40 Gbit/s多路并行光收發(fā)模塊的研制
發(fā)布時間:2021-11-19 18:09
基于VCSEL激光器陣列和PIN探測器陣列,設計和制作了40Gbit/s甚短距離的4通道發(fā)射4通道接收并行光收發(fā)模塊。通過高速電路信號仿真設計,解決了信號完整性、串擾和電磁兼容等問題;通過鍵合金絲長度設計增加了通道帶寬。光模塊單通道傳輸速率可達到5Gbit/s,8通道并行總傳輸速率達到40Gbit/s,實現(xiàn)了并行光收發(fā)模塊高速率、高密度、高可靠性以及小體積設計,為甚短距離高速數(shù)據(jù)處理和傳輸提供了高可靠的多路數(shù)據(jù)鏈接。
【文章來源】:半導體光電. 2017,38(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
圖1模塊的電路原理圖模塊接收部分單通道可獨立完成一個信道的
經(jīng)光纖耦合部件輸入至4通道PIN探測器陣列,轉(zhuǎn)變成差分電信號,經(jīng)PIN驅(qū)動器(包括前置和增益放大器),放大整形為高速數(shù)字信號,由模塊引腳輸出。2 模塊的光路設計VCSEL陣列發(fā)送光信號的發(fā)光面和PIN陣列接收光信號的光敏面與MT光纖傳輸方向設計成90°的折角,通過MT-硅V形槽45°反射面來實現(xiàn)光信號的變向傳輸,如圖2、3所示。45°反射面設計可同時實現(xiàn)4通道光信號的發(fā)射和4通道光信號的接收,是并行光收發(fā)模塊的光路設計和制作難點。MTV采用玻璃蓋片將光纖固定在V形槽中,并用膠排走V形槽中空氣。將固定好的玻璃蓋片、V形槽和扁帶光纖一起安裝至研磨機上,經(jīng)過粗磨、精磨和拋光工藝,完成扁帶光纖45°反射面的制作。反射面研磨要求均勻,一致性好,無缺齒、斷裂等現(xiàn)象,達到光學級 表 面 光 潔 度。之 后 對 光 纖45°反 射 面 鍍 制850nm波長的高反膜來增大端面的反射率,使入射光束 盡 可 能 多 耦 合 到VCSEL/PIN陣 列 芯 片 的發(fā)光面/光敏面上,以提高耦合效率。MT-硅V形槽如圖5。
驅(qū)動激光器陣列發(fā)光,電信號轉(zhuǎn)換成光信號后通過光耦合部件,由MT光纖連接器輸出。圖1模塊的電路原理圖模塊接收部分單通道可獨立完成一個信道的光-電轉(zhuǎn)換,光信號由MT光纖連接器傳輸至模塊,經(jīng)光纖耦合部件輸入至4通道PIN探測器陣列,轉(zhuǎn)變成差分電信號,經(jīng)PIN驅(qū)動器(包括前置和增益放大器),放大整形為高速數(shù)字信號,由模塊引腳輸出。2模塊的光路設計VCSEL陣列發(fā)送光信號的發(fā)光面和PIN陣列接收光信號的光敏面與MT光纖傳輸方向設計成90°的折角,通過MT-硅V形槽45°反射面來實現(xiàn)光信號的變向傳輸,如圖2、3所示。45°反射面設計可同時實現(xiàn)4通道光信號的發(fā)射和4通道光信號的接收,是并行光收發(fā)模塊的光路設計和制作難點。圖2光路示意圖圖3光路變向圖2.1MT-硅V形槽的設計方案MT-硅V形槽由扁帶光纖(帶MT連接器)、硅V形槽和玻璃蓋片組成。高精度硅V形槽的主要作用是固定多路扁帶光纖,硅V形槽精度要求嚴格,以保證扁帶光纖250μm的間距。選用了ICP電感耦合等離子體刻蝕方法來刻蝕V形槽,硅V形槽如圖4。圖4硅V形槽示意圖為實現(xiàn)光信號的傳輸變向,設計研磨角度為45°,通過分析計算出研磨角度允許一定的正向公差。將扁帶光纖(帶MT連接器)放入硅V形槽內(nèi),采用玻璃蓋片將光纖固定在V形槽中,并用膠排走V形槽中空氣。將固定好的玻璃蓋片、V形槽和扁帶光纖一起安裝至研磨機上,經(jīng)過粗磨、精磨和拋光工藝,完成扁帶光纖45°反射面的制作。反射面研磨要求均勻,一致性好,無缺齒、斷
