GaN/光敏聚合物復(fù)合波導(dǎo)特性研究
發(fā)布時間:2021-11-04 19:04
隨著人們對光通信系統(tǒng)中信息加載容量和傳輸速度要求的提高,集成光子電路相對于傳統(tǒng)分立光學(xué)元件,逐漸顯現(xiàn)出其高性能、低成本、結(jié)構(gòu)緊湊的特點。以GaN為代表的寬帶隙半導(dǎo)體憑借其優(yōu)良的光電特性,成為集成光子電路中最具研究價值和發(fā)展?jié)摿Φ幕A(chǔ)材料。本論文正是基于GaN波導(dǎo)的優(yōu)點,結(jié)合具有光敏特性的摻偶氮苯聚合物,設(shè)計并仿真分析了適用于波分復(fù)用系統(tǒng)的光波導(dǎo)器件和摻鉺GaN波導(dǎo)光放大器。本文首先綜述對比了 GaN與其他光集成工藝中常用材料的優(yōu)缺點,總結(jié)了國內(nèi)外研究團(tuán)隊在GaN光波導(dǎo)器件方面的研究進(jìn)展,以及近年來在GaN與聚合物材料復(fù)合結(jié)構(gòu)方面的研究成果。接下來建立了 GaN脊形光波導(dǎo)的理論分析模型,采用有效折射率法給出不同偏振波導(dǎo)模式滿足的特征方程。在理論模型的基礎(chǔ)上,通過計算設(shè)計了合理的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地,利用偶氮苯分子在光照條件下的順反異構(gòu),設(shè)計了 GaN/光敏聚合物復(fù)合結(jié)構(gòu)光波導(dǎo)器件。針對應(yīng)用于光通信窗口的無源光波導(dǎo)器件,設(shè)計分析了 GaN定向耦合器、GaN/摻偶氮苯光敏聚合物復(fù)合周期結(jié)構(gòu)定向耦合器以及中心波長1550nm的陣列波導(dǎo)波分復(fù)用器等無源光波導(dǎo)器件。針對同樣波長下的有源光波導(dǎo)器件,通...
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:77 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
思科全球云指數(shù)數(shù)據(jù)容量預(yù)測[6j
??圖1.2中為該耦合器的俯視圖、輸出端橫截面與實驗測得的輸出端口功率,體現(xiàn)??了?GaN用于實現(xiàn)可切換光子集成電路的應(yīng)用前景。??、—??3???^.丨.一一?—?‘?|?了?^??????if?i??⑷?i.l??PMBM?t?jLJi-??■40?.20?0?*??〇??Prr*>c?displacement?(^un)??(b)?(c)??圖1.2?GaN/AlGaN3dB光波導(dǎo)耦合器丨13】(a)俯視圖(b)輸出端面(c)輸出端功率??2005年,在利用GaN制作簡單耦合器的基礎(chǔ)上,該研宄組嘗試了復(fù)雜度更??高的GaN-AlGaN基陣列波導(dǎo)光柵(Arrayed?Waveguide?Grating,AWG)器件的制作。??將GaN作為陣列波導(dǎo)光柵制作材料的優(yōu)勢在于,傳統(tǒng)Si02波導(dǎo)折射率的調(diào)諧通??常只能通過對每個波導(dǎo)的局部加熱來實現(xiàn),這一過程非常緩慢,因而不適用于光??分組交換。對陣列波導(dǎo)的折射率調(diào)諧,可以實現(xiàn)設(shè)備傳輸函數(shù)的優(yōu)化與光開關(guān)功??能[1 ̄。而GaN波導(dǎo)折射率可由載流子注入過程控制,折射率變化速度在亞納秒??量級[15],遠(yuǎn)高于Si02材料,這使得利用GaN基光波導(dǎo)來實現(xiàn)更高的開關(guān)響應(yīng)速??度與光分組交換成為可能。??麵iW??W?:<■
