2.5D和3D集成電路綁定前轉(zhuǎn)接板和綁定后TSVs測(cè)試策略
發(fā)布時(shí)間:2021-10-23 08:13
以TSVs(Through Silicon Vias)為核心的2.5D/3D集成技術(shù)極大地減少了堆疊芯片中的互連線長(zhǎng)度,使芯片的集成密度和帶寬均得到了提高,并降低了系統(tǒng)功耗。與傳統(tǒng)的二維集成電路相比,2.5D/3D集成電路具有低延時(shí)、低功耗和高寬帶等優(yōu)點(diǎn)。然而由于2.5D/3D集成電路的高密度集成,使得2.5D/3D集成電路在制造過(guò)程中更容易引入故障。例如,由于2.5D集成電路綁定前轉(zhuǎn)接板上的互連線密度很大,互連線的故障率很高,而任一互連線出現(xiàn)開(kāi)路或短路故障都會(huì)造成整個(gè)電路的失效。此外2.5D/3D集成電路綁定后由于TSVs密度大,則TSVs之間產(chǎn)生串?dāng)_故障的可能性極大,一旦產(chǎn)生串?dāng)_故障,則整個(gè)集成電路也會(huì)無(wú)法正常工作。因而為提高2.5D/3D集成電路的成品率,需要研究并提供低成本、高故障覆蓋率的測(cè)試方法。本文針對(duì)2.5D集成電路綁定前轉(zhuǎn)接板測(cè)試,以及2.5D/3D集成電路綁定后的TSVs測(cè)試提出了有效的解決方案,主要工作如下:1.提出了基于輔助轉(zhuǎn)接板和熔絲的2.5D集成電路綁定前轉(zhuǎn)接板測(cè)試策略。通過(guò)在輔助轉(zhuǎn)接板上布置熔絲和導(dǎo)線,然后再將輔助轉(zhuǎn)接板與待測(cè)試轉(zhuǎn)接板連接,在僅使用一塊輔助轉(zhuǎn)...
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 研究背景和意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 文章內(nèi)容概述和結(jié)構(gòu)安排
第二章 2.5D/3D-IC及其測(cè)試技術(shù)概述
2.1 2.5D與3D-IC概述
2.1.1 2.5D IC概述
2.1.2 3D IC概述
2.1.3 TSVs和轉(zhuǎn)接板技術(shù)
2.2 2.5D IC測(cè)試技術(shù)概述
2.2.1 2.5D IC測(cè)試挑戰(zhàn)
2.2.2 2.5D IC綁定前測(cè)試
2.2.3 2.5D IC綁定中測(cè)試
2.2.4 2.5D IC綁定后測(cè)試
2.3 3D IC測(cè)試技術(shù)概述
2.3.1 3D IC測(cè)試挑戰(zhàn)
2.3.2 3D IC綁定前測(cè)試
2.3.3 3D IC綁定中測(cè)試
2.3.4 3D IC綁定后測(cè)試
第三章 基于輔助轉(zhuǎn)接板和熔絲的2.5D集成電路綁定前測(cè)試策略
3.1 引言
3.2 測(cè)試策略
3.2.1 待測(cè)試轉(zhuǎn)接板中的線網(wǎng)分組策略
3.2.2 分組間熔絲連接策略
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 TSVs串?dāng)_故障分組測(cè)試和診斷策略
4.1 引言
4.2 TSVs分組算法
4.3 串?dāng)_故障測(cè)試架構(gòu)
4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析
4.4.1 TSVs分組算法分析
4.4.2 測(cè)試架構(gòu)硬件開(kāi)銷分析
4.4.3 TSVs測(cè)試和診斷時(shí)間分析
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 總結(jié)
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)活動(dòng)及成果情況
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種3D堆疊集成電路中間綁定測(cè)試時(shí)間優(yōu)化方案[J]. 常郝,梁華國(guó),蔣翠云,歐陽(yáng)一鳴,徐輝. 電子學(xué)報(bào). 2015(02)
[2]3D IC集成與硅通孔(TSV)互連[J]. 童志義. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(03)
[3]SoC測(cè)試的發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn)——安捷倫科技93000 SoC測(cè)試系統(tǒng)的解決方案[J]. 楊廣宇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(03)
博士論文
[1]三維集成電路測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 常郝.合肥工業(yè)大學(xué) 2015
本文編號(hào):3452821
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
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第一章 緒論
1.1 研究背景和意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 文章內(nèi)容概述和結(jié)構(gòu)安排
第二章 2.5D/3D-IC及其測(cè)試技術(shù)概述
2.1 2.5D與3D-IC概述
2.1.1 2.5D IC概述
2.1.2 3D IC概述
2.1.3 TSVs和轉(zhuǎn)接板技術(shù)
2.2 2.5D IC測(cè)試技術(shù)概述
2.2.1 2.5D IC測(cè)試挑戰(zhàn)
2.2.2 2.5D IC綁定前測(cè)試
2.2.3 2.5D IC綁定中測(cè)試
2.2.4 2.5D IC綁定后測(cè)試
2.3 3D IC測(cè)試技術(shù)概述
2.3.1 3D IC測(cè)試挑戰(zhàn)
2.3.2 3D IC綁定前測(cè)試
2.3.3 3D IC綁定中測(cè)試
2.3.4 3D IC綁定后測(cè)試
第三章 基于輔助轉(zhuǎn)接板和熔絲的2.5D集成電路綁定前測(cè)試策略
3.1 引言
3.2 測(cè)試策略
3.2.1 待測(cè)試轉(zhuǎn)接板中的線網(wǎng)分組策略
3.2.2 分組間熔絲連接策略
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 TSVs串?dāng)_故障分組測(cè)試和診斷策略
4.1 引言
4.2 TSVs分組算法
4.3 串?dāng)_故障測(cè)試架構(gòu)
4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析
4.4.1 TSVs分組算法分析
4.4.2 測(cè)試架構(gòu)硬件開(kāi)銷分析
4.4.3 TSVs測(cè)試和診斷時(shí)間分析
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 總結(jié)
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)活動(dòng)及成果情況
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種3D堆疊集成電路中間綁定測(cè)試時(shí)間優(yōu)化方案[J]. 常郝,梁華國(guó),蔣翠云,歐陽(yáng)一鳴,徐輝. 電子學(xué)報(bào). 2015(02)
[2]3D IC集成與硅通孔(TSV)互連[J]. 童志義. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(03)
[3]SoC測(cè)試的發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn)——安捷倫科技93000 SoC測(cè)試系統(tǒng)的解決方案[J]. 楊廣宇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(03)
博士論文
[1]三維集成電路測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 常郝.合肥工業(yè)大學(xué) 2015
本文編號(hào):3452821
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