本文介紹了有源冷噪聲源的應(yīng)用背景及發(fā)展現(xiàn)狀。根據(jù)微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管常溫下輸出穩(wěn)定低噪聲的特性,以Avago公司的兩種典型pHEMT晶體管為核心器件進(jìn)行了ADS仿真設(shè)計(jì),研制出兩款有源冷噪聲源。給出了對(duì)設(shè)計(jì)的兩款器件的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行驗(yàn)證的L波段周期定標(biāo)輻射計(jì)設(shè)計(jì)框圖。仿真結(jié)果表明,以p HEMT型晶體管為核心器件設(shè)計(jì)成的L波段有源冷噪聲源能輸出穩(wěn)定低噪聲。 

【文章來源】：宇航計(jì)測(cè)技術(shù). 2020,40(05)CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

二端口網(wǎng)絡(luò)微波噪聲模型框圖

以ATF54143為核心設(shè)計(jì)的ACNS三個(gè)優(yōu)化指標(biāo)及噪聲系數(shù)如圖2所示。以ATF35143為核心設(shè)計(jì)的ACNS在Vds=2.03V,Id=14.7m A,Vgs=-0.58V偏置下，于1.414GHz頻率點(diǎn)有最小噪聲系數(shù)NF=0.564d B;最佳輸入噪聲阻抗Zopt=49.271+j×2.827Ω;最小負(fù)載反射系數(shù)ΓL→0，系統(tǒng)穩(wěn)定因子滿足絕對(duì)穩(wěn)定:stabfact1=1.085>1,0<stabmeas1=0.424<1。在(1.4～1.43) GHz范圍內(nèi)，輸入反射系數(shù)S11<-23d B，同時(shí)此頻帶范圍內(nèi)系統(tǒng)處于絕對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)。

后續(xù)還需要對(duì)實(shí)物進(jìn)行封裝和測(cè)試，有源冷噪聲源輸出亮溫的測(cè)量主要利用搭建的周期定標(biāo)輻射計(jì)完成。此處選取的兩款應(yīng)用于ACNS設(shè)計(jì)的芯片的主要不同在于柵極偏置電壓(第二款芯片柵極電壓為負(fù))，目前已經(jīng)通過PCB制作實(shí)現(xiàn)了實(shí)物，后期將利用本文第4節(jié)搭建的輻射計(jì)系統(tǒng)測(cè)量輸出亮溫等參數(shù)來分析兩款芯片用于ACNS設(shè)計(jì)的差異。4 周期定標(biāo)輻射計(jì)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]4和9GHz冷噪聲源比對(duì)系統(tǒng)[J]. 徐德忠,翟宏.  宇航計(jì)測(cè)技術(shù). 1993(05)

博士論文
[1]地基微波輻射計(jì)定標(biāo)技術(shù)及大氣被動(dòng)遙感研究[D]. 李江漫.西安電子科技大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3480974