發(fā)布時(shí)間：2021-10-22 06:39

　　AlGaN基深紫外發(fā)光二極管（DUV-LED）作為一種新型的紫外固態(tài)光源,具有體積小、功耗低、壽命長(zhǎng)、波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)等諸多優(yōu)點(diǎn)。高性能的DUV-LED在殺菌消毒、醫(yī)療健康、保密通信等民用、軍事領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。目前獲得AlGaN基DUV-LED的主要辦法是采用藍(lán)寶石作為襯底,通過異質(zhì)外延生長(zhǎng)來實(shí)現(xiàn)。由于外延材料和藍(lán)寶石襯底間的晶格失配、熱失配效應(yīng)以及高Al組分AlGaN材料強(qiáng)烈的氣相預(yù)反應(yīng)等因素,外延生長(zhǎng)得到的AlGaN材料中存在大量的位錯(cuò)(¹0⁹ cm^-2)。這些位錯(cuò)到達(dá)量子阱有源區(qū),會(huì)形成非輻射復(fù)合中心,導(dǎo)致了AlGaN基DUV-LED內(nèi)量子效率偏低。利用金屬納米結(jié)構(gòu)局域表面等離激元（LSPs）共振耦合可以有效提高量子阱區(qū)域的光子態(tài)密度,降低激子被缺陷捕獲的概率,是當(dāng)前增強(qiáng)DUV-LED內(nèi)量子效率的研究熱點(diǎn)。本文圍繞Al納米結(jié)構(gòu)LSPs共振提升深紫外LED量子阱內(nèi)量子效率展開研究:本論文創(chuàng)新性的提出了采用Al/SiO₂復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)深紫外波段的LSPs共振。通過FDTD模擬,仿真計(jì)算了AlGa... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：66 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

（a）紫外LED和紫外汞燈的性能比較

圖 1-2AlGaN 基 DUV-LED 結(jié)構(gòu)示意圖[7]aN 基 DUV-LED 的技術(shù)瓶頸AlGaN 基 DUV-LED 在過去的十幾年時(shí)間里取得了很大的進(jìn)步，但與D 相比，其器件效率仍舊偏低。同時(shí)，各研究機(jī)構(gòu)報(bào)道的 DUV-LED普遍低于 5%[8, 10]，如圖 1-3 所示。其主要原因可以概括為以下兩點(diǎn)

圖 1-2AlGaN 基 DUV-LED 結(jié)構(gòu)示意圖[7]N 基 DUV-LED 的技術(shù)瓶頸lGaN 基 DUV-LED 在過去的十幾年時(shí)間里取得了很大的進(jìn)步， 相比，其器件效率仍舊偏低。同時(shí)，各研究機(jī)構(gòu)報(bào)道的 DUV普遍低于 5%[8, 10]，如圖 1-3 所示。其主要原因可以概括為以下

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于納米球刻蝕的銀納米顆粒陣列和有序納米殼層的制備[J]. 劉斌斌,肖湘衡,吳偉,任峰,蔣昌忠.  武漢大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2011(03)

博士論文
[1]AlGaN基深紫外LED的MOCVD外延生長(zhǎng)[D]. 李洋.華中科技大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3450573