基于非微擾量子電動力學的頻域理論,研究了原子在不同頻率雙色激光場中的閾上電離過程。當兩個激光場的頻率均遠低于原子電離勢時,閾上電離譜來自大量通道的干涉結果,兩個激光場在電離過程中起到相同的作用。隨著激光頻率的增加,閾上電離譜逐漸呈現(xiàn)多平臺結構,不同平臺對應電子吸收不同高頻光子的過程。當一個激光場的單個光子能量遠大于原子電離勢時,兩個激光場在電離過程中起到不同的作用,高頻激光場決定原子的電離概率,低頻激光場決定原子閾上電離譜每個平臺的寬度,且平臺寬度可以很好地用能量守恒公式給出。 

【文章來源】：激光與光電子學進展. 2020,57(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

原子在不同激光場頻率下的閾上電離譜。（a）ω2=2ω1;(b）ω2=4ω1;(c）ω2=6ω1;(d）ω2=10ω1;(e）ω2=20ω1;(f）ω2=30ω1

為分析兩個激光在電離過程中的作用，圖3給出了不同激光場強度下的閾上電離譜。從圖3(a）和3(b）看到，當兩個激光場的頻率均遠低于原子電離勢時，無論是第一個還是第二個激光場強度增加，電離概率均隨之增加。這表明兩個低頻激光場在電離過程中起到幾乎相同的作用。從圖3(c）和3(d）發(fā)現(xiàn)，當其中一個激光場的單個光子能量遠大于原子電離勢時，閾上電離譜中每個平臺的寬度隨著第一個激光場強度的增加而增加，而電離概率隨著第二個激光場強度的增加而增大。這表明兩個激光場在電離過程中起到不同的作用，其中第一個激光場（低頻激光場）的激光強度決定平臺的寬度，第二個激光場（高頻激光場）的激光強度決定電離概率。圖3 不同激光場強度下的閾上電離譜。（a）ω2=2ω1,I2=1.0×1013 W·cm-2;(b）ω2=2ω1,I1=1.0×1013 W·cm-2;(c）ω2=30ω1,I2=1.0×1013 W·cm-2;(d）ω2=30ω1,I1=1.0×1013 W·cm-2

圖2 電子從第二個激光場中吸收不同光子數(shù)的通道貢獻。（a）ω2=2ω1;(b）ω2=10ω1;(c）ω2=30ω1分析（5）式中的廣義貝塞爾函數(shù)，當?shù)诙䝼�激光場中的單個光子能量遠大于電離勢時，得到電子在電離過程中滿足的能量方程[20]為


本文編號：3471594