[18]

IR公司R5產(chǎn)品的單粒子特性曲線[18]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Simulation study on single event burnout in linear doping buffer layer engineered power VDMOSFET[J]. 賈云鵬,蘇洪源,金銳,胡冬青,吳郁.  Journal of Semiconductors. 2016(02)
[2]基于锎源的N溝道VDMOS器件單粒子效應(yīng)研究[J]. 陳佳,喬哲,唐昭煥,王斌,譚開洲.  微電子學(xué). 2014(01)
[3]星用功率VDMOS器件SEGR效應(yīng)研究[J]. 王立新,高博,劉剛,韓鄭生,張彥飛,宋李梅,吳海舟.  核技術(shù). 2012(06)
[4]A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS[J]. 唐昭煥,胡剛毅,陳光炳,譚開洲,劉勇,羅俊,徐學(xué)良.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2012(04)



本文編號：3551765