發(fā)布時(shí)間：2021-12-12 01:03

　　相比于傳統(tǒng)的Si襯底,SiGe材料利用能帶工程裁減半導(dǎo)體能帶,使Si無需借助縮小器件尺寸而提高器件性能。SiGe材料通過在Si中引入Ge元素,獲取非常高的遷移率的提升。同時(shí)可以通過改變Ge元素的比例來調(diào)整SiGe薄膜的應(yīng)力,進(jìn)而調(diào)整SiGe材料的遷移率和禁帶寬度,且與現(xiàn)有的硅工藝兼容,從而受到業(yè)界的青睞。目前Si基器件的溝道遷移率衰退嚴(yán)重,引用高遷移率溝道材料勢在必行,但是將SiGe高遷移率溝道材料引入到Si基器件中后,界面質(zhì)量急劇下降,解決界面質(zhì)量的問題變成了首要問題。在傳統(tǒng)的界面鈍化方法中,很難找到對SiGe界面有效的鈍化方法。在嘗試的新型鈍化方法中,NH3等離子體更具優(yōu)勢。NH3等離子體處理因其在Ge基器件上的優(yōu)異表現(xiàn)從而受到人們關(guān)注。本文通過設(shè)計(jì)不同時(shí)間、溫度和功率的實(shí)驗(yàn)方案研究NH3等離子體對高K/SiGe結(jié)構(gòu)MOS的界面組分和電學(xué)參數(shù)的影響。鑒于等離子體對界面有一定的損傷,因此設(shè)計(jì)O3退火實(shí)驗(yàn)方案與之對比。研究三組不同鈍化條件對界面鈍化和電學(xué)參數(shù)的影響。O3實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)了三組實(shí)驗(yàn)方案,采用不同的氧化順序,其中高K介質(zhì)層的淀積分為兩次,分別改變第一層和第二層的Al2O3厚度在30... 

【文章來源】：北方工業(yè)大學(xué)北京市

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１柵介質(zhì)和Ｓｉ襯底之間能帶的勢壘圖??

（ｉ）聚合物研宂等??實(shí)際上，這些突破中的許多是由于特定表面性質(zhì)的調(diào)整或以前在自然界的新材料的配方而產(chǎn)生的。像鋁箔一樣，這些都是人造的，例如從塑料超導(dǎo)氧化物的合成等等。??固體或液體的表面可以用幾種不同的方式定義。更明顯的定義是表面代外部或最頂部邊界。然而，當(dāng)降到原子水平時(shí)，由于束縛電子的軌道是的，因此術(shù)語邊界失去了它的定義。另一種定義是表面是決定固體或液其周圍環(huán)境相互作用的區(qū)域。應(yīng)用此定義，表面可以跨越一個(gè)原１－０．３ｎｍ）到數(shù)百個(gè)原子層（ｌＯＯｎｍ或更多），這取決于材料，其環(huán)境和性質(zhì)。??為了對這些尺寸進(jìn)行透視，可以考慮一縷人發(fā)。其直徑在５（Ｈｉｍ和１００５－０．１ｍｍ）之間。構(gòu)成外表面的原子直徑為０．２ｎｍ。即使在最專業(yè)的光下也無法觀察到這一點(diǎn)，因?yàn)榭臻g分辨率的衍射極限值略小于ｌ＾ｍ。所倍數(shù)只能使用非常有限的技術(shù)達(dá)到，最常見的是透射電子顯微鏡（ＴＥＭ）念如圖３－１所示。????Ｓｕｒｆａｃｅ??

最高的峰值實(shí)際上來自ＫＬ２Ｌ３和ＫＬ３Ｌ２過渡，統(tǒng)稱為ＫＬ２，３Ｌ２，３排放。剩余的??峰值來自ＫＬ１Ｌ１，?ＫＬ１Ｌ２和ＫＬ１Ｌ３排放，后兩者統(tǒng)稱為ＫＬ１Ｌ２，３。??在圖３－２ｃ中示出了?ＸＰＳ儀器的原理示意圖，以及三種最常用的中繼數(shù)據(jù)的??方式，即：??（ａ）

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SiGe技術(shù)、器件及其應(yīng)用[J]. 翁壽松.  電子與封裝. 2004(06)
[2]SiGe溝道SOI CMOS的設(shè)計(jì)及模擬[J]. 李樹榮,王純,王靜,郭維廉,鄭云光,鄭元芬,陳培毅,黎晨.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2003(02)
[3]調(diào)制摻雜層在SiGe PMOSFET中的應(yīng)用[J]. 史進(jìn),黎晨,陳培毅,羅廣禮.  微電子學(xué). 2002(04)
[4]SiGe新技術(shù)及其應(yīng)用前景[J]. 陳培毅,王吉林.  電子產(chǎn)品世界. 2002(13)

博士論文
[1]高k柵介質(zhì)MOS器件的特性模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 馬飛.西安電子科技大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3535717