發(fā)布時(shí)間：2021-10-20 13:04

　　近年來(lái),量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLEDs）由于其具有寬激發(fā)光譜、窄發(fā)射光譜、發(fā)光波長(zhǎng)隨尺寸可調(diào)、光熱穩(wěn)定性較高以及高電子遷移率等獨(dú)特的特性,在顯示和照明領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。在過(guò)去的二十幾年中,QLED器件的性能有了很大的提高,而器件壽命也逐漸引起更多的關(guān)注。本文主要對(duì)QLED器件的穩(wěn)定性問(wèn)題進(jìn)行了研究,分析了外界空氣和載流子動(dòng)態(tài)特性對(duì)器件壽命的影響,并在兩種影響因素的基礎(chǔ)上對(duì)器件的性能進(jìn)行提升。首先,在外界環(huán)境和內(nèi)部載流子動(dòng)態(tài)兩方面對(duì)QLED器件老化機(jī)制進(jìn)行了研究。外界環(huán)境方面,利用相同條件下制備的器件在老化測(cè)試前在空氣中分別為放置20/40/60 min,器件初始亮度以及老化初始過(guò)程亮度的增大幅度均有顯著的提升,在時(shí)長(zhǎng)為60 min時(shí)提升效果最大。內(nèi)部載流子動(dòng)態(tài)方面,通過(guò)改變壽命測(cè)試外加電流大小及在器件老化前外加一定時(shí)長(zhǎng)的反向電壓研究了載流子注入強(qiáng)度和電子自發(fā)傳遞對(duì)器件壽命的影響。結(jié)果表明,載流子過(guò)量注入和由于自發(fā)傳遞導(dǎo)致的量子點(diǎn)帶電效應(yīng)對(duì)器件的穩(wěn)定性有很大的負(fù)面影響。然后,基于老化機(jī)制的研究對(duì)器件的性能進(jìn)行優(yōu)化。對(duì)于空氣對(duì)器件亮度的提升作用,推測(cè)是由于水汽對(duì)量子點(diǎn)缺陷態(tài)鈍化的作用。... 

【文章來(lái)源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－２?（ａ）基于量子點(diǎn)背光技術(shù)的白光ＬＥＤ?（ｂ）?ＱＤＥＦ背光技術(shù)??Ｆｉｇ．?１－２．?（ａ）?Ｗｈｉｔｅ?ＬＥＤ?ｂａｓｅｄ?ｏｎ?ｑｕａｎｔｕｍ?ｄｏｔ?ｂａｃｋｌｉｇｈｔ?ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；?（ｂ）?ＱＤＥＦ?（Ｔｈｅ?Ｑｕａｎｔｕｍ??

