�、�-Ⅴ化合物半導體材料體系帶隙涵蓋范圍廣、載流子遷移率高,非常適宜用來制備發(fā)光二極管、激光器、高電子遷移率晶體管等光電子器件。在異質襯底上進行Ⅲ-Ⅴ化合物的共價外延時,只有外延層與襯底層間的晶格失配度較小時才能獲得高質量外延層,而范德華外延已被證實可以有效放寬外延層與襯底層間晶格失配與熱失配要求,有利于外延層的應力釋放與質量提高,同時也易于外延層從襯底上剝離轉移,為制備Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光電子器件提供了便利。本文對二維（2D）材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德華外延過程以及使用范德華外延制備的Ⅲ-N基光電子器件的各項研究進行了討論分析,并對其前景進行了展望。 

【文章來源】：發(fā)光學報. 2020,41(08)北大核心EICSCD

【文章頁數】：14 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 范德華外延中的二維(2D)材料
3 Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德華外延
4 Ⅲ-Ⅴ化合物范德華外延的實際應用
5 總結與展望



本文編號：3476311