以CdSe晶體光參量振蕩器為代表的中紅外激光器在生物、醫(yī)療和軍事等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文總結(jié)了生長(zhǎng)CdSe單晶的工藝方法包括熔體法、熔劑法和氣相法等,其中常用的為氣相法,近年來高壓垂直梯度冷凝（HPVGF）技術(shù)也逐漸被采用。國內(nèi)外將本征CdSe晶體用于光參量振蕩器件（OPO）,適用于多種激光器泵浦源,且輸出功率不斷提高。而Cr²⁺的摻雜能有效提高泵浦效率,實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)的連續(xù)可調(diào)。 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(08)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

Cr2+∶CdSe單晶生長(zhǎng)裝置示意圖

表1 本征CdSe晶體的OPO器件發(fā)展歷程Table 1 Development history of the intrinsic CdSe OPO devices Year Pumping source Output wavelength Output power Reference 1972 1.83 μm (Nd∶YAG) 9.8-10.4 μm [27] Abroad 1973 2.36 μm (Dy2+∶CaF2) 2.8-3.36 μm和7.88-13.5 μm [28] 1997 2.79 μm (Er, Cr∶YSGG) 8.5-12.3 μm 24 mW [29] 2003 1.97 μm Nd∶YLF 9.1-9.7 μm 70 mW [30] 2012 2.05 μm Tm, Ho∶GdVO4 8.9 μm 64 mW [31] Domestic 2017 2.09 μm Ho∶YAG 10-12 μm 170 mW [32] 2018 2.05 μm Ho∶YLF 10.26 μm 320 mW [24] 2020 2.1 μm Ho∶YAG 10.1 μm 1.05 W [33]除了本征的CdSe晶體之外,近年來的研究發(fā)現(xiàn),過渡金屬摻雜的晶體十分適合當(dāng)作中紅外激光的透視材料。以Cr2+為例,摻雜后的Cr2+∶CdSe單晶的發(fā)射波長(zhǎng)覆蓋了2.2～3.6 μm的波長(zhǎng)范圍,剛好與水分子、多種有機(jī)分子及生物分子的特征振動(dòng)波長(zhǎng)重疊[33-35],在生物檢測(cè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,目前也成為研究熱點(diǎn)。


本文編號(hào)：3506738