本文編號:3505581
【文章來源】:半導體光電. 2017,38(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
圖1模塊的電路原理圖模塊接收部分單通道可獨立完成一個信道的
經(jīng)光纖耦合部件輸入至4通道PIN探測器陣列,轉(zhuǎn)變成差分電信號,經(jīng)PIN驅(qū)動器(包括前置和增益放大器),放大整形為高速數(shù)字信號,由模塊引腳輸出。2 模塊的光路設計VCSEL陣列發(fā)送光信號的發(fā)光面和PIN陣列接收光信號的光敏面與MT光纖傳輸方向設計成90°的折角,通過MT-硅V形槽45°反射面來實現(xiàn)光信號的變向傳輸,如圖2、3所示。45°反射面設計可同時實現(xiàn)4通道光信號的發(fā)射和4通道光信號的接收,是并行光收發(fā)模塊的光路設計和制作難點。MTV采用玻璃蓋片將光纖固定在V形槽中,并用膠排走V形槽中空氣。將固定好的玻璃蓋片、V形槽和扁帶光纖一起安裝至研磨機上,經(jīng)過粗磨、精磨和拋光工藝,完成扁帶光纖45°反射面的制作。反射面研磨要求均勻,一致性好,無缺齒、斷裂等現(xiàn)象,達到光學級 表 面 光 潔 度。之 后 對 光 纖45°反 射 面 鍍 制850nm波長的高反膜來增大端面的反射率,使入射光束 盡 可 能 多 耦 合 到VCSEL/PIN陣 列 芯 片 的發(fā)光面/光敏面上,以提高耦合效率。MT-硅V形槽如圖5。
驅(qū)動激光器陣列發(fā)光,電信號轉(zhuǎn)換成光信號后通過光耦合部件,由MT光纖連接器輸出。圖1模塊的電路原理圖模塊接收部分單通道可獨立完成一個信道的光-電轉(zhuǎn)換,光信號由MT光纖連接器傳輸至模塊,經(jīng)光纖耦合部件輸入至4通道PIN探測器陣列,轉(zhuǎn)變成差分電信號,經(jīng)PIN驅(qū)動器(包括前置和增益放大器),放大整形為高速數(shù)字信號,由模塊引腳輸出。2模塊的光路設計VCSEL陣列發(fā)送光信號的發(fā)光面和PIN陣列接收光信號的光敏面與MT光纖傳輸方向設計成90°的折角,通過MT-硅V形槽45°反射面來實現(xiàn)光信號的變向傳輸,如圖2、3所示。45°反射面設計可同時實現(xiàn)4通道光信號的發(fā)射和4通道光信號的接收,是并行光收發(fā)模塊的光路設計和制作難點。圖2光路示意圖圖3光路變向圖2.1MT-硅V形槽的設計方案MT-硅V形槽由扁帶光纖(帶MT連接器)、硅V形槽和玻璃蓋片組成。高精度硅V形槽的主要作用是固定多路扁帶光纖,硅V形槽精度要求嚴格,以保證扁帶光纖250μm的間距。選用了ICP電感耦合等離子體刻蝕方法來刻蝕V形槽,硅V形槽如圖4。圖4硅V形槽示意圖為實現(xiàn)光信號的傳輸變向,設計研磨角度為45°,通過分析計算出研磨角度允許一定的正向公差。將扁帶光纖(帶MT連接器)放入硅V形槽內(nèi),采用玻璃蓋片將光纖固定在V形槽中,并用膠排走V形槽中空氣。將固定好的玻璃蓋片、V形槽和扁帶光纖一起安裝至研磨機上,經(jīng)過粗磨、精磨和拋光工藝,完成扁帶光纖45°反射面的制作。反射面研磨要求均勻,一致性好,無缺齒、斷
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