近紅外有機(jī)發(fā)光二極管器件（NIR-OLED）因其自發(fā)光、高效率、柔性顯示和制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)及在國(guó)防、光通訊及光導(dǎo)纖維等領(lǐng)域的潛在重要價(jià)值引起了廣泛的關(guān)注。本文基于低成本及大面積柔性顯示的近紅外聚合物發(fā)光器件（NIR-PLED）開(kāi)發(fā),擬通過(guò)兩種方式制備器件的發(fā)光層:其一,將近紅外發(fā)光的銥配合物為客體材料,物理?yè)诫s至主體聚合物材料（如聚乙烯咔唑）而制備摻雜型發(fā)光層;其二,將客體材料銥配合物通過(guò)Suzuki耦合反應(yīng)共價(jià)鍵合于聚芴（PF）而得到鍵合型復(fù)合材料。同時(shí),依托摻雜型和鍵合型復(fù)合材料的良好近紅外發(fā)光性能及物理性能（如好機(jī)械加工性、高熱穩(wěn)定性及易濕法成膜等）,期望開(kāi)發(fā)出有優(yōu)良電致近紅外發(fā)光性能的NIR-PLED。1、基于銥配合物的優(yōu)良光致近紅外發(fā)光性能考慮:利用苯并噻吩類主配體Hiqbt（Hiqbt=1-（benzo[b]thiophen-2-yl）isoquinoline）和溴代-席呋堿類輔助配體HL（HL=（E）-4-bromo-2-（（phenylimino）methyl）phenol）在一定條件下與IrCl₃·3H₂O反應(yīng),合成得到了... 

【文章來(lái)源】：西北大學(xué)陜西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：75 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

銥配合物結(jié)構(gòu)與光致/電致發(fā)光圖譜

圖 1.2 器件的能級(jí)圖與功率-發(fā)光效率圖Fig. 1.2 Power efficiency and luminous efficiency and the energy diagram of device久前，Qiu 等人合成了一系列近紅外發(fā)射銥配合物[45-47]，其中銥配-g)2(Bphen)]通過(guò)引入 sp2雜化的 N 原子和與其相對(duì)的苯基苯并喹啉中的螯]，在 850 nm 處顯示出有延長(zhǎng)的發(fā)射峰。基于[Ir(pbq-g)2(Bphen)]為發(fā)光層得了最大外量子效率高達(dá) 2.2%，效率滾降可忽略不計(jì)。在 2014 年，過(guò)渡物[(thdpqx)2Ir(acac)]通過(guò)物理混合摻雜入器件，EL 發(fā)射峰位于 704 nm，成大外量子效率，高達(dá) 3.4%[49]，這是到目前為止，將過(guò)渡金屬銥配合物應(yīng)用光器件所得到的最大外量子效率。Liu[50]等人以[(t-BuPyrPyTPA)2Ir(acac)]為備了摻雜型近紅外聚合物發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為 ITO/PEDOT(40 nm)/PVXD-7:4 wt%(t-BuPyrPyTPA)2Ir(acac)(60 nm)/TPBi(30 nm)/Ba(4 nm)/Al (100 n外發(fā)射峰位置于 698 nm，肩峰的位置在 763 nm，當(dāng)電流密度為 2.6 mA·cm-2量子效率為 0.56%。

與反應(yīng)條件的影響，主體材料與客體材料的實(shí)際聚合比例枝于主體材料中，整個(gè)聚合物的共軛體系增大，使得聚合發(fā)生紅移。銥配合物應(yīng)用于鍵合型聚合物有機(jī)發(fā)光二極管主要研究于域的鍵合型聚合物有機(jī)發(fā)光二極管方面暫時(shí)還無(wú)報(bào)道，所光二極管的高效性能，根據(jù)目前紅光發(fā)射的研究現(xiàn)狀將其重要的目標(biāo)。Chen[55]等人報(bào)道了用銥配合物通過(guò) Suzuki 耦層，獲得了紅光發(fā)射 PLED 器件，最大外量子效率為 1.5ng Kai[56]等人合成了一系列新型共聚物 PFCzIrpiq，共聚物-二酮配體和 1-苯基異喹啉配體的銥配合物。其 PL 發(fā)射位置在 630 nm 左右，屬于紅光發(fā)射。器件結(jié)構(gòu)為：ITO/PEDO/Al，其最大外量子效率為 0.60%，最大亮度為 541 cd·m-2。


本文編號(hào)：3418397