基于集成光子學(xué)的相控陣?yán)走_(dá)中的關(guān)鍵技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-11-02 19:58
相控陣?yán)走_(dá)由于其快的波束掃描速度,高的探測靈敏度等性能而得到了廣泛的應(yīng)用。但是由于傳統(tǒng)相控陣?yán)走_(dá)相對(duì)窄的工作帶寬,使其難以滿足復(fù)雜環(huán)境下的雷達(dá)性能要求。采用光學(xué)真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)代替?zhèn)鹘y(tǒng)移相網(wǎng)絡(luò),能夠有效提高雷達(dá)的瞬時(shí)帶寬,消除雷達(dá)在寬帶信號(hào)下的波束偏斜效應(yīng)。然而對(duì)于一個(gè)大規(guī)模二維相控陣?yán)走_(dá),基于傳統(tǒng)分立器件搭建的光學(xué)真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)依舊不能解決系統(tǒng)復(fù)雜、體積龐大等問題。而基于集成光子學(xué)技術(shù)的光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)能夠極大減小系統(tǒng)體積,降低復(fù)雜度,為相控陣?yán)走_(dá)未來的發(fā)展開拓了新的道路。本文對(duì)基于集成光子學(xué)的相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的關(guān)鍵問題與關(guān)鍵技術(shù)做了分析與研究,重點(diǎn)解決其實(shí)用性、穩(wěn)定性、可控性等方面的問題。論文從光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)的基礎(chǔ),光載射頻鏈路出發(fā),對(duì)鏈路模型和性能指標(biāo)進(jìn)行了理論推導(dǎo)。然后分析了光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)的基本原理和真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)對(duì)雷達(dá)系統(tǒng)性能的影響。并據(jù)此提出了一種基于硅基集成二進(jìn)制時(shí)延線的二維相控陣真時(shí)延網(wǎng)絡(luò),該時(shí)延網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜度低至(N-1)/2(N為奇數(shù)時(shí))或N/2(若N為偶數(shù))。在理論分析了光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)的可行性的基礎(chǔ)上,有效的控制系統(tǒng)也是其功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵問題。本文結(jié)合提出的真時(shí)延網(wǎng)絡(luò),設(shè)計(jì)了相應(yīng)...
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:86 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
Abstract
縮寫、符號(hào)清單、術(shù)語表
1 緒論
1.1 光控相控陣?yán)走_(dá)簡介
1.2 光控相控陣?yán)走_(dá)研究現(xiàn)狀
1.2.1 OTTDN研究現(xiàn)狀
1.2.2 集成光子學(xué)相控陣研究現(xiàn)狀
1.3 課題的研究背景、主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
1.3.1 研究的背景及意義
1.3.2 研究的主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
1.3.3 全文安排
2 光載射頻鏈路
2.1 ROF鏈路的理論模型
2.1.1 直接調(diào)制鏈路
2.1.2 間接調(diào)制鏈路
2.2 ROF鏈路的主要器件
2.2.1 光源
2.2.2 電光調(diào)制器
2.2.3 光電探測器
2.3 ROF鏈路的性能指標(biāo)
2.3.1 鏈路增益
2.3.2 鏈路噪聲系數(shù)
2.3.3 鏈路無雜散動(dòng)態(tài)范圍
2.4 本章小結(jié)
3 硅基集成真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)
3.1 光學(xué)相控陣天線
3.1.1 傳統(tǒng)移相網(wǎng)絡(luò)的原理與不足
3.1.2 光學(xué)真時(shí)延相控陣天線
3.2 硅基OTTDN的原理
3.2.1 硅基二進(jìn)制時(shí)延線原理
3.2.2 硅基OTTDN拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
3.2.3 二維陣列天線波束指向
3.3 硅基OTTDN的性能分析與設(shè)計(jì)
3.3.1 硅基OTTDN的精度
3.3.2 硅基OTTDN的復(fù)雜度
3.3.3 硅基OTTDN的參數(shù)設(shè)計(jì)
3.4 本章小結(jié)
4 真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)
4.1 BISODL光電結(jié)構(gòu)
4.1.1 MZI熱電極設(shè)置
4.1.2 7比特BISODL的光電結(jié)構(gòu)
4.2 控制系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
4.2.1 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)控制總體方案
