研究設(shè)計(jì)和制備了中心波長為1 064 nm的45°多層膜反射鏡,通過數(shù)值仿真結(jié)合實(shí)驗(yàn),對薄膜中節(jié)瘤缺陷引起的電場增強(qiáng)效應(yīng)及其對薄膜抗激光損傷性能的影響進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:當(dāng)1 064 nm激光從右至左45°斜入射時,電場增強(qiáng)效應(yīng)主要出現(xiàn)在節(jié)瘤缺陷的表層及其左側(cè)輪廓中部,電場增強(qiáng)效應(yīng)隨節(jié)瘤缺陷尺寸增大而增強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)上,在清潔的基板表面噴布單分散SiO₂微球作為人工節(jié)瘤種子,采用電子束蒸發(fā)制備法完成多層全反膜的制備,采用R-on-1方式對薄膜樣品進(jìn)行激光損傷測試。結(jié)果表明,薄膜的損傷閾值隨著節(jié)瘤缺陷尺寸增加而減小。通過綜合分析電場增強(qiáng)效應(yīng)、薄膜損傷測試結(jié)果及損傷形貌特征得出,薄膜損傷閾值降低是由于節(jié)瘤缺陷和薄膜中微缺陷共同作用的結(jié)果。 

【文章來源】：強(qiáng)激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3452115