??圖1.2中為該耦合器的俯視圖、輸出端橫截面與實驗測得的輸出端口功率,體現(xiàn)??了?GaN用于實現(xiàn)可切換光子集成電路的應(yīng)用前景。??、—??3???^.丨.一一?—?‘?|?了?^??????if?i??⑷?i.l??PMBM?t?jLJi-??■40?.20?0?*??〇??Prr*>c?displacement?(^un)??(b)?(c)??圖1.2?GaN/AlGaN3dB光波導(dǎo)耦合器丨13】(a)俯視圖(b)輸出端面(c)輸出端功率??2005年,在利用GaN制作簡單耦合器的基礎(chǔ)上,該研宄組嘗試了復(fù)雜度更??高的GaN-AlGaN基陣列波導(dǎo)光柵(Arrayed?Waveguide?Grating,AWG)器件的制作。??將GaN作為陣列波導(dǎo)光柵制作材料的優(yōu)勢在于,傳統(tǒng)Si02波導(dǎo)折射率的調(diào)諧通??常只能通過對每個波導(dǎo)的局部加熱來實現(xiàn),這一過程非常緩慢,因而不適用于光??分組交換。對陣列波導(dǎo)的折射率調(diào)諧,可以實現(xiàn)設(shè)備傳輸函數(shù)的優(yōu)化與光開關(guān)功??能[1 ̄。而GaN波導(dǎo)折射率可由載流子注入過程控制,折射率變化速度在亞納秒??量級[15],遠(yuǎn)高于Si02材料,這使得利用GaN基光波導(dǎo)來實現(xiàn)更高的開關(guān)響應(yīng)速??度與光分組交換成為可能。??麵iW??W?:<■
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]支撐光網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的硅基光電子技術(shù)研究[J]. 余金中. 物理. 2003(12)
[2]摻鉺光波導(dǎo)放大器的速率方程分析[J]. 陳海燕,劉永智,官周國,黃小莉,張少先. 光學(xué)學(xué)報. 2002(02)
[3]光波導(dǎo)光束傳輸法數(shù)值分析新進(jìn)展[J]. 李安英,楊亞培. 激光技術(shù). 2000(04)
[4]多量子阱波導(dǎo)場的等效折射率近似分析[J]. 張思炯,佘守憲,馬永紅. 量子電子學(xué)報. 1999(05)
博士論文
[1]基于硅基SU-8光波導(dǎo)的微環(huán)諧振器及光電探測器研究[D]. 金里.浙江大學(xué) 2015
[2]功能聚合物光纖器件研究[D]. 邱薇薇.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2013
[3]聚合物光波導(dǎo)的受激輻射特性研究[D]. 張波.北京交通大學(xué) 2012
[4]基于PMMA的聚合物光開關(guān)器件研究[D]. 孫小強(qiáng).吉林大學(xué) 2010
[5]光敏性偶氮苯聚合物波導(dǎo)光柵的制備及其特性[D]. 羅艷華.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
[6]陳列波導(dǎo)光柵的理論建模與優(yōu)化設(shè)計及其實驗研究[D]. 戴道鋅.浙江大學(xué) 2005
[7]寬帶摻Er光波導(dǎo)放大器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 陳海燕.電子科技大學(xué) 2004
碩士論文
[1]聚合物陣列波導(dǎo)光柵的設(shè)計與工藝實驗[D]. 吳飛.華中科技大學(xué) 2005
本文編號:3476293
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:77 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
思科全球云指數(shù)數(shù)據(jù)容量預(yù)測[6j
??圖1.2中為該耦合器的俯視圖、輸出端橫截面與實驗測得的輸出端口功率,體現(xiàn)??了?GaN用于實現(xiàn)可切換光子集成電路的應(yīng)用前景。??、—??3???^.丨.一一?—?‘?|?了?^??????if?i??⑷?i.l??PMBM?t?jLJi-??■40?.20?0?*??〇??Prr*>c?displacement?(^un)??(b)?(c)??圖1.2?GaN/AlGaN3dB光波導(dǎo)耦合器丨13】(a)俯視圖(b)輸出端面(c)輸出端功率??2005年,在利用GaN制作簡單耦合器的基礎(chǔ)上,該研宄組嘗試了復(fù)雜度更??高的GaN-AlGaN基陣列波導(dǎo)光柵(Arrayed?Waveguide?Grating,AWG)器件的制作。??將GaN作為陣列波導(dǎo)光柵制作材料的優(yōu)勢在于,傳統(tǒng)Si02波導(dǎo)折射率的調(diào)諧通??常只能通過對每個波導(dǎo)的局部加熱來實現(xiàn),這一過程非常緩慢,因而不適用于光??分組交換。對陣列波導(dǎo)的折射率調(diào)諧,可以實現(xiàn)設(shè)備傳輸函數(shù)的優(yōu)化與光開關(guān)功??能[1 ̄。而GaN波導(dǎo)折射率可由載流子注入過程控制,折射率變化速度在亞納秒??量級[15],遠(yuǎn)高于Si02材料,這使得利用GaN基光波導(dǎo)來實現(xiàn)更高的開關(guān)響應(yīng)速??度與光分組交換成為可能。??麵iW??W?:<■
