SiC功率器件開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗小、反向恢復(fù)特性好,能提高單級(jí)功率因數(shù)校正（PFC）電路的應(yīng)用頻率,提升效率、功率因數(shù)及裝置穩(wěn)定性,簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu),減小體積、功耗和設(shè)計(jì)難度。本文以SiC材料和已經(jīng)市場(chǎng)化應(yīng)用的SiC/Si功率器件為基礎(chǔ)開(kāi)展如下工作:（1）概述SiC材料和SiC功率器件的特征、應(yīng)用成本、應(yīng)用前景和其在功率因數(shù)校正領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì);分析其在商業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程中的優(yōu)勢(shì)和存在的問(wèn)題,認(rèn)為其與傳統(tǒng)Si材料技術(shù)逐步取代又兼容共存的發(fā)展新格局。（2）搭建SiC MOSFET開(kāi)斷特性的Saber仿真平臺(tái),仿真寄生參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電阻、驅(qū)動(dòng)電壓等對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)性能的影響;對(duì)比分析SiC/Si功率器件動(dòng)靜態(tài)特性和外部應(yīng)用條件變化對(duì)其各自性能發(fā)揮的影響;搭建能充分發(fā)揮SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能的負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路和負(fù)壓電路;分析了SiC MOSFET高頻應(yīng)用及橋臂串?dāng)_問(wèn)題。（3）分析PFC電路在連續(xù)模式（CCM）下的反向恢復(fù)問(wèn)題,利用SiC SBD優(yōu)異的反向恢復(fù)性能既能為CCM模式下的反向恢復(fù)問(wèn)題提供解決方案,又能簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)提高電路穩(wěn)定性;基于SiC功率器件搭建升壓/降壓型單級(jí)功率因數(shù)校正待測(cè)電路。（... 

【文章來(lái)源】：西華大學(xué)四川省

【文章頁(yè)數(shù)】：75 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 SiC材料與SiC功率器件
        1.1.1 SiC材料
        1.1.2 SiC功率器件
    1.2 SiC功率器件的應(yīng)用
        1.2.1 SiC系統(tǒng)外部特征分析
        1.2.2 SiC系統(tǒng)成本分析
        1.2.3 SiC系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域分析
        1.2.4 SiC功率器件在PFC領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
    1.3 本文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排
2 SiC功率器件特性
    2.1 SiC MOSFET特性研究
        2.1.1 寄生參數(shù)對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的影響
        2.1.2 SiC MOSFET特性
        2.1.3 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
        2.1.4 SiC MOSFET高頻應(yīng)用及橋臂串?dāng)_問(wèn)題分析
    2.2 SiC二極管特性研究
        2.2.1 導(dǎo)通特性
        2.2.2 阻斷特性
        2.2.3 反向恢復(fù)特性
    2.3 本章小結(jié)
3 基于SiC功率器件的單級(jí)PFC電路測(cè)試樣機(jī)設(shè)計(jì)與器件選型
    3.1 功率因數(shù)校正
        3.1.1 功率因數(shù)校正技術(shù)的分類
        3.1.2 功率因數(shù)校正電路的工作模式
        3.1.3 CCM模式下的二極管反向恢復(fù)問(wèn)題及其解決方案
        3.1.4 CCM模式下的控制方法
    3.2 升壓型PFC測(cè)試電路設(shè)計(jì)
        3.2.1 基于SiC功率器件的升壓型PFC主要電路參數(shù)計(jì)算和選型
        3.2.2 EMI設(shè)計(jì)
        3.2.3 升壓型PFC仿真
    3.3 降壓型PFC測(cè)試電路設(shè)計(jì)
        3.3.1 降壓型PFC的工作方式及其優(yōu)勢(shì)
        3.3.2 高邊驅(qū)動(dòng)與低邊驅(qū)動(dòng)對(duì)比
        3.3.3 基于SiC功率器件的降壓型PFC主要電路參數(shù)計(jì)算和選型
    3.4 本章小結(jié)
4 基于SiC/Si功率器件的單級(jí)PFC變換器性能測(cè)試
    4.1 實(shí)驗(yàn)說(shuō)明
        4.1.1 測(cè)試儀器儀表
        4.1.2 Si基器件選取原則
        4.1.3 實(shí)物
    4.2 升壓型PFC測(cè)試
        4.2.1 波形
        4.2.2 溫升
        4.2.3 效率
    4.3 降壓型PFC測(cè)試
        4.3.1 波形
        4.3.2 驅(qū)動(dòng)電壓的影響
        4.3.3 效率
    4.4 本章小結(jié)
5 全文總結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄1 升壓型PFC電路原理圖
附錄2 降壓型PFC電路原理圖
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[2]基于SiC器件的高功率密度城軌車輛充電機(jī)研究[D]. 楊春.北京交通大學(xué) 2017
[3]SiC肖特基二極管的物理模型參數(shù)提取研究[D]. 呂柔睿.西華大學(xué) 2017
[4]基于碳化硅肖特基二極管的逆變器的研究[D]. 谷楊.西安電子科技大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3491108