隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展,使得通信系統(tǒng)對寬頻帶、大功率等指標(biāo)要求愈來愈高。因而推動了微波單片集成電路（MMIC:Microwave Monolithic Integrated Circuit）的發(fā)展。但是MMIC受到半導(dǎo)體工藝等方面的限制,往往單個(gè)功放單元難以滿足系統(tǒng)高功率輸出的要求,所以微波固態(tài)功率合成技術(shù)是一個(gè)重要的研究方向。在整個(gè)功率合成系統(tǒng)中,功率分配/合成器具有比較重要的地位,其低的損耗、良好的幅相特性能夠有效地提高整個(gè)功率合成系統(tǒng)的合成效率。本文以微波寬帶固態(tài)功率合成技術(shù)為研究方向,設(shè)計(jì)了基于擴(kuò)展同軸波導(dǎo)以及懸置微帶線的多路寬帶功率分配/合成器。在本文第一章概述了微波固態(tài)功率合成技術(shù)的研究背景以及國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀。第二章介紹了功率合成的基本理論以及分析了影響合成效率高低的關(guān)鍵因素。第三章介紹了擴(kuò)招同軸波導(dǎo)的功率分配/合成器的設(shè)計(jì)方法,這種功分/合成器可以直接進(jìn)行N路分配/合成,能夠有效地縮減合成放大器的尺寸,基于此設(shè)計(jì)了2GHz-8GHz的6路、9路、12路、15路功分器,從仿真結(jié)果可以看出他們的回波損耗都大于15dB,插入損耗會隨著路數(shù)的增多而增大;另外設(shè)計(jì)了6GHz-18... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

功率放大器件的輸出功率與頻率之間的關(guān)系

(b)圖 1-2 12 路大功率合成器[12]。(a)三維模型圖；(b)S 參數(shù)曲線 年，Hadrien Theveneau 等學(xué)者設(shè)計(jì)一款工作頻段為 1-6GHz 的 8 器，如圖 1-3 所示[13]。在整個(gè)工作頻段內(nèi)，插入損耗大部分小于 1的隔離度優(yōu)于 10dB。這個(gè)功率合成器具有一個(gè)較寬的工作帶寬、小的輸入阻抗。圖 1-3 8 路功率合成器[13]

第一章 緒論(b) 12 路大功率合成器[12]。(a)三維模型圖；(b)S 參數(shù)曲ien Theveneau 等學(xué)者設(shè)計(jì)一款工作頻段為 1-6G 1-3 所示[13]。在整個(gè)工作頻段內(nèi)，插入損耗大部優(yōu)于 10dB。這個(gè)功率合成器具有一個(gè)較寬的工阻抗。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于共面臂波導(dǎo)魔T的Ka頻段功率合成放大器[J]. 褚慶昕,何殷健.  微波學(xué)報(bào). 2018(06)
[2]微波、毫米波GaN HEMT與MMIC的新進(jìn)展（續(xù)）[J]. 趙正平.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(02)
[3]Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC[J]. 杜鵬搏,徐偉,王生國,高學(xué)邦,蔡樹軍.  半導(dǎo)體技術(shù). 2013(05)
[4]毫米波空間功率合成技術(shù)及其發(fā)展[J]. 葛俊祥.  電子學(xué)報(bào). 1995(10)
[5]Kα頻段平面集成窄帶混頻器[J]. 謝晉雄,薛良金,林為干.  紅外與毫米波學(xué)報(bào). 1991(05)

博士論文
[1]GaN高電子遷移率晶體管特性及其功率放大器研究[D]. 冷永清.湖南大學(xué) 2013
[2]基于波導(dǎo)的微波毫米波空間功率合成技術(shù)研究[D]. 宋開軍.電子科技大學(xué) 2007



本文編號：3548432