發(fā)布時(shí)間：2021-10-16 11:30

　　由于晶體管的特征尺寸隨著集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展而逐步縮小到納米技術(shù)節(jié)點(diǎn),其小尺寸效應(yīng)影響愈加明顯,器件尺寸的進(jìn)一步縮放受到了限制。因此,為了突破半導(dǎo)體工藝的限制,一種新型的多柵器件結(jié)構(gòu)FinFET應(yīng)運(yùn)而生。與MOSFET相比,FinFET具備更強(qiáng)的柵控能力,能夠更好的抑制短溝道效應(yīng)（SCE）,減小漏電流,同時(shí)可以大幅提高芯片處理速度以及大大降低功耗,并且與CMOS工藝具有良好的兼容性�；谶@些優(yōu)點(diǎn),很多半導(dǎo)體廠商開始展開對FinFET工藝的研究,其中包括Intel 22nm、14nm、TSMC 16nm、10nm以及GLOBAL-FOUNDRIES的14nm。隨著FinFET工藝在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用的不斷擴(kuò)大,對FinFET工藝模型的研究變得越來越重要。而且,傳統(tǒng)的平面模型不能夠精確地表征3-D FinFET的物理特性,器件建模研究面臨著新的挑戰(zhàn)。因此建立適用于多柵3-D Fin FET工藝的模型是十分必要的。本文主要針對14nm硅基FinFET建模以及物理參數(shù)提取方法進(jìn)行了一系列研究工作。文章主要研究內(nèi)容總結(jié)如下:（1）對FinFET的結(jié)構(gòu)分類、工作原理、器件優(yōu)勢以及性能優(yōu)化做了簡明的闡... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景與意義
    1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 建模需求及建模流程
    1.4 本文主要內(nèi)容及章節(jié)概要
第二章 FINFET基礎(chǔ)知識(shí)
    2.1 FinFET簡介
        2.1.1 FinFET結(jié)構(gòu)分類
        2.1.2 FinFET重要器件參數(shù)
        2.1.3 FinFET工作原理
        2.1.4 FinFET器件特點(diǎn)
        2.1.5 FinFET性能優(yōu)化
            2.1.5.1 高K金屬柵技術(shù)
            2.1.5.2 應(yīng)變技術(shù)
    2.2 典型的物理效應(yīng)
        2.2.1 體效應(yīng)
        2.2.2 溝道長度調(diào)制效應(yīng)
        2.2.3 非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)
        2.2.4 短溝道效應(yīng)
        2.2.5 自熱效應(yīng)
    2.3 在片測試?yán)碚?br>        2.3.1 測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        2.3.2 S參數(shù)與直流測試系統(tǒng)
        2.3.3 低頻噪聲測試系統(tǒng)
        2.3.4 測試結(jié)果
    2.4 本章小結(jié)
第三章 FINFET小信號等效電路模型的研究
    3.1 晶體管去嵌入方法研究
    3.2 FinFET小信號模型
    3.3 小信號模型參數(shù)提取過程
    3.4 模型驗(yàn)證與結(jié)果分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 物理參數(shù)提取及驗(yàn)證
    4.1 噪聲概述
        4.1.1 閃爍噪聲
        4.1.2 產(chǎn)生-復(fù)合噪聲
        4.1.3 白噪聲
    4.2 1/f噪聲模型
        4.2.1 載流子數(shù)漲落模型(ΔN model)
        4.2.2 遷移率漲落模型(Δμmodel)
        4.2.3 載流子數(shù)漲落及其誘導(dǎo)的遷移率漲落模型(ΔN+Δμmodel)
    4.3 物理參數(shù)提取過程
        4.3.1 物理分析
        4.3.2 參數(shù)提取流程
    4.4 模型驗(yàn)證與結(jié)果分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 全文工作總結(jié)
    5.2 未來工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]FINFET技術(shù)[J]. 朱范婷.  數(shù)字技術(shù)與應(yīng)用. 2014(01)
[2]深亞微米三柵FinFET短溝道效應(yīng)和拐角效應(yīng)計(jì)算機(jī)模擬分析[J]. 王洪濤,王茺,李亮,胡偉達(dá),周慶,楊宇.  功能材料. 2009(05)

碩士論文
[1]CMOS晶體管毫米波大信號模型研究[D]. 王秋平.電子科技大學(xué) 2019
[2]FINFET器件特性與NBTI效應(yīng)研究[D]. 張健行.西安電子科技大學(xué) 2018
[3]毫米波CMOS晶體管建模技術(shù)研究[D]. 叢詩力.電子科技大學(xué) 2018
[4]太赫茲CMOS器件建模技術(shù)研究[D]. 郝亞男.電子科技大學(xué) 2017
[5]多晶硅薄膜晶體管低頻噪聲的建模與表征[D]. 王明.蘇州大學(xué) 2014
[6]FinFETs器件及其幾何參數(shù)的優(yōu)化[D]. 朱范婷.上海交通大學(xué) 2014
[7]三柵FinFET電學(xué)特性仿真分析與研究[D]. 張燕.西安電子科技大學(xué) 2013
[8]深亞微米MOSFET建模技術(shù)研究[D]. 孟茜倩.華東師范大學(xué) 2012
[9]0.13μm CMOS工藝射頻MOS場效應(yīng)管建模[D]. 池毓宋.東南大學(xué) 2006



本文編號：3439731