發(fā)布時(shí)間：2021-12-23 23:35

　　近年來(lái),低維材料技術(shù)日益成熟,二維半導(dǎo)體材料是當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)。一種名為MXene的二維材料已被廣泛應(yīng)用于各種鋰離子電池、超級(jí)電容器、催化劑等領(lǐng)域,然而,盡管MXene與金屬電極的接觸在電子和光電器件中具有重要意義,但其研究卻十分有限。因此金屬基底與MXene接觸界面的電學(xué)特性和電子結(jié)構(gòu)是一個(gè)關(guān)鍵的研究方面。本文借助第一性原理計(jì)算方法,密度泛函理論（DFT）,對(duì)MXene-金屬接觸進(jìn)行了系統(tǒng)性的研究。主要工作和結(jié)論如下:首先,建立了不同的MXene-金屬接觸模型,并利用VASP軟件包對(duì)其進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化。根據(jù)不同的MXene和金屬基底模型的匹配度,我們選取合適且平整的金屬切面,有針對(duì)性地分別建立了單胞和超胞接觸模型,使所有接觸模型失配率都在5%以下。并且對(duì)其穩(wěn)定性進(jìn)行了研究,確保其接觸結(jié)構(gòu)的合理性。其次,對(duì)MXene-金屬接觸的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計(jì)算分析。通過(guò)計(jì)算結(jié)果,我們發(fā)現(xiàn)盡管大多數(shù)觸點(diǎn)都呈現(xiàn)出間接帶隙的特性,這種特性并不適用于某些特殊電子器件,但對(duì)于Ag-Sc₂CO₂和Au-Sc₂CO₂來(lái)說(shuō),他們... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

六種半導(dǎo)體MXene單胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化結(jié)構(gòu)模型的俯視圖（上）和側(cè)視圖（下），菱

單胞模型俯視圖與側(cè)視圖模型，六種不同結(jié)構(gòu)如上所示，分別命名為(a)

√3√3R30°擴(kuò)展后超胞的(a)側(cè)視圖；(b)俯視圖


本文編號(hào)：3549399