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基于黑磷量子點(diǎn)材料的光電探測器研究

發(fā)布時(shí)間:2021-11-02 15:24
  量子.點(diǎn)(quantum dots:QDs)材料具有強(qiáng)烈的光吸收、超快電荷分離、,尺寸可調(diào)和可溶液處理等優(yōu)異特性,使其在低成本高靈敏度的光電探測器領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。量子點(diǎn)能夠與導(dǎo)體或半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的相容性和優(yōu)異的電荷分離能力,使其成為開發(fā)下一代高性能光電器件的潛在候選者。高響應(yīng)的量子點(diǎn)光電探測器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)紫外、可見、紅外的寬光譜檢測,為半導(dǎo)體與高性能器件的集成提供了機(jī)遇。黑磷量子點(diǎn).(Black Phosphorus quantum dots:BPQDs)具有較高的空穴遷移率和成熟的制備工藝,在光子和光電領(lǐng)域已被廣泛用于增強(qiáng)光采集、光子轉(zhuǎn)換、光子吸收等;贐PQDs的光電探測器未被廣泛報(bào)道,限制了其在光電探測領(lǐng)域的應(yīng)用。本論文研究了量子點(diǎn)-石墨烯場效應(yīng)晶體管制備工藝,并設(shè)計(jì)了有機(jī)物增強(qiáng)型的量子點(diǎn)摻雜結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)增強(qiáng)型的雙量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)。對制備的器件進(jìn)行光學(xué)性能和電學(xué)性能的表征,并對其光電流傳輸機(jī)制和器件的性能進(jìn)行探討,為BPQDs探測器的應(yīng)用提供了新的研究方向。本論文采用濕法轉(zhuǎn)移單層石墨烯的工藝進(jìn)行橫向結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)光電探測器的制備;赑N異質(zhì)結(jié)理論,選取N型電子... 

【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:87 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 量子點(diǎn)概述
        1.2.1 量子點(diǎn)的物理性質(zhì)
        1.2.2 量子點(diǎn)的發(fā)光性質(zhì)
        1.2.3 量子點(diǎn)的制備和表征方法
    1.3 量子點(diǎn)光電探測器概述
        1.3.1 光電探測技術(shù)
        1.3.2 光電探測器參數(shù)
        1.3.3 量子點(diǎn)光電探測器工作原理
        1.3.4 量子點(diǎn)光電探測器的結(jié)構(gòu)
    1.4 量子點(diǎn)光電探測器的研究現(xiàn)狀
    1.5 選題背景與研究內(nèi)容
        1.5.1 選題依據(jù)與意義
        1.5.2 研究內(nèi)容
第二章 量子點(diǎn)光電探測器的制備與表征
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)原料與設(shè)備
    2.3 量子點(diǎn)薄膜的制備與表征
    2.4 石墨烯為通道的光電探測器的制備與表征
        2.4.1 機(jī)械剝離法制備石墨烯光電探測器
        2.4.2 濕法轉(zhuǎn)移制備石墨烯光電探測器
        2.4.3 金屬電極的制備
    2.5 量子點(diǎn)-石墨烯光電探測器的表征
    2.6 本章小結(jié)
第三章 有機(jī)物增強(qiáng)型量子點(diǎn)光電探測器的制備與特性研究
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)材料及表征
    3.3 PC_(61)BM-BPQDs光伏型探測器的制備
    3.4 PC_(61)BM-BPQDs光伏型探測器的測試
    3.5 PC_(61)BM-BPQDs光伏型探測器性能的研究
    3.6 PC_(61)BM-BPQDs光伏型探測器影響因素分析
        3.6.1 PC_(61)BM的摻雜濃度對性能的影響
        3.6.2 溝道電極的尺寸對性能的影響
    3.7 本章小結(jié)
第四章 雙量子點(diǎn)增強(qiáng)型光電探測器的制備與特性研究
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)材料的表征
    4.3 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器的制備
    4.4 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器的測試
    4.5 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器性能的研究
        4.5.1 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器電學(xué)性能的研究
        4.5.2 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器光電性能研究
    4.6 PbS QDs-BPQDs光電導(dǎo)型探測器性能影響因素分析
        4.6.1 石墨烯導(dǎo)電通道對性能的影響
        4.6.2 溝道電極尺寸對性能的影響
        4.6.3 氧氣對性能的影響
    4.7 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號:3472087

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