利用光刻掩模和熱蒸發(fā)沉積技術(shù)制備兼容電磁屏蔽紅外窗口薄膜器件,實現(xiàn)3～5μm波段紅外信號高效增透,且能屏蔽12～18 GHz頻段的電磁波信號.通過光刻掩模和真空熱蒸發(fā)沉積技術(shù)在雙面拋光Si基底上制備滿足要求的十字交叉對稱金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu),通過離子束輔助電子束熱蒸發(fā)沉積技術(shù)制備3～5μm波段高效增透的紅外膜.為進一步改善金屬網(wǎng)柵的透射率,在周期g為550μm,不同線寬的金屬網(wǎng)柵薄膜上沉積紅外增透膜.結(jié)果表明:通過真空式傅里葉變換紅外光譜儀測試得紅外膜樣片在3～5μm的峰值透射率為99.8%,平均透射率為99.3%.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試金屬網(wǎng)柵12～18 GHz頻段的電磁屏蔽效能,得到兼容電磁屏蔽紅外窗口薄膜器件在12～18 GHz頻段內(nèi)總體電磁屏蔽效能優(yōu)于27 dB,3～5μm紅外波段的峰值透射率為86.3%,平均透射率為86.1%.金屬網(wǎng)柵薄膜上鍍制增透膜在保證電磁屏蔽效能不變（≥27 dB）的前提下,網(wǎng)柵光譜（透射率）提高了37.6%（網(wǎng)柵周期g為550μm,線寬2a為30μm）.屏蔽效能的改善既可以通過調(diào)整網(wǎng)柵的周期和線寬,也可以選擇電阻率較低的基底材料實現(xiàn). 

【文章來源】：光子學(xué)報. 2020,49(10)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 電磁屏蔽薄膜的理論分析
    1.2 金屬網(wǎng)柵微結(jié)構(gòu)的制備
    1.3 紅外增透膜設(shè)計與制備
2 結(jié)果與分析
    2.1 金屬網(wǎng)柵的光譜及屏蔽效能
    2.2 紅外增透膜的光譜特性
    2.3 兼容電磁屏蔽紅外窗口薄膜器件的特性
    2.4 其它性能
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]薄膜型金屬網(wǎng)柵的電磁屏蔽特性[J]. 馮曉國,張舸,湯洋.  光學(xué)精密工程. 2015(03)
[2]基于ZnS金屬網(wǎng)柵制作工藝的改進[J]. 陳赟,李艷茹,張紅勝.  中國光學(xué). 2014(01)
[3]光學(xué)透明頻率選擇表面的設(shè)計研究[J]. 張建,高勁松,徐念喜.  物理學(xué)報. 2013(14)
[4]透紅外/可見光學(xué)窗的電磁波屏蔽技術(shù)[J]. 陳宇.  紅外技術(shù). 2012(07)
[5]高透光率感性網(wǎng)柵膜的電磁屏蔽[J]. 劉小涵,趙晶麗,馮曉國,申振峰,高勁松,張紅勝.  光學(xué)精密工程. 2012(01)
[6]K9基底細薄銅網(wǎng)上的化學(xué)鍍鎳[J]. 劉小涵,馮曉國,趙晶麗,高勁松.  光學(xué)精密工程. 2010(10)
[7]高通光率金屬網(wǎng)柵屏蔽效率分析的等效折射率模型[J]. 陸振剛,譚久彬,金鵬,劉儉.  光學(xué)精密工程. 2006(06)
[8]硫化鋅基底上減反膜的鍍制[J]. 蘇現(xiàn)軍,何家元.  光學(xué)儀器. 2001(Z1)



本文編號：3433270