針對(duì)IGBT芯片被封裝在模塊內(nèi)部,芯片結(jié)溫?zé)o法直接測(cè)量的問題,提出了基于思維進(jìn)化算法（MEA）優(yōu)化的反向傳播（BP）（MEA-BP）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的IGBT結(jié)溫預(yù)測(cè)算法模型。首先,利用溫敏電參數(shù)（TSEP）法搭建IGBT模塊飽和壓降實(shí)驗(yàn)平臺(tái);然后,從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取338組飽和壓降與集電極電流數(shù)據(jù)作為TSEP,表征其與IGBT模塊結(jié)溫的關(guān)系;最后,利用MEA-BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法將提取出的電氣參數(shù)建立結(jié)溫預(yù)測(cè)模型,對(duì)結(jié)溫進(jìn)行預(yù)測(cè)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,MEA-BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的結(jié)溫預(yù)測(cè)值平均絕對(duì)百分比誤差在集電極電流小于臨界電流時(shí)為0.114,在大于臨界電流時(shí)為0.062,比遺傳算法（GA）優(yōu)化的BP（GA-BP）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法以及經(jīng)典BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法能更準(zhǔn)確預(yù)測(cè)IGBT結(jié)溫。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(11)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

飽和壓降測(cè)試平臺(tái)

為避免IC因模塊高溫特性而出現(xiàn)結(jié)溫(θj)測(cè)量盲區(qū),設(shè)置溫度梯度區(qū)間為30～150 ℃,集電極電流梯度區(qū)間為1～50 A。首先將恒溫器設(shè)置到一定溫度梯度值,溫控平臺(tái)對(duì)IGBT整個(gè)模塊進(jìn)行加熱,當(dāng)IGBT被加熱相當(dāng)長一段時(shí)間后,IGBT達(dá)到熱平衡,默認(rèn)IGBT芯片溫度達(dá)到設(shè)定值。打開IGBT驅(qū)動(dòng)板電源,觸發(fā)信號(hào)發(fā)生器和直流電源,同時(shí)使用單脈沖驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通并測(cè)量該條件下的飽和壓降。因此,可以記錄θj、IC和VCE。然后升高溫度,測(cè)量在不同θj和IC下IGBT模塊的飽和壓降。實(shí)驗(yàn)流程如圖2所示,圖中θn和In分別為溫度梯度和集電極電流梯度,其中n為循環(huán)次數(shù),θ1=30 ℃,I1=1 A。用采集到的數(shù)據(jù)繪制出VCE、IC和θj的關(guān)系三維圖,如圖3所示。從圖3可以直觀地看出,VCE同時(shí)受IC和θj的影響,驗(yàn)證了實(shí)驗(yàn)選取VCE和IC作為結(jié)溫預(yù)測(cè)網(wǎng)絡(luò)模型參數(shù)的正確性。

用采集到的數(shù)據(jù)繪制出VCE、IC和θj的關(guān)系三維圖,如圖3所示。從圖3可以直觀地看出,VCE同時(shí)受IC和θj的影響,驗(yàn)證了實(shí)驗(yàn)選取VCE和IC作為結(jié)溫預(yù)測(cè)網(wǎng)絡(luò)模型參數(shù)的正確性。1.2 BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)模型

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3481502