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微電子所在硅基超表面領(lǐng)域取得進(jìn)展

發(fā)布時間:2021-10-12 10:03
  <正>近日,中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心副研究員楊妍與武漢大學(xué)教授鄭國興課題組、武漢郵電科學(xué)研究院有限公司等合作,在硅基超表面領(lǐng)域取得研究進(jìn)展,提出了一種助于空間頻率復(fù)用的技術(shù),在一個硅基超表面上重疊的空間區(qū)域,利用空頻信息不同、同時記錄兩幅完全不同的光學(xué)圖像,并可用數(shù)字濾波器進(jìn)行高效的分離。 

【文章來源】:化工新型材料. 2020,48(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:1 頁


本文編號:3432364

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