隧道補償多量子阱紅外探測器
發(fā)布時間:2021-11-10 03:47
紅外探測器是將紅外輻射能量轉(zhuǎn)換成便于計量的物理量的器件,廣泛應(yīng)用于軍事、氣象、農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域。半導(dǎo)體紅外光電探測器有多種結(jié)構(gòu)。其中,量子阱探測器具有良好的均勻性與較高的可靠性,適合于大規(guī)模焦平面陣列的制作。同時,它們適用于制作雙色和多色探測器。然而,量子阱紅外探測器的工作原理決定了探測器的性能難以提升。多數(shù)研究人員致力于提高器件光耦合的效率。但也有研究人員提出了改進器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方法。其中,有研究人員提出了一種基于隧道補償效應(yīng)的量子阱紅外探測器。通過增加量子阱的數(shù)目就可以增長探測器的光電流。缺陷在于外延摻雜控制的水平不足容易造成器件的失效。為改善這一缺陷,提出了在隧道結(jié)和勢壘之間插入多量子阱的改進結(jié)構(gòu)。多量子阱取代了單量子阱,成為探測器的紅外吸收區(qū)。新結(jié)構(gòu)消除了摻雜濃度對量子阱阱寬的影響,降低了外延的生長難度。隧道補償多量子阱紅外探測器由多周期串聯(lián)的基本單元構(gòu)成,基本單元分為隧道結(jié)、多量子阱和阻擋勢壘。本文主要有以下內(nèi)容:1.介紹了紅外探測器的應(yīng)用范圍、種類、量子阱探測器的發(fā)展現(xiàn)狀,討論了隧道補償量子阱紅外探測器和本文研究的主要內(nèi)容。2.理論分析了隧道補償多量子阱紅外探測器的工...
【文章來源】:北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
PIN型紅外探測器的結(jié)構(gòu)
圖 1-1 PIN 型紅外探測器的結(jié)構(gòu)[28]Fig.1-1 Structureof PIN infrared detector崩光電探測器(APD)反向偏壓下,光生載流子碰撞電離,能夠引發(fā)雪崩倍增效應(yīng),主要是通過該效應(yīng)實現(xiàn)對光子的探測。它是一種具有內(nèi)部增益APD 結(jié)構(gòu)是在 PIN 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加一個倍增層,對 I 層產(chǎn)生(如圖 1-2 所示)。
北京工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文但對 InGaAs 材料而言,較低場強時即開始出現(xiàn)隧穿效應(yīng),無法達到碰需的場強[29],于是吸收區(qū)、漸變區(qū)、電荷區(qū)和倍增區(qū)(Separate absoing charge multiplication,SAGCM)分離的 APD 結(jié)構(gòu)應(yīng)運而生(如圖 1。這種結(jié)構(gòu)中,InGaAs 為吸收層,它的吸收波長范圍為 900~1700nm蓋了光通信波段;InP 為倍增層,光生載流子的離化倍增主要發(fā)生在aAsP 為組分漸變層,它減小了 InP 和 InGaAs 間的界面勢壘,提高了器速度; InP 為電荷層,負責(zé)調(diào)節(jié)電場分布,優(yōu)化雪崩倍增特性[30]。因為的內(nèi)部增益較高,因此常作為單光子探測器,應(yīng)用于空間激光通信系統(tǒng)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]High quantum efficiency long-/long-wave dual-color type-Ⅱ InAs/GaSb infrared detector[J]. 蔣志,孫姚耀,郭春妍,呂粵希,郝宏玥,蔣洞微,王國偉,徐應(yīng)強,牛智川. Chinese Physics B. 2019(03)
[2]Development of small pixel HgCdTe infrared detectors[J]. 劉銘,王叢,周立慶. Chinese Physics B. 2019(03)
[3]短波紅外光譜技術(shù)在礦床勘查中的應(yīng)用[J]. 田豐,冷成彪,張興春,田振東,張偉,郭劍衡. 礦物巖石地球化學(xué)通報. 2019(03)
