飛秒激光場中環(huán)烴類分子庫侖爆炸動力學
發(fā)布時間:2021-10-15 14:26
強飛秒激光與分子相互作用后產(chǎn)生的分子解離和庫侖爆炸動力學一直以來是強場原子分子物理領(lǐng)域關(guān)注的熱點之一,解離和庫侖爆炸得到的離子動量分布不僅能夠提供分子的解離動能釋放還能夠理解分子的碎片化機制,本論文詳細對比研究了環(huán)形有機大分子苯(Benzene)、環(huán)己烯(Cyclohexene)和環(huán)己烷(Cyclohexane)這三個分子在飛秒激光作用后的碎片化和庫侖爆炸過程,這三個分子幾何結(jié)構(gòu)相似但化學鍵成份具有較大的不同,因此作為我們的實驗對象可以研究不同成鍵類型對環(huán)形分子庫侖爆炸的影響。實驗中通過利用冷靶反沖動量成像譜儀(COLTRIMS)裝置和中心波長為800nm脈沖寬度為35fs的激光結(jié)合離子-離子符合測量技術(shù),我們詳細的研究了苯、環(huán)己烯和環(huán)己烷在激光場中的解離和庫侖爆炸動力學,實驗中提取了三個分子的飛行時間質(zhì)譜,對其庫侖爆炸通道分辨,碎片離子通道產(chǎn)率,動量分布等等一系列較為全面的實驗數(shù)據(jù),利用測量得到的飛行時間質(zhì)譜(Time-of-flight mass spectra)提取了離子的產(chǎn)率和碎片分布,通過獲得的庫侖爆炸離子二維動量分布提取了離子的角分布和動能分布,結(jié)合理論計算分子最高占據(jù)軌道...
【文章來源】:吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
多光子電離(MPI)、閾上電離(ATI)、隧穿電離(TI)、越壘電離(OBI)
第 1 章 緒論程度,也就是電子隧穿需要的時間相對于電場的變化很短時電子會視勢壘為靜止(變慢)并穿過勢壘,發(fā)生隧穿電離[6]。繼續(xù)增加光強,勢壘繼續(xù)被外加光場壓低,當?shù)椭岭娮邮`勢壘時,當光強的閾值達到264p3022ecZIIOBI (Z 為母體離子的電荷數(shù))時由于電子基態(tài)已高于壓低的電離勢,此時電子波包由束縛態(tài)直接進入連續(xù)態(tài)從而發(fā)生電離,一般地,稱這個過程為越壘電離(Over BarrierIonization); Keldysh 的工作,為了理解強激光場中原子和分子的隧穿電離,進行許多理論工作,用于描述原子在強激光場作用下的靜態(tài)隧穿電離的方程通常被稱為 ADK 理論(Ammosov-Delone-Krainov Theory)[7],其核心為隧穿幾率由電離能(Ip)和電場強度決定,原子的電離幾率隨電場的大小成指數(shù)倍的增加。
氫分子在飛秒激光作用后解離和庫侖爆炸的飛行時間與位置示子的庫侖爆炸提到,當原子或分子吸收大量光子的背景下,人們可以通過簡離過程,并且對于原子,勢壘抑制模型可以觀察到它的出現(xiàn)強太適合這種簡單的方式。當分子在短時間內(nèi)吸收很大數(shù)目光子從而形成二價或更高價態(tài)的離子。這時分子因失去大量電荷,用下其中原子核之間產(chǎn)生排斥力,導致分子解離,核之間庫侖能,結(jié)果是產(chǎn)生具有很高能量的離子碎片,我們稱這個過程為庫個過程發(fā)生條件是作用分子的是光強較高的激光、高能光子或。我們剛才提到庫侖爆炸產(chǎn)生的離子碎片攜帶高能量是由庫侖那么我們假設(shè)用經(jīng)典力學來理解,庫侖力與核間距有關(guān)。根據(jù)
【參考文獻】:
碩士論文
[1]CH212分子在飛秒激光場下的電離解離及庫侖爆炸研究[D]. 張夏.吉林大學 2009
本文編號:3438128
【文章來源】:吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
多光子電離(MPI)、閾上電離(ATI)、隧穿電離(TI)、越壘電離(OBI)
第 1 章 緒論程度,也就是電子隧穿需要的時間相對于電場的變化很短時電子會視勢壘為靜止(變慢)并穿過勢壘,發(fā)生隧穿電離[6]。繼續(xù)增加光強,勢壘繼續(xù)被外加光場壓低,當?shù)椭岭娮邮`勢壘時,當光強的閾值達到264p3022ecZIIOBI (Z 為母體離子的電荷數(shù))時由于電子基態(tài)已高于壓低的電離勢,此時電子波包由束縛態(tài)直接進入連續(xù)態(tài)從而發(fā)生電離,一般地,稱這個過程為越壘電離(Over BarrierIonization); Keldysh 的工作,為了理解強激光場中原子和分子的隧穿電離,進行許多理論工作,用于描述原子在強激光場作用下的靜態(tài)隧穿電離的方程通常被稱為 ADK 理論(Ammosov-Delone-Krainov Theory)[7],其核心為隧穿幾率由電離能(Ip)和電場強度決定,原子的電離幾率隨電場的大小成指數(shù)倍的增加。
氫分子在飛秒激光作用后解離和庫侖爆炸的飛行時間與位置示子的庫侖爆炸提到,當原子或分子吸收大量光子的背景下,人們可以通過簡離過程,并且對于原子,勢壘抑制模型可以觀察到它的出現(xiàn)強太適合這種簡單的方式。當分子在短時間內(nèi)吸收很大數(shù)目光子從而形成二價或更高價態(tài)的離子。這時分子因失去大量電荷,用下其中原子核之間產(chǎn)生排斥力,導致分子解離,核之間庫侖能,結(jié)果是產(chǎn)生具有很高能量的離子碎片,我們稱這個過程為庫個過程發(fā)生條件是作用分子的是光強較高的激光、高能光子或。我們剛才提到庫侖爆炸產(chǎn)生的離子碎片攜帶高能量是由庫侖那么我們假設(shè)用經(jīng)典力學來理解,庫侖力與核間距有關(guān)。根據(jù)
【參考文獻】:
碩士論文
[1]CH212分子在飛秒激光場下的電離解離及庫侖爆炸研究[D]. 張夏.吉林大學 2009
本文編號:3438128
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