數(shù)模轉(zhuǎn)換器作為模擬與數(shù)字信號(hào)間溝通的橋梁在如今航天行業(yè)的各類設(shè)備系統(tǒng)中具有十分重要的地位,運(yùn)算放大器又作為DAC中的重要模塊,其性能的優(yōu)劣事關(guān)DAC芯片的性能甚至?xí)绊懙秸麄€(gè)系統(tǒng)的功能。為了確保電子系統(tǒng)的穩(wěn)定工作,對(duì)于空間環(huán)境中會(huì)對(duì)電子設(shè)備產(chǎn)生不同負(fù)面影響的各類輻照效應(yīng)的機(jī)理研究就顯得尤為重要,通過深入的理論學(xué)習(xí),針對(duì)不同輻照效應(yīng)進(jìn)行研究,設(shè)計(jì)具有抗輻照性能可以在空間環(huán)境中穩(wěn)定工作的運(yùn)算放大器電路對(duì)于航空事業(yè)的發(fā)展是非常有意義的,本文設(shè)計(jì)分析了在DAC芯片中具有抗輻照性能可在多電壓模式下工作的運(yùn)算放大器,主要完成了以下幾方面的研究:首先,詳細(xì)深入地分析了總劑量輻照效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理以及它們對(duì)電子系統(tǒng)造成的負(fù)面影響,結(jié)合損傷原理與在三種供電條件下（±15V,±5V,0⁵V）工作的DAC對(duì)運(yùn)放電路性能的要求,我們采用LDMOS器件（東部Dongbu HiTek BCD 0.18μm工藝）,因其在同等耐壓條件下其柵氧層厚度更薄,使得器件對(duì)總劑量輻照條件下的閾值電壓漂移等問題并不敏感,并且LDMOS漏端有特殊摻雜產(chǎn)生的高阻區(qū),便可以達(dá)到抗總劑量輻照100Krad與耐高壓工作（... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：87 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

空間輻射示意圖

應(yīng)力會(huì)將陷阱向界面方向運(yùn)輸，到達(dá)界面后形成懸掛鍵，注入模型認(rèn)為，形成懸掛鍵是因?yàn)殡娮拥淖⑷胧沟媒缑嫣幍南葳蹇昭ㄞD(zhuǎn)變?yōu)榱私缑嫦葳�。圖2.3 輻射后空穴電子傳輸示意圖2.2.2 損傷影響器件長(zhǎng)期工作在輻照環(huán)境中會(huì)因?yàn)楦黝惿渚€粒子的影響導(dǎo)致器件內(nèi)累積大量的輻射能量，從而導(dǎo)致器件的閾值電壓發(fā)生改變，這主要是因?yàn)槠骷趸瘜觾?nèi)的陷阱固定電荷 Not與界面態(tài)陷阱電荷 Nit所導(dǎo)致的。我們以 ΔVot來代表因氧化層陷阱固定電荷所引起的器件閾值電壓變化，ΔVit代表因界面態(tài)所引起的變化，其中 εox和 ε0分別為介質(zhì)與真空的介電系數(shù)，tox為柵氧化層厚度。式 2-4，2-5 可以表示引起的變化：0oxot otoxtV q N (2-4)

it導(dǎo)致的轉(zhuǎn)移特性曲線變化圖2.4 閾值電壓變化圖結(jié)合這兩種情況考慮可得出它們總體與閾值電壓 ΔVt變化的關(guān)系，式 2-6 表達(dá)出閾值電壓與固定電荷，界面陷阱電荷總體間的關(guān)系： 0oxt ot it it otoxtV V V q N N (2-6)再考慮這兩種導(dǎo)致器件性能變化因素生成的原因可知，對(duì)于氧化層陷阱固定電荷

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號(hào)：3418505