[4]精準農(nóng)業(yè)觀測高數(shù)值孔徑短波紅外成像光譜儀光學(xué)系統(tǒng)[J]. 于磊,陳素娟,陳結(jié)祥,薛輝. 紅外與激光工程. 2018(12)
[5]等離激元增強金硅肖特基結(jié)近紅外光電探測器進展[J]. 王琦龍,李裕培,翟雨生,計吉燾,鄒海洋,陳廣甸. 紅外與激光工程. 2019(02)
[6]基于PIN硅像素探測器的新型低電容結(jié)構(gòu)設(shè)計與仿真[J]. 孫澤亮,郭秦文,龍強,李正. 湘潭大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報. 2018(04)
[7]紅外熱像圖在腰椎間盤突出癥的功能評定及療效評定中的應(yīng)用價值[J]. 鄧燕霞,梁芳,張志海,鐘建華. 中外醫(yī)療. 2018(13)
[8]高性能波導(dǎo)集成型鍺pin光電探測器的制備[J]. 劉道群,李志華,馮俊波,唐波,張鵬,王桂磊. 微納電子技術(shù). 2018(05)
[9]10 Gbit/s臺面型InGaAs/InP pin高速光電探測器[J]. 李慶偉,李偉,齊利芳,尹順政,張世祖. 半導(dǎo)體技術(shù). 2018(04)
[10]碲鎘汞紅外焦平面陣列探測器技術(shù)的最新進展(下)[J]. 高國龍. 紅外. 2018(03)
博士論文
[1]基于InGaAs(P)/InP APD的單光子探測器的研制和性能研究[D]. 劉俊良.山東大學(xué) 2018
[2]高溫目標物理參量短波紅外遙感反演[D]. 于一凡.吉林大學(xué) 2017
[3]量子阱紅外探測器優(yōu)化與性能極限研究[D]. 郝明瑞.上海交通大學(xué) 2014
[4]基于子帶躍遷量子結(jié)構(gòu)紅外探測器的研究[D]. 劉希輝.中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所) 2014
[5]寬帶量子阱紅外探測器(QWIP)的研究[D]. 張健.山東大學(xué) 2006
碩士論文
[1]基于MODIS的中紅外全球背景輻射數(shù)據(jù)生成方法研究[D]. 葉昱含.東華理工大學(xué) 2018
[2]地面目標中長波紅外輻射特性測量關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 南童凌.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所) 2018
[3]基于GOSAT衛(wèi)星短波紅外輻射數(shù)據(jù)反演的中國碳通量分析[D]. 張?zhí)m蘭.湖北工業(yè)大學(xué) 2018
[4]表面具有微透鏡陣列的PIN型紅外探測器的研究[D]. 馮獻飛.北京工業(yè)大學(xué) 2018
[5]新型GaAs/AlGaAs量子阱中遠紅外探測器的研究與改進[D]. 劉松妍.北京工業(yè)大學(xué) 2002
本文編號:3486513
【文章來源】:北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
PIN型紅外探測器的結(jié)構(gòu)
圖 1-1 PIN 型紅外探測器的結(jié)構(gòu)[28]Fig.1-1 Structureof PIN infrared detector崩光電探測器(APD)反向偏壓下,光生載流子碰撞電離,能夠引發(fā)雪崩倍增效應(yīng),主要是通過該效應(yīng)實現(xiàn)對光子的探測。它是一種具有內(nèi)部增益APD 結(jié)構(gòu)是在 PIN 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加一個倍增層,對 I 層產(chǎn)生(如圖 1-2 所示)。
