摻鋁氧化鋅（AZO）透明導(dǎo)電薄膜是一種新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有透過率高、電阻率低的特點(diǎn),因而在光電子器件中有廣泛應(yīng)用。本文采用射頻磁控濺射法（RF-MS）分別在石英玻璃和PET基底上制備了AZO透明導(dǎo)電薄膜,研究了工藝參數(shù)對薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。此外,首次研究了長時(shí)間紫外線照射對石英玻璃基底和PET柔性基底AZO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。主要研究結(jié)果如下:改變樣品制備過程中的射頻功率、Ar氣壓、沉積時(shí)間、沉積溫度、基底轉(zhuǎn)速等工藝參數(shù),利用XRD、SEM、XPS、UV-vis、四探針測試儀等設(shè)備對樣品進(jìn)行測試分析,研究了工藝參數(shù)對AZO透明導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。不同工藝參數(shù)和不同基底材料的樣品,在2θ=34.4°附近均具有明顯的c軸擇優(yōu)取向。當(dāng)射頻功率為120W時(shí),薄膜可見光透過率最高接近75%,平均晶粒尺寸最大為26.8nm。薄膜結(jié)晶質(zhì)量隨Ar氣壓的增加而先改善后惡化,結(jié)晶質(zhì)量在Ar氣壓為0.8Pa時(shí)最優(yōu),此時(shí)薄膜方阻最小為8.2Ω/□。適當(dāng)延長沉積時(shí)間對薄膜結(jié)晶質(zhì)量有很大的改善作用,當(dāng)沉積時(shí)間小于90min時(shí),薄膜在可見光區(qū)域的透過率均超過85%。較高溫度對薄膜結(jié)晶有... 

【文章來源】：武漢紡織大學(xué)湖北省

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 ZnO的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
        1.2.1 ZnO的結(jié)構(gòu)
        1.2.2 ZnO的性質(zhì)
    1.3 ZnO透明導(dǎo)電薄膜的研究進(jìn)展
        1.3.1 AZO透明導(dǎo)電薄膜的研究進(jìn)展
        1.3.2 其他摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜研究進(jìn)展
        1.3.3 AZO薄膜的應(yīng)用
    1.4 本論文的研究目的和內(nèi)容安排
2 AZO透明導(dǎo)電薄膜的制備和表征
    2.1 AZO透明導(dǎo)電薄膜的制備
        2.1.1 薄膜制備方法
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及材料
        2.1.3 AZO薄膜制備工藝流程
    2.2 AZO薄膜的表征
        2.2.1 薄膜結(jié)構(gòu)及成分表征
        2.2.2 薄膜光學(xué)和電學(xué)性能表征
    2.3 本章小結(jié)
3 工藝參數(shù)對AZO薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響
    3.1 引言
    3.2 工藝參數(shù)對AZO薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響
        3.2.1 射頻功率的影響
        3.2.2 Ar氣壓的影響
        3.2.3 沉積時(shí)間的影響
        3.2.4 沉積溫度的影響
        3.2.5 基底轉(zhuǎn)速的影響
    3.3 本章小結(jié)
4 紫外輻射對AZO薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響
    4.1 引言
    4.2 紫外輻射對AZO薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
        4.2.1 紫外輻射對玻璃基底AZO薄膜的影響
        4.2.2 紫外輻射對PET基底AZO薄膜的影響
    4.3 本章小結(jié)
5 結(jié)論
    5.1 主要結(jié)論
    5.2 需進(jìn)一步研究的內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
附錄
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]AZO薄膜表面織構(gòu)機(jī)理和表面織構(gòu)均勻性的研究[D]. 薛進(jìn)奎.鄭州大學(xué) 2011



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