隨著芯片的核心單元——器件尺寸的進(jìn)一步降低,傳統(tǒng)平面體硅MOS器件受到短溝道效應(yīng)的挑戰(zhàn)愈發(fā)嚴(yán)峻,生產(chǎn)率和性能均無法按照摩爾定律繼續(xù)提升。全耗盡絕緣層上硅（FDSOI）器件以其短溝道效應(yīng)小,寄生電容小,抗輻照性能好,動態(tài)多閾值,可徹底消除閂鎖效應(yīng)等優(yōu)勢,成為28 nm節(jié)點之后的低壓低功耗核心器件。然而,FDSOI器件結(jié)構(gòu)中,由于埋氧層（BOX）的熱導(dǎo)率極低（1.4 W/m·K）,幾乎是體硅（148 W/m·K）的1%,BOX層嚴(yán)重阻礙了器件的熱傳導(dǎo)。尤其當(dāng)絕緣層上硅（SOI）的厚度很薄時,SOI的熱導(dǎo)率也遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的體硅,器件的自熱效應(yīng)十分嚴(yán)重。此外,器件特征尺寸不斷縮小造成半導(dǎo)體器件受單粒子效應(yīng)的影響日益顯著。器件對輻射更加敏感,設(shè)備在輻射環(huán)境中的失效概率逐漸升高。因此,研究器件單粒子效應(yīng)的需求日益加劇。本論文研究了一種與FDSOI工藝兼容,且可減輕器件自熱效應(yīng)的選擇性埋氧（SELBOX）器件。針對該器件,本論文分別從自熱效應(yīng)、直流特性以及單粒子瞬態(tài)特性等方面展開深入研究。具體研究內(nèi)容及結(jié)果如下:第一,利用Sentaurus TCAD工具完成了SELBOX器件和FDSOI器件自熱效應(yīng)的... 

【文章來源】：華東師范大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀分析
        1.2.1 國外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 選題意義與研究內(nèi)容
        1.3.1 論文選題及意義
        1.3.2 主要內(nèi)容與結(jié)構(gòu)
第二章 SELBOX器件自熱效應(yīng)研究
    2.1 SELBOX工藝流程
    2.2 器件結(jié)構(gòu)定義
    2.3 器件的自熱效應(yīng)
        2.3.1 n-BP SELBOX的自熱效應(yīng)
        2.3.2 p-BP SELBOX的自熱效應(yīng)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 背板摻雜及BOX窗口對SELBOX直流特性的影響
    3.1 直流特性基本參數(shù)
    3.2 n-BP SELBOX器件的直流特性及分析
        3.2.1 n-BP SELBOX器件的直流特性
        3.2.2 結(jié)果分析
        結(jié)論
    3.3 p-BP SELBOX器件的直流特性及分析
        3.3.1 p-BP SELBOX器件的直流特性
        3.3.2 結(jié)果分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 SELBOX器件的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)
    4.1 單粒子瞬態(tài)效應(yīng)模型
    4.2 n-BP SELBOX器件的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)及分析
        4.2.1 n-BP SELBOX器件的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)
        4.2.2 結(jié)果分析
    4.3 p-BP SELBOX器件的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)及分析
        4.3.1 p-BP SELBOX器件的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)
        4.3.2 結(jié)果分析
    4.4 反相器單粒子效應(yīng)的模擬仿真
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
碩士在讀期間科研成果
致謝



本文編號：3468560