深硅刻蝕技術(shù)在工業(yè)界的很多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,包括集成電路的制造、微機(jī)電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、微納光子學(xué)的研究以及三維集成電路堆疊等,其經(jīng)歷了由濕法刻蝕到干法刻蝕的歷史演變,隨著應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬與推進(jìn),工藝技術(shù)也得到了極大的發(fā)展。而在硅基刻蝕工藝中,高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)的制備成為技術(shù)難點(diǎn),該結(jié)構(gòu)又是很多應(yīng)用領(lǐng)域所避免不了的,因此高深寬比硅刻蝕的工藝研究有著極大的研究實(shí)踐價(jià)值。目前在十微米至百微米結(jié)構(gòu)尺寸的高深寬比硅刻蝕已取得不錯(cuò)的效果,并基本滿足其適用領(lǐng)域,但隨著人們對(duì)微納世界的探索,微納結(jié)構(gòu)的高深寬比硅刻蝕仍需不斷完善。在深硅刻蝕工藝中,常見(jiàn)的問(wèn)題有刻蝕形貌側(cè)壁不平整、不筆直,凹槽底部表面不水平等。進(jìn)入微納尺寸,這些條件變得越發(fā)苛刻。本論文本著實(shí)事求是的原則,利用控制變量法對(duì)影響刻蝕形貌的四個(gè)變量進(jìn)行了分析,通過(guò)對(duì)比研究實(shí)驗(yàn)結(jié)果,發(fā)現(xiàn)了各變量對(duì)刻蝕形貌的影響效果與影響程度,相信有了這些實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)我們將對(duì)微納結(jié)構(gòu)尺寸的深硅刻蝕工藝有一個(gè)更加深刻的認(rèn)識(shí),同時(shí)也大大方便了尋找優(yōu)化參數(shù)的過(guò)程。文章主要論述了:（1）高深寬比刻蝕工藝的發(fā)展歷史與現(xiàn)狀。介紹了濕法刻蝕、等離子體刻蝕、Bosch刻蝕的演化過(guò)程,以及高深... 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

Plasmalabsystem100ICP180示意圖

度與能量分布函數(shù)示意圖以及刻蝕形貌影響效果圖。IEDF 中的箭動(dòng)能，IADF 中的箭頭表示入射離子的運(yùn)動(dòng)方向。數(shù)調(diào)節(jié)經(jīng)描述了刻蝕的物理機(jī)理，但在實(shí)際操作中本課題更關(guān)所產(chǎn)生的影響，以方便本課題得到所需要的刻蝕形貌。這氣體和基底有很高的敏感性，稍微的改動(dòng)都將對(duì)形貌產(chǎn)生有一些工藝經(jīng)驗(yàn)可以進(jìn)行歸納總結(jié)。功率通常會(huì)提高偏壓Vb，而靜電場(chǎng)的增強(qiáng)并不會(huì)影響法拉多的能量進(jìn)入暗區(qū)，離子對(duì)基底和掩膜的物理刻蝕深度均速率大于對(duì)基底的刻蝕速率，則意味著刻蝕的基底凹槽深底的刻蝕速率并不隨前向功率的增加而增加，則說(shuō)明化學(xué)，那么掩膜的刻蝕速率將隨前向功率的增加而增加，基底導(dǎo)致掩膜的選擇性下降。電場(chǎng)的增強(qiáng)同樣會(huì)使離子在垂直

更重要的參數(shù)是氣體比例（針對(duì)多種氣體的情例可以使特定氣體在刻蝕過(guò)程中發(fā)揮主要作用。通常來(lái)講，增響刻蝕離子生成速率，但所造成的影響沒(méi)有改變 ICP 功率那Paschen’sLaw, 表征均勻電場(chǎng)氣體間隙擊穿電壓、間隙距離和89 年由 F.帕邢根據(jù)平行平板電極的間隙擊穿試驗(yàn)結(jié)果得出），氣體種類(lèi)進(jìn)行設(shè)置，實(shí)際操作中可以在此基礎(chǔ)上進(jìn)行小范圍離子體中離子的德拜半徑（Debye length，半導(dǎo)體德拜長(zhǎng)度，物理。德拜長(zhǎng)度，也叫德拜半徑，是描述等離子體中電荷的作等離子體的重要參量，常用D表示。德拜長(zhǎng)度首先是由荷蘭出的，反映了等離子體中一個(gè)重要的特性——電荷屏蔽效應(yīng)區(qū)空間縮小，反過(guò)來(lái)增加了電場(chǎng)強(qiáng)度。另一方面，暗區(qū)發(fā)生離導(dǎo)致 IADF 變窄。綜上，降低壓強(qiáng)會(huì)減少刻蝕基底側(cè)壁鉆蝕圖 2-3 所示。


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