本文關(guān)鍵詞：IGBT直接串聯(lián)均壓技術(shù)的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：電力電子的發(fā)展對(duì)電力電子器件的額定電壓范圍提出了更高的要求。IGBT以其良好的開(kāi)關(guān)性能成為了應(yīng)用前景非常廣闊的電力電子器件。然而,現(xiàn)有的IGBT的最大額定電壓只有6.5kV。IGBT的串聯(lián)在應(yīng)用中不僅可以獲得更高的額定工作電壓,也可以獲得相同電壓級(jí)別下更好的開(kāi)關(guān)性能。但I(xiàn)GBT的串聯(lián)極易產(chǎn)生電壓不均衡,導(dǎo)致器件過(guò)電壓,這是目前IGBT串聯(lián)亟需解決的問(wèn)題。本文首先闡述了IGBT的內(nèi)部機(jī)理,并在PSPICE軟件中建立了IGBT的物理仿真模型,對(duì)本文所建立的IGBT仿真模型與PSPICE內(nèi)部庫(kù)模型進(jìn)行了仿真對(duì)比研究,驗(yàn)證了本文所建模型的正確性。本文分析了IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程,分階段的闡述了開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中可能造成串聯(lián)電壓失衡的原因。對(duì)現(xiàn)有的主流均壓方案進(jìn)行了綜述,并對(duì)兩種典型的串聯(lián)均壓方案——有源箝位和磁芯同步技術(shù)的控制機(jī)理以及優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了重點(diǎn)分析,在此基礎(chǔ)上提出了一種基于兩者相結(jié)合的混合控制均壓方案,闡述了該控制方案在不同瞬態(tài)階段的控制機(jī)理,該方案對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)均能實(shí)現(xiàn)有效的控制。基于理論分析和PSPICE仿真研究,采用混合均壓方案,對(duì)可能造成IGBT串聯(lián)電壓失衡的各種因素進(jìn)行了研究,搭建基于IGBT直接串聯(lián)的高壓Boost直流變換器,對(duì)本控制方案進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析和仿真研究溫和,驗(yàn)證了混合均壓方案對(duì)可能造成IGBT串聯(lián)電壓失衡的各種因素的適應(yīng)性,同時(shí)還通過(guò)對(duì)四個(gè)IGBT的串聯(lián)均壓仿真驗(yàn)證了方案應(yīng)用于多個(gè)串聯(lián)情況的可行性。
【關(guān)鍵詞】：IGBT串聯(lián) 均壓 有源箝位 磁芯同步 混合控制
【學(xué)位授予單位】：北方工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8
【目錄】：

• 摘要3-4
• ABSTRACT4-8
• 第一章 緒論8-19
• 1.1 研究背景8-10
• 1.2 IGBT串聯(lián)技術(shù)的應(yīng)用展望10
• 1.3 串聯(lián)IGBT動(dòng)態(tài)電壓失衡的原因分析10-11
• 1.4 IGBT的串聯(lián)均壓方試11-19
• 1.4.1 負(fù)載側(cè)控制技術(shù)11-12
• 1.4.2 柵極控制技術(shù)12-19
• 第二章 IGBT的內(nèi)部原理及仿真模型19-28
• 2.1 IGBT模型等效19-23
• 2.1.1 功率器件建模的四種方式19-21
• 2.1.2 BJT模型21-23
• 2.1.3 MOSFET模型23
• 2.2 IGBT仿真模型23-28
• 2.2.1 IGBT模型建立23-26
• 2.2.2 仿真波形圖26-28
• 第三章 IGBT串聯(lián)電壓不平衡的原因分析28-37
• 3.1 IGBT串聯(lián)研究的主要問(wèn)題28
• 3.2 靜態(tài)電壓失衡28
• 3.3 動(dòng)態(tài)電壓失衡28-37
• 3.3.1 IGBT的開(kāi)關(guān)特性28-29
• 3.3.2 開(kāi)通過(guò)程29-31
• 3.3.3 開(kāi)通過(guò)程可能導(dǎo)致電壓不平衡的原因31-32
• 3.3.4 關(guān)斷過(guò)程32-33
• 3.3.5 關(guān)斷瞬態(tài)電壓不平衡的原因33-37
• 第四章 混合均壓方案37-53
• 4.1 有源箝位技術(shù)37-40
• 4.2 磁芯同步技術(shù)40-45
• 4.2.1 磁芯同步技術(shù)原理40-41
• 4.2.2 變壓器設(shè)計(jì)41-42
• 4.2.3 高頻變壓器參數(shù)計(jì)算42-43
• 4.2.4 仿真驗(yàn)證43-45
• 4.3 基于有源箝位技術(shù)和磁芯同步技術(shù)的混合均壓方案45-53
• 4.3.1 混合均壓方案的原理45
• 4.3.2 混合方案在不同的情形下可行性的仿真驗(yàn)證45-53
• 第五章 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證53-69
• 5.1 實(shí)驗(yàn)電路拓?fù)?/span>53-54
• 5.2 兩個(gè)IGBT的串聯(lián)實(shí)驗(yàn)54-64
• 5.2.1 未添加?xùn)艠O信號(hào)延時(shí)的IGBT串聯(lián)實(shí)驗(yàn)54-56
• 5.2.2 添加?xùn)艠O信號(hào)延遲下的IGBT串聯(lián)實(shí)驗(yàn)56-64
• 5.3 四個(gè)IGBT的串聯(lián)實(shí)驗(yàn)64-69
• 第六章 結(jié)論與展望69-70
• 參考文獻(xiàn)70-76
• 在學(xué)期間的研究成果76-77
• 致謝77

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2 羅R，

本文編號(hào)：348966