??圖1.2中為該耦合器的俯視圖、輸出端橫截面與實驗測得的輸出端口功率,體現(xiàn)??了?GaN用于實現(xiàn)可切換光子集成電路的應(yīng)用前景。??、—??3???^.丨.一一?—?‘?|?了?^??????if?i??⑷?i.l??PMBM?t?jLJi-??■40?.20?0?*??〇??Prr*>c?displacement?(^un)??(b)?(c)??圖1.2?GaN/AlGaN3dB光波導(dǎo)耦合器丨13】(a)俯視圖(b)輸出端面(c)輸出端功率??2005年,在利用GaN制作簡單耦合器的基礎(chǔ)上,該研宄組嘗試了復(fù)雜度更??高的GaN-AlGaN基陣列波導(dǎo)光柵(Arrayed?Waveguide?Grating,AWG)器件的制作。??將GaN作為陣列波導(dǎo)光柵制作材料的優(yōu)勢在于,傳統(tǒng)Si02波導(dǎo)折射率的調(diào)諧通??常只能通過對每個波導(dǎo)的局部加熱來實現(xiàn),這一過程非常緩慢,因而不適用于光??分組交換。對陣列波導(dǎo)的折射率調(diào)諧,可以實現(xiàn)設(shè)備傳輸函數(shù)的優(yōu)化與光開關(guān)功??能[1 ̄。而GaN波導(dǎo)折射率可由載流子注入過程控制,折射率變化速度在亞納秒??量級[15],遠(yuǎn)高于Si02材料,這使得利用GaN基光波導(dǎo)來實現(xiàn)更高的開關(guān)響應(yīng)速??度與光分組交換成為可能。??麵iW??W?:<■
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]支撐光網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的硅基光電子技術(shù)研究[J]. 余金中. 物理. 2003(12)
[2]摻鉺光波導(dǎo)放大器的速率方程分析[J]. 陳海燕,劉永智,官周國,黃小莉,張少先. 光學(xué)學(xué)報. 2002(02)
[3]光波導(dǎo)光束傳輸法數(shù)值分析新進(jìn)展[J]. 李安英,楊亞培. 激光技術(shù). 2000(04)
[4]多量子阱波導(dǎo)場的等效折射率近似分析[J]. 張思炯,佘守憲,馬永紅. 量子電子學(xué)報. 1999(05)
博士論文
[1]基于硅基SU-8光波導(dǎo)的微環(huán)諧振器及光電探測器研究[D]. 金里.浙江大學(xué) 2015
[2]功能聚合物光纖器件研究[D]. 邱薇薇.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2013
[3]聚合物光波導(dǎo)的受激輻射特性研究[D]. 張波.北京交通大學(xué) 2012
[4]基于PMMA的聚合物光開關(guān)器件研究[D]. 孫小強(qiáng).吉林大學(xué) 2010
[5]光敏性偶氮苯聚合物波導(dǎo)光柵的制備及其特性[D]. 羅艷華.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
[6]陳列波導(dǎo)光柵的理論建模與優(yōu)化設(shè)計及其實驗研究[D]. 戴道鋅.浙江大學(xué) 2005
[7]寬帶摻Er光波導(dǎo)放大器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 陳海燕.電子科技大學(xué) 2004
碩士論文
[1]聚合物陣列波導(dǎo)光柵的設(shè)計與工藝實驗[D]. 吳飛.華中科技大學(xué) 2005
本文編號:3476293
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3476293.html
最近更新
教材專著