近年來,隨著GaN基LED發(fā)光技術(shù)的迅速發(fā)展,LED芯片的電光轉(zhuǎn)換效率不斷提高,LED照明產(chǎn)品也已經(jīng)普及到千家萬戶。硅襯底垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有良好的散熱性能和較高的光提取效率,被廣泛應(yīng)用于手電筒、汽車大燈和手機(jī)閃光燈等大功率LED器件。其中,高反射率的p-GaN歐姆接觸電極是提高LED芯片電光轉(zhuǎn)換效率和光提取效率的關(guān)鍵所在。對(duì)可見光反射效率最高的Ag作為p-GaN反射鏡的首選金屬材料,卻因?yàn)榕cp-GaN之間的功函數(shù)相差較大而難以直接形成良好的歐姆接觸。金屬Ni能夠改善Ag與p-GaN的電接觸性能,但其歐姆接觸的形成機(jī)理尚不夠明確,且Ni的存在對(duì)Ag反射率造成的影響問題仍未能解決。本論文以硅襯底GaN基綠光LED芯片為實(shí)驗(yàn)對(duì)象,研究了Ni對(duì)Ag/p-GaN界面接觸性能的影響機(jī)理,探討了含Ni的Ag基p-GaN反射電極對(duì)LED器件光電性能造成的影響,以及Ni金屬退火溫度對(duì)p-GaN中Mg的激活的影響,得出了以下研究成果:1、通過對(duì)比不同結(jié)構(gòu)Ag基p-GaN反射鏡的反射率,發(fā)現(xiàn)界面處Ni的存在確實(shí)會(huì)阻礙Ag基p-GaN反射鏡對(duì)光的反射性能。通過對(duì)比合金前后反射鏡的反射率變化,證實(shí)了合金會(huì)使... 

【文章來源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN的晶體結(jié)構(gòu)

下纖鋅礦結(jié)構(gòu) GaN 的基本物理參數(shù)，從移率低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這會(huì)致使 LED影響 LED 器件的效率。除此之外，pg 的熱電離能很高，導(dǎo)致 Mg 的激活率很低。極化場(chǎng)。如圖 1.2 所示，在無外力作 Psp=P1-P2。當(dāng) GaN 材料受到壓應(yīng)力時(shí)使得極化矢量 P2變大從而產(chǎn)生沿（00應(yīng)力時(shí)，壓電極化方向相反，為（000存在，會(huì)降低載流子復(fù)合發(fā)光的概率，場(chǎng)還會(huì)造成量子限制斯塔克效應(yīng)（QC負(fù)面的影響，但如果對(duì)其加以控制、發(fā)展，同時(shí)也證明了其具有非常大的

正裝 LED 封倒裝 LED 封裝垂直結(jié)構(gòu)圖 1.3 三種 LED 芯片結(jié)構(gòu)及其封裝簡圖正裝結(jié)構(gòu)是最早應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底 LED 芯片上，發(fā)出的光從 p 面射出。這種結(jié)構(gòu)制作工藝使用廣泛，發(fā)展歷程悠久。但藍(lán)寶石散熱效果較差，同時(shí)電流在n-GaN中橫向傳輸容易擁堵，所以這種結(jié)構(gòu)的LED一般只應(yīng)用在小功率器件中[18

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
[1]p型摻雜和量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基LED光電性能影響的研究[D]. 李愛星.南昌大學(xué) 2018
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[4]采用光子晶體與全向反射鏡提高LED光提取效率[D]. 許慶濤.山東大學(xué) 2009



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