有機受體材料PC 61 BM和ITIC與金屬或惰性襯底的界面電子結構
發(fā)布時間:2021-10-14 19:13
在有機場效應器件和有機光伏器件中,廣泛存在有機/金屬界面和有機/惰性材料界面,界面的能級排布影響界面問的電荷輸運,從而直接影響器件的性能。本文以同步輻射光電子能譜(SRPES)測量為主,軟X射線吸收譜(XAS)和密度泛函理論(DFT)計算為輔研究了富勒烯衍生物PC61BM及非富勒烯小分子ITIC與一些襯底間的界面電子結構。對于有機/惰性材料界面,能級排布由整數(shù)電荷轉移模型(ICT模型)決定;這個模型中有一個重要的概念是負整數(shù)電荷轉移能級(EICT-,對受體分子而言)。鑒于當前非富勒烯受體分子的迅速發(fā)展,本文測量了典型的非富勒烯受體小分子ITIC的EICT-,結果為4.00±0.0δeV。我們還用XAS研究了ITIC薄膜內的分子取向,結果表明ITIC在惰性襯底上是face-on取向。本文還用DFT研究了I IC的電子關聯(lián)和極化子效應,揭示出電子的強關聯(lián)效應對有機分子電子結構有重要影響。對于有機/金屬界面,本文用PES詳細研究了 Au(111)、Ag(111)、Au(100)和Ag(100)這四種襯底上PC61BM薄膜的界面電子結構。這里的界面是化學吸附。我們以前提出的TSI+ICT方法(...
【文章來源】:浙江大學浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:103 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2體異質結太陽能電池工作原理示意圖??
柵極??圖1.3底柵式的底接觸式OFET構造示意圖。??這里以圖1.3為例,筒單介紹OFET的工作原理。與半導體直接接觸的兩個??電極稱為源極和漏極,導電層與絕緣層直接接觸,與絕緣層接觸、并隔著絕緣層??與源極和漏極對應的電極稱為柵極。當柵極未加偏壓時(即柵電壓為零時)或者??柵電壓較小時,半導體層內載流子濃度很低,導電性差,源極和漏極是斷開的,??器件處于關狀態(tài)。而當在柵極上加一個足夠高的電壓,在半導體和絕緣體界面處??會出現(xiàn)一個導電溝道,源極和漏極之間的電流則會很快增大,使器件導通,熒于??開狀態(tài)。OFET的工作原理簡單來說,是通過柵極電壓來改變器件電場,從而調??控源極和漏極之間的電流輸出。??源極和漏極的通斷,就涉及到半導體材料本身的電學特性。以n型半導體為??例,當柵極加載足夠的負電壓時,在器件內源漏兩級連線的垂直方向產(chǎn)生指向柵??極的電場
轉化效率目前已達13.7%[42],與基于富勒烯衍生物的OSC相當。??1.2.1富勒烯及其衍生物??圖1.4示出富勒烯C60以及C6〇和C7〇的幾種常見衍生物。這一類材料在很多??領域有重要應用,OSC只是應用領域之一。??1992年Sariciftic等[24]發(fā)現(xiàn)光生電子從導電聚合物MEH-PPV向do的快速?;??轉移,這解決了當時困擾OSC發(fā)展的一個難題:有機材料的激子較難分離成自?#崳?由電荷。C60和合適的給體分子組合時,它的強吸電子能力可以促使給體分子中??的激子分離。然而,Cso作為受體有三方面的不足:(1)C6Q分子穩(wěn)定性好,結晶??能力強而易形成線度較大的晶體,導致BHJ中可促使激子分離的界面不多;(2)?1??C60在有機溶劑中的溶解度不夠大,使得制備含C60較多的BHJ很困難f?(3)由??于分子的高對稱性,絕大部分太陽光譜范圍的光學躍遷被禁阻,C60吸收太陽光??的性能極差。1995年Hummelen等報道的富勒烯衍生物PC61BM是在C6〇籠子上??接上苯基-丁酸甲酯支鏈[43]。邊鏈的接入大大提高了溶解度并極大地降低了結晶??性。圖1.4中其它富勒烯衍生物也是如此
本文編號:3436695
【文章來源】:浙江大學浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:103 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2體異質結太陽能電池工作原理示意圖??
柵極??圖1.3底柵式的底接觸式OFET構造示意圖。??這里以圖1.3為例,筒單介紹OFET的工作原理。與半導體直接接觸的兩個??電極稱為源極和漏極,導電層與絕緣層直接接觸,與絕緣層接觸、并隔著絕緣層??與源極和漏極對應的電極稱為柵極。當柵極未加偏壓時(即柵電壓為零時)或者??柵電壓較小時,半導體層內載流子濃度很低,導電性差,源極和漏極是斷開的,??器件處于關狀態(tài)。而當在柵極上加一個足夠高的電壓,在半導體和絕緣體界面處??會出現(xiàn)一個導電溝道,源極和漏極之間的電流則會很快增大,使器件導通,熒于??開狀態(tài)。OFET的工作原理簡單來說,是通過柵極電壓來改變器件電場,從而調??控源極和漏極之間的電流輸出。??源極和漏極的通斷,就涉及到半導體材料本身的電學特性。以n型半導體為??例,當柵極加載足夠的負電壓時,在器件內源漏兩級連線的垂直方向產(chǎn)生指向柵??極的電場
轉化效率目前已達13.7%[42],與基于富勒烯衍生物的OSC相當。??1.2.1富勒烯及其衍生物??圖1.4示出富勒烯C60以及C6〇和C7〇的幾種常見衍生物。這一類材料在很多??領域有重要應用,OSC只是應用領域之一。??1992年Sariciftic等[24]發(fā)現(xiàn)光生電子從導電聚合物MEH-PPV向do的快速?;??轉移,這解決了當時困擾OSC發(fā)展的一個難題:有機材料的激子較難分離成自?#崳?由電荷。C60和合適的給體分子組合時,它的強吸電子能力可以促使給體分子中??的激子分離。然而,Cso作為受體有三方面的不足:(1)C6Q分子穩(wěn)定性好,結晶??能力強而易形成線度較大的晶體,導致BHJ中可促使激子分離的界面不多;(2)?1??C60在有機溶劑中的溶解度不夠大,使得制備含C60較多的BHJ很困難f?(3)由??于分子的高對稱性,絕大部分太陽光譜范圍的光學躍遷被禁阻,C60吸收太陽光??的性能極差。1995年Hummelen等報道的富勒烯衍生物PC61BM是在C6〇籠子上??接上苯基-丁酸甲酯支鏈[43]。邊鏈的接入大大提高了溶解度并極大地降低了結晶??性。圖1.4中其它富勒烯衍生物也是如此
本文編號:3436695
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