近年來,隨著人工智能的發(fā)展,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建成為研究的熱點。突觸是人腦中各神經(jīng)元之間在功能上發(fā)生聯(lián)系的部位,也是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中信息傳遞的關(guān)鍵部位。因此研發(fā)能夠模擬生物突觸功能的電子器件成為構(gòu)建人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的重要基礎(chǔ)。作為一種新興的電子元件,憶阻器在結(jié)構(gòu)和傳輸機理方面與神經(jīng)突觸具有高度的相似性,使其在神經(jīng)突觸仿生領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用前景。憶阻器根據(jù)其阻變行為可劃分為模擬型和數(shù)字型。其中模擬型憶阻器以其阻變的連續(xù)可調(diào)和非線性傳輸特性被廣泛用于神經(jīng)突觸的仿生模擬,被認為是實現(xiàn)人工突觸的候選者之一。而數(shù)字型憶阻器以其較大的電阻變化率和較快的阻變速度也在實現(xiàn)突觸的多樣性和精確模擬突觸功能方面具有一定的應(yīng)用價值。然而后者由于阻變離散且阻態(tài)不能隨著電壓施加連續(xù)可調(diào),限制了其在模擬神經(jīng)突觸方面的進一步發(fā)展。為解決上述問題,本論文基于Ag/AIST/a-C/Pt結(jié)構(gòu)的數(shù)字型憶阻器,通過簡單的電路設(shè)計,獲得了在特定的信號調(diào)節(jié)下連續(xù)可調(diào)的電阻態(tài),并在此基礎(chǔ)上成功實現(xiàn)了生物突觸的基礎(chǔ)學習和高階學習功能仿生模擬。具體工作如下:制備了Ag/AIST/a-C/Pt結(jié)構(gòu)的憶阻器件,電學測試表明該憶阻器具有穩(wěn)定的阻變特性。... 

【文章來源】：東北師范大學吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 憶阻器簡介
        1.1.1 憶阻器的概念
        1.1.2 憶阻器的模型
        1.1.3 憶阻器的應(yīng)用
    1.2 數(shù)字型憶阻器
        1.2.1 數(shù)字型憶阻器的阻變行為模式
        1.2.2 數(shù)字型憶阻器的阻變原理
    1.3 神經(jīng)突觸
        1.3.1 神經(jīng)突觸簡介
        1.3.2 神經(jīng)突觸仿生
    1.4 憶阻器件的神經(jīng)突觸仿生研究的現(xiàn)狀
    1.5 本論文選題內(nèi)容與研究意義
第二章 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的阻變行為研究
    2.1 簡述
    2.2 Ag/AgInSbTe/α-C/Ag器件的制備與表征
        2.2.1 器件制作過程
        2.2.2 器件的表征
    2.3 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的阻變行為及其機理
        2.3.1 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的基本阻變行為
        2.3.2 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的阻變機理
    2.4 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的多級存儲行為
        2.4.1 限制電流調(diào)節(jié)Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的阻變行為
        2.4.2 電壓幅值調(diào)節(jié)Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的阻變行為
    2.5 電學測試儀器
    2.6 本章小結(jié)
第三章 Ag/AgInSbTe/α-C/Pt器件的神經(jīng)突觸功能模擬
    3.1 簡述
    3.2 晶體管/憶阻器串聯(lián)電路
    3.3 突觸基礎(chǔ)學習功能模擬
        3.3.1 電路與型號設(shè)計
        3.3.2 模擬結(jié)果
    3.4 聯(lián)合式學習模擬
        3.4.1 巴普洛夫狗實驗
        3.4.2 電路及信號設(shè)計
        3.4.3 實驗模擬
    3.5 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)
參考文獻
致謝
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【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3473914