真空封裝技術(shù)是延伸波長InGaAs探測(cè)器的主要封裝方法之一,熱電制冷器可為延伸波長InGaAs探測(cè)器焦平面提供低溫環(huán)境。測(cè)試了基于真空封裝技術(shù)無熱負(fù)載條件下二級(jí)熱電制冷器的性能,研究了二級(jí)熱電制冷器在不同輸入電流(功率)時(shí)冷、熱端溫差與熱負(fù)載的關(guān)系,測(cè)試了二級(jí)熱電制冷器在低溫工況下的制冷性能以及二級(jí)熱電制冷器處于不工作狀態(tài)時(shí)的表觀熱導(dǎo)率。結(jié)果表明,熱沉溫度為274 K時(shí),冷端可以達(dá)到221.4 K并實(shí)現(xiàn)77.5 K的冷、熱端溫差;當(dāng)輸入電流一定時(shí),隨著熱負(fù)載的增加,冷、熱端溫差呈線性趨勢(shì)減小,且斜率隨著輸入電流增大而增大;二級(jí)熱電制冷器冷、熱端溫差在較高溫度時(shí)更大,即制冷性能更好;當(dāng)溫度分別為233.1 K和249.8 K時(shí),表觀熱導(dǎo)率分別為11.30 W/(m·K)和8.29 W/(m·K)。

【文章來源】： 激光與紅外. 2020,50(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實(shí)驗(yàn)裝置與原理
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
    3.1 無熱負(fù)載時(shí)制冷性能研究
    3.2 有熱負(fù)載時(shí)制冷性能研究
    3.3 低溫工況下制冷性能研究
    3.4 不工作狀態(tài)表觀熱導(dǎo)率研究
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3547423