相比于傳統(tǒng)的Si襯底,SiGe材料利用能帶工程裁減半導體能帶,使Si無需借助縮小器件尺寸而提高器件性能。SiGe材料通過在Si中引入Ge元素,獲取非常高的遷移率的提升。同時可以通過改變Ge元素的比例來調整SiGe薄膜的應力,進而調整SiGe材料的遷移率和禁帶寬度,且與現(xiàn)有的硅工藝兼容,從而受到業(yè)界的青睞。目前Si基器件的溝道遷移率衰退嚴重,引用高遷移率溝道材料勢在必行,但是將SiGe高遷移率溝道材料引入到Si基器件中后,界面質量急劇下降,解決界面質量的問題變成了首要問題。在傳統(tǒng)的界面鈍化方法中,很難找到對SiGe界面有效的鈍化方法。在嘗試的新型鈍化方法中,NH3等離子體更具優(yōu)勢。NH3等離子體處理因其在Ge基器件上的優(yōu)異表現(xiàn)從而受到人們關注。本文通過設計不同時間、溫度和功率的實驗方案研究NH3等離子體對高K/SiGe結構MOS的界面組分和電學參數(shù)的影響。鑒于等離子體對界面有一定的損傷,因此設計O3退火實驗方案與之對比。研究三組不同鈍化條件對界面鈍化和電學參數(shù)的影響。O3實驗設計了三組實驗方案,采用不同的氧化順序,其中高K介質層的淀積分為兩次,分別改變第一層和第二層的Al2O3厚度在30... 

【文章來源】：北方工業(yè)大學北京市

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１柵介質和Ｓｉ襯底之間能帶的勢壘圖??

（ｉ）聚合物研宂等??實際上，這些突破中的許多是由于特定表面性質的調整或以前在自然界的新材料的配方而產生的。像鋁箔一樣，這些都是人造的，例如從塑料超導氧化物的合成等等。??固體或液體的表面可以用幾種不同的方式定義。更明顯的定義是表面代外部或最頂部邊界。然而，當降到原子水平時，由于束縛電子的軌道是的，因此術語邊界失去了它的定義。另一種定義是表面是決定固體或液其周圍環(huán)境相互作用的區(qū)域。應用此定義，表面可以跨越一個原１－０．３ｎｍ）到數(shù)百個原子層（ｌＯＯｎｍ或更多），這取決于材料，其環(huán)境和性質。??為了對這些尺寸進行透視，可以考慮一縷人發(fā)。其直徑在５（Ｈｉｍ和１００５－０．１ｍｍ）之間。構成外表面的原子直徑為０．２ｎｍ。即使在最專業(yè)的光下也無法觀察到這一點，因為空間分辨率的衍射極限值略小于ｌ＾ｍ。所倍數(shù)只能使用非常有限的技術達到，最常見的是透射電子顯微鏡（ＴＥＭ）念如圖３－１所示。????Ｓｕｒｆａｃｅ??

最高的峰值實際上來自ＫＬ２Ｌ３和ＫＬ３Ｌ２過渡，統(tǒng)稱為ＫＬ２，３Ｌ２，３排放。剩余的??峰值來自ＫＬ１Ｌ１，?ＫＬ１Ｌ２和ＫＬ１Ｌ３排放，后兩者統(tǒng)稱為ＫＬ１Ｌ２，３。??在圖３－２ｃ中示出了?ＸＰＳ儀器的原理示意圖，以及三種最常用的中繼數(shù)據(jù)的??方式，即：??（ａ）

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]高k柵介質MOS器件的特性模擬與實驗研究[D]. 馬飛.西安電子科技大學 2013



本文編號：3535717