光電探測(cè)器是一種對(duì)特定波長(zhǎng)的光或者輻射信號(hào)實(shí)現(xiàn)探測(cè)的電子器件。當(dāng)下的電子工業(yè)快速發(fā)展,不僅要求電子產(chǎn)品的集成度更高,其性能也必須得到進(jìn)一步優(yōu)化。這也為光電探測(cè)器的設(shè)計(jì)與制造提出了更高的要求,如何設(shè)計(jì)出尺寸更小性能更優(yōu)化的光電探測(cè)器成為科學(xué)研究和電子技術(shù)發(fā)展的重要課題。本研究展示了有源區(qū)材料制備和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的協(xié)同作用在研制高性能光電探測(cè)器中的重要性。首先,采用物理氣相沉積法首次制備了具有中空管狀結(jié)構(gòu)的CdS半導(dǎo)體納米管,并進(jìn)一步證明這種簡(jiǎn)單的制備方法可以用于ZnS和CdSe多種II-VI族半導(dǎo)體納米管的制備。制備的半導(dǎo)體納米管具有較好的晶體質(zhì)量、極少的雜質(zhì)缺陷和均勻的生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。該方法解決了已有半導(dǎo)體納米管制備方法中制備流程復(fù)雜和制備樣品晶體質(zhì)量差等不足�；诶碚摲治龊蛯�(shí)驗(yàn)結(jié)果,首次實(shí)驗(yàn)上證明了半導(dǎo)體納米管擇優(yōu)沉積的VLS機(jī)制。其中,VLS系統(tǒng)中特殊的三相邊界為半導(dǎo)體納米管生長(zhǎng)過(guò)程中前驅(qū)體原子飽和析出提供了最優(yōu)沉積位置;生長(zhǎng)溫度控制著前驅(qū)體的蒸發(fā)量和不同界面的過(guò)飽和度,在實(shí)驗(yàn)中對(duì)生長(zhǎng)納米材料的結(jié)構(gòu)具有決定性作用;納米催化劑顆粒浸潤(rùn)角的大小影響不同界面的表面能,導(dǎo)致形成的半導(dǎo)體納米管具有不... 

【文章來(lái)源】：武漢大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：159 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２光伏效應(yīng)??

在特定波長(zhǎng)光照條件下，半導(dǎo)體內(nèi)價(jià)帶電子從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶，這部分電子??可以在導(dǎo)帶中自由移動(dòng)，在外電路中表現(xiàn)為其電流輸出顯著增加，對(duì)應(yīng)其光電導(dǎo)??顯著增加［６］，如圖１．１所示；??１??

在特定波長(zhǎng)光照條件下，半導(dǎo)體內(nèi)價(jià)帶電子從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶，這部分電子??可以在導(dǎo)帶中自由移動(dòng)，在外電路中表現(xiàn)為其電流輸出顯著增加，對(duì)應(yīng)其光電導(dǎo)??顯著增加［６］，如圖１．１所示；??１??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：3528715