Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料體系帶隙涵蓋范圍廣、載流子遷移率高,非常適宜用來(lái)制備發(fā)光二極管、激光器、高電子遷移率晶體管等光電子器件。在異質(zhì)襯底上進(jìn)行Ⅲ-Ⅴ化合物的共價(jià)外延時(shí),只有外延層與襯底層間的晶格失配度較小時(shí)才能獲得高質(zhì)量外延層,而范德華外延已被證實(shí)可以有效放寬外延層與襯底層間晶格失配與熱失配要求,有利于外延層的應(yīng)力釋放與質(zhì)量提高,同時(shí)也易于外延層從襯底上剝離轉(zhuǎn)移,為制備Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光電子器件提供了便利。本文對(duì)二維（2D）材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德華外延過(guò)程以及使用范德華外延制備的Ⅲ-N基光電子器件的各項(xiàng)研究進(jìn)行了討論分析,并對(duì)其前景進(jìn)行了展望。 

【文章來(lái)源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2020,41(08)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：14 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引 言
2 范德華外延中的二維(2D)材料
3 Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德華外延
4 Ⅲ-Ⅴ化合物范德華外延的實(shí)際應(yīng)用
5 總結(jié)與展望



本文編號(hào)：3476311