利用試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法（design of experiment, DOE）,以不同配方的劃片刀劃切砷化鎵晶圓,并檢測(cè)其正、背、側(cè)面的崩裂尺寸,找出劃片刀配方對(duì)砷化鎵晶圓切割崩裂尺寸的影響規(guī)律。研究表明:劃片刀的磨料粒度與砷化鎵晶圓切割質(zhì)量密切相關(guān),即磨料粒度越細(xì),正、背、側(cè)面崩裂尺寸越小;而磨料濃度和結(jié)合劑強(qiáng)度與砷化鎵晶圓正、背、側(cè)面的切割質(zhì)量相關(guān)性并不顯著。可通過縮小磨粒尺寸的方式提高劃切質(zhì)量,并視情況調(diào)整磨料濃度和結(jié)合劑強(qiáng)度。 

【文章來源】：金剛石與磨料磨具工程. 2020,40(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

劃切原理

貼膜

試驗(yàn)設(shè)定每種配方的劃片刀劃切1片砷化鎵晶圓。劃切完畢后在晶圓圓周方向上等分8個(gè)區(qū)域,每個(gè)區(qū)域隨機(jī)拾取3顆芯片(如圖3)[8]。使用帶有拍照和尺寸測(cè)量功能的工業(yè)顯微鏡,將抽樣的芯片放到顯微鏡載物臺(tái)上,物鏡調(diào)至200倍放大倍率,進(jìn)行焦點(diǎn)調(diào)節(jié)至可以清楚成像為止。對(duì)被切產(chǎn)品的正面切割狀態(tài)、背面切割狀態(tài)和側(cè)面切割狀態(tài)進(jìn)行拍照。使用顯微鏡測(cè)量軟件對(duì)上述照片中正、背、側(cè)面崩裂尺寸(如圖4所示)進(jìn)行測(cè)量,并記錄。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]劃片機(jī)劃切工藝研究[J]. 閆偉文,高清勇.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2014(11)
[2]砂輪劃片機(jī)在砷化鎵材料切割中的應(yīng)用研究[J]. 郎小虎,張瑋琪,孫彬,閆啟亮.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2014(04)
[3]晶圓切割崩裂的成因和預(yù)防措施探討[J]. 劉定斌,胡超先,張燕.  中國(guó)集成電路. 2013(06)
[4]硅芯片封裝中改善芯片崩裂的劃片工藝[J]. 龐零.  蘇州市職業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2011(01)
[5]超薄圓片劃片工藝探討[J]. 姜健,張政林.  中國(guó)集成電路. 2009(08)
[6]晶圓切割中背面崩裂問題的分析[J]. 龔平.  電子與封裝. 2008(07)



本文編號(hào)：3543058