全球經(jīng)濟和社會的發(fā)展促進了電力電子系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,電力電子系統(tǒng)對新能源的開發(fā)和利用也起到了巨大的推動作用。然而,隨著電力電子系統(tǒng)的大范圍應(yīng)用,越來越多的問題也逐漸地凸顯出來。其中,可靠性問題是學(xué)者們關(guān)注的重點。電力電子系統(tǒng)一旦發(fā)生故障,產(chǎn)生的經(jīng)濟損失將難以估量。功率器件是電力電子系統(tǒng)重要的組成部件之一,也是影響系統(tǒng)可靠運行的故障因素之一。因此,為了提高電力電子系統(tǒng)的可靠性,對功率器件進行可靠性研究是必不可少的。目前,通過結(jié)溫估測進行故障診斷是提高功率器件可靠性最有效的手段和方法之一�；诖�,本文以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor）功率模塊為研究對象,主要從IGBT模塊的結(jié)溫監(jiān)測和其內(nèi)部鍵接線故障兩個方面開展研究,具體研究內(nèi)容如下:1.IGBT模塊的失效機理研究。IGBT模塊是一個由7層不同材料構(gòu)成的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。其內(nèi)部除了IGBT芯片和二極管外,還包含了銅片、鋁鍵合線和焊料等材料。由于大功率IGBT模塊長期工作在惡劣的環(huán)境中,其內(nèi)部材料和芯片都要承受較大的溫度和溫度波動,這對它們的性能影響極大。本文分析了IGBT模塊的主要失效... 

【文章來源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

被測 IGBT 模塊三維立體模型圖

第三章 IGBT 模塊內(nèi)部參數(shù)提取與建模-5 可知，IGBT 模塊內(nèi)部材料輸入電容 Cin= 0.26nF，輸出電容 Cou效電路表明IGBT模塊的輸入端和輸出端均可等效為RLC串聯(lián)電BT 芯片的物理行為建立了如圖 3-6 所示的 IGBT 模塊物理模型。

第三章 IGBT 模塊內(nèi)部參數(shù)提取與建模，RC-Cu以及 LC-solder，LC-Cu分別為輸入端焊料和銅片的電阻和ires，LE-Cu分別為輸出端鍵合線、銅片和銅接線端子的電阻和電 Cin，Cout分別為輸入和輸出端的內(nèi)連材料的總電阻、總電感證

【參考文獻】：
期刊論文
[1]絕緣柵雙極型晶體管失效機理與壽命預(yù)測模型分析[J]. 陳明,胡安,劉賓禮.  西安交通大學(xué)學(xué)報. 2011(10)
[2]IGBT模塊封裝熱應(yīng)力研究[J]. 王彥剛,武力,崔雪青,吳武臣,P.Jacbo,M.Held.  電力電子技術(shù). 2000(06)



本文編號：3506153