北京工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文但對 InGaAs 材料而言,較低場強時即開始出現(xiàn)隧穿效應(yīng),無法達到碰需的場強[29],于是吸收區(qū)、漸變區(qū)、電荷區(qū)和倍增區(qū)(Separate absoing charge multiplication,SAGCM)分離的 APD 結(jié)構(gòu)應(yīng)運而生(如圖 1。這種結(jié)構(gòu)中,InGaAs 為吸收層,它的吸收波長范圍為 900~1700nm蓋了光通信波段;InP 為倍增層,光生載流子的離化倍增主要發(fā)生在aAsP 為組分漸變層,它減小了 InP 和 InGaAs 間的界面勢壘,提高了器速度; InP 為電荷層,負責(zé)調(diào)節(jié)電場分布,優(yōu)化雪崩倍增特性[30]。因為的內(nèi)部增益較高,因此常作為單光子探測器,應(yīng)用于空間激光通信系統(tǒng)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]High quantum efficiency long-/long-wave dual-color type-Ⅱ InAs/GaSb infrared detector[J]. 蔣志,孫姚耀,郭春妍,呂粵希,郝宏玥,蔣洞微,王國偉,徐應(yīng)強,牛智川. Chinese Physics B. 2019(03)
[2]Development of small pixel HgCdTe infrared detectors[J]. 劉銘,王叢,周立慶. Chinese Physics B. 2019(03)
[3]短波紅外光譜技術(shù)在礦床勘查中的應(yīng)用[J]. 田豐,冷成彪,張興春,田振東,張偉,郭劍衡. 礦物巖石地球化學(xué)通報. 2019(03)
[4]精準農(nóng)業(yè)觀測高數(shù)值孔徑短波紅外成像光譜儀光學(xué)系統(tǒng)[J]. 于磊,陳素娟,陳結(jié)祥,薛輝. 紅外與激光工程. 2018(12)
[5]等離激元增強金硅肖特基結(jié)近紅外光電探測器進展[J]. 王琦龍,李裕培,翟雨生,計吉燾,鄒海洋,陳廣甸. 紅外與激光工程. 2019(02)
[6]基于PIN硅像素探測器的新型低電容結(jié)構(gòu)設(shè)計與仿真[J]. 孫澤亮,郭秦文,龍強,李正. 湘潭大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報. 2018(04)
[7]紅外熱像圖在腰椎間盤突出癥的功能評定及療效評定中的應(yīng)用價值[J]. 鄧燕霞,梁芳,張志海,鐘建華. 中外醫(yī)療. 2018(13)
[8]高性能波導(dǎo)集成型鍺pin光電探測器的制備[J]. 劉道群,李志華,馮俊波,唐波,張鵬,王桂磊. 微納電子技術(shù). 2018(05)
[9]10 Gbit/s臺面型InGaAs/InP pin高速光電探測器[J]. 李慶偉,李偉,齊利芳,尹順政,張世祖. 半導(dǎo)體技術(shù). 2018(04)
[10]碲鎘汞紅外焦平面陣列探測器技術(shù)的最新進展(下)[J]. 高國龍. 紅外. 2018(03)
博士論文
[1]基于InGaAs(P)/InP APD的單光子探測器的研制和性能研究[D]. 劉俊良.山東大學(xué) 2018
[2]高溫目標物理參量短波紅外遙感反演[D]. 于一凡.吉林大學(xué) 2017
[3]量子阱紅外探測器優(yōu)化與性能極限研究[D]. 郝明瑞.上海交通大學(xué) 2014
[4]基于子帶躍遷量子結(jié)構(gòu)紅外探測器的研究[D]. 劉希輝.中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所) 2014
[5]寬帶量子阱紅外探測器(QWIP)的研究[D]. 張健.山東大學(xué) 2006
碩士論文
[1]基于MODIS的中紅外全球背景輻射數(shù)據(jù)生成方法研究[D]. 葉昱含.東華理工大學(xué) 2018
[2]地面目標中長波紅外輻射特性測量關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 南童凌.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所) 2018
[3]基于GOSAT衛(wèi)星短波紅外輻射數(shù)據(jù)反演的中國碳通量分析[D]. 張?zhí)m蘭.湖北工業(yè)大學(xué) 2018
[4]表面具有微透鏡陣列的PIN型紅外探測器的研究[D]. 馮獻飛.北京工業(yè)大學(xué) 2018
[5]新型GaAs/AlGaAs量子阱中遠紅外探測器的研究與改進[D]. 劉松妍.北京工業(yè)大學(xué) 2002
本文編號:3486513
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