4.2.2 各控制模塊硬件實(shí)現(xiàn)方式
4.3 控制軟件算法設(shè)計(jì)
4.4 本章小結(jié)
5 同時(shí)多波束光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)
5.1 同時(shí)多波束光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)結(jié)構(gòu)
5.1.1 同時(shí)多波束8×8相控陣接收機(jī)
5.1.2 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
5.2 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)測試分析
5.3 波束掃描性能分析
5.4 本章小節(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 全文總結(jié)
6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
作者簡歷
發(fā)表文章目錄
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]寬帶相控陣?yán)走_(dá)孔徑渡越現(xiàn)象研究[J]. 仇光鋒,朱力. 中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào). 2010(04)
本文編號(hào):3472302
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:86 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
Abstract
縮寫、符號(hào)清單、術(shù)語表
1 緒論
1.1 光控相控陣?yán)走_(dá)簡介
1.2 光控相控陣?yán)走_(dá)研究現(xiàn)狀
1.2.1 OTTDN研究現(xiàn)狀
1.2.2 集成光子學(xué)相控陣研究現(xiàn)狀
1.3 課題的研究背景、主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
1.3.1 研究的背景及意義
1.3.2 研究的主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
1.3.3 全文安排
2 光載射頻鏈路
2.1 ROF鏈路的理論模型
2.1.1 直接調(diào)制鏈路
2.1.2 間接調(diào)制鏈路
2.2 ROF鏈路的主要器件
2.2.1 光源
2.2.2 電光調(diào)制器
2.2.3 光電探測器
2.3 ROF鏈路的性能指標(biāo)
2.3.1 鏈路增益
2.3.2 鏈路噪聲系數(shù)
2.3.3 鏈路無雜散動(dòng)態(tài)范圍
2.4 本章小結(jié)
3 硅基集成真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)
3.1 光學(xué)相控陣天線
3.1.1 傳統(tǒng)移相網(wǎng)絡(luò)的原理與不足
3.1.2 光學(xué)真時(shí)延相控陣天線
3.2 硅基OTTDN的原理
3.2.1 硅基二進(jìn)制時(shí)延線原理
3.2.2 硅基OTTDN拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
3.2.3 二維陣列天線波束指向
3.3 硅基OTTDN的性能分析與設(shè)計(jì)
3.3.1 硅基OTTDN的精度
3.3.2 硅基OTTDN的復(fù)雜度
3.3.3 硅基OTTDN的參數(shù)設(shè)計(jì)
3.4 本章小結(jié)
4 真時(shí)延網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)
4.1 BISODL光電結(jié)構(gòu)
4.1.1 MZI熱電極設(shè)置
4.1.2 7比特BISODL的光電結(jié)構(gòu)
4.2 控制系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
4.2.1 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)控制總體方案
4.2.2 各控制模塊硬件實(shí)現(xiàn)方式
4.3 控制軟件算法設(shè)計(jì)
4.4 本章小結(jié)
5 同時(shí)多波束光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)
5.1 同時(shí)多波束光學(xué)相控陣?yán)走_(dá)結(jié)構(gòu)
5.1.1 同時(shí)多波束8×8相控陣接收機(jī)
5.1.2 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
5.2 時(shí)延網(wǎng)絡(luò)測試分析
5.3 波束掃描性能分析
5.4 本章小節(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 全文總結(jié)
6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
作者簡歷
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]寬帶相控陣?yán)走_(dá)孔徑渡越現(xiàn)象研究[J]. 仇光鋒,朱力. 中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào). 2010(04)
本文編號(hào):3472302
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