其中光激發(fā)主要應(yīng)用為利用單一?ｌｅｄ光源激發(fā)不同大小的量子點(diǎn)，此方式??可產(chǎn)生各種色光，從紅到藍(lán)，類(lèi)似彩虹光譜。這種方法制備的量子點(diǎn)白光ＬＥＤ因??而有較高的顯色指數(shù)，如圖１－２?（ａ）。另外也可以用于液晶屏的背光源提升中，??如圖１－２?（ｂ）。由于量子點(diǎn)可以在短波光的照射下獲得有尖銳峰值的顏色，這種??背光源應(yīng)用于ＬＣＤ中極大提高了其色彩表現(xiàn)力，將新穎發(fā)光材料與傳統(tǒng)顯示器較??好地結(jié)合了起來(lái)。??（ａ）?｜（ｂ）?．．．．??倉(cāng)〇德??ｃｕｐ?／??ＬＥＤ??圖１－２?（ａ）基于量子點(diǎn)背光技術(shù)的白光ＬＥＤ?（ｂ）?ＱＤＥＦ背光技術(shù)??Ｆｉｇ．?１－２．?（ａ）?Ｗｈｉｔｅ?ＬＥＤ?ｂａｓｅｄ?ｏｎ?ｑｕａｎｔｕｍ?ｄｏｔ?ｂａｃｋｌｉｇｈｔ?ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；?（ｂ）?ＱＤＥＦ?（Ｔｈｅ?Ｑｕａｎｔｕｍ??Ｄｏｔ?Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ?Ｆｉｌｍ）?ｂａｃｋｌｉｇｈｔ?ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ??１．３．２量子點(diǎn)在電致發(fā)光方面的應(yīng)用??量子點(diǎn)的電致發(fā)光主要在于量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管器件（ＱＬＥＤ）的研究及應(yīng)??用，其與ＯＬＥＤ的器件結(jié)構(gòu)和發(fā)光原理較為相似。與ＯＬＥＤ不同，ＱＬＥＤ將半導(dǎo)??體量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料，具有更好的發(fā)光性質(zhì)及穩(wěn)定性。ＱＬＥＤ器件的發(fā)光在兩??種外加激發(fā)源的條件下分別為交流型和直流型器件，其中交流型器件的原理一般??用碰撞離化模型進(jìn)行闡述，這種模式中量子點(diǎn)的不同能帶大小會(huì)導(dǎo)致滿(mǎn)足其產(chǎn)生??碰撞離化的電場(chǎng)強(qiáng)度也不同，而且相對(duì)于體材料而言量子點(diǎn)電致發(fā)光所需要施加??的電場(chǎng)強(qiáng)度更大。直流型器件的發(fā)光原理通常通過(guò)注入式發(fā)光模型進(jìn)行闡述

性以及可見(jiàn)光透過(guò)率。其電阻常數(shù)為１５?Ｑ／平方，未經(jīng)表面處理時(shí)的功函數(shù)大小??為４．７?ｅ．Ｖ，本實(shí)驗(yàn)中所用ＩＴＯ皆為已刻蝕在玻璃基地上成條狀的襯底，具體加工??是由華南湘城科技有限公司完成，襯底形貌圖及尺寸如圖２－１所示。??ＩＴＯ陽(yáng)極？???—＞?３ｉｍｕ?＜??Ｉ??寸??Ｉ?ｉ．．?＿?．．１?ｙ??￣１９．４ｍｍ??—?、??圖２－１?ＩＴＯ襯底形貌圖及尺寸??Ｆｉｇ．２－１．?Ｔｈｅ?ｆｉｇｕｒｅ?ａｎｄ?ｓｉｚｅ?ｏｆ?ＩＴＯ?ＩＴＯ?ｓｕｂｓｔｒａｔｅ??由于最初ＩＴＯ襯底表面覆蓋一層膠并且有一些不明顆粒存在，因此需要進(jìn)行??清洗來(lái)減小其對(duì)器件性能的影響�；那逑捶譃樗膫�(gè)步驟，分別為：（１）將ＩＴＯ??基片置入裝有玻璃清洗劑的容器內(nèi)，在超聲儀器中清洗２０?ｍｉｎ；?（２）將容器內(nèi)的??清洗劑換為去離子水，并進(jìn)行超聲清洗２０?ｍｉｎ，后將此過(guò)程重復(fù)一次；（３）將容??器內(nèi)的水換為無(wú)水乙醇，并進(jìn)行超聲清洗２０?ｍｉｎ，此過(guò)程重復(fù)一次；（４）?ＩＴＯ基??１２??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]CdSe/ZnS量子點(diǎn)在倏逝波光纖pH傳感中的應(yīng)用[J]. 劉婷,王文琪,劉志群,趙艷麗,易定容.  光譜學(xué)與光譜分析. 2018(06)
[2]Light-Emitting Diodes Based on All-Quantum-Dot Multilayer Films and the Influence of Various Hole-Transporting Layers on the Performance[J]. 尹慧麗,趙謖玲,徐征,孫立志.  Chinese Physics Letters. 2016(03)
[3]基于量子點(diǎn)和MEH-PPV的白光發(fā)光二極管的研究[J]. 孫立志,趙謖玲,徐征,尹慧麗,張成文,龍志娟,洪曉霞,王鵬,徐敘瑢.  物理學(xué)報(bào). 2016(06)



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