采用離子輔助電子束蒸發(fā)方法,通過改變制備Al2O3增透膜時基底的溫度,在邊發(fā)射半導體激光器前腔面上分別制備了張應力和壓應力增透膜。比較了張應力、壓應力兩種不同增透膜對半導體激光器性能的影響。結果表明:在10A注入電流下,當半導體激光器的增透膜為張應力狀態(tài)時,輸出功率為8.11W;當半導體激光器的增透膜為壓應力狀態(tài)時,輸出功率為7.74W�？梢�,在半導體激光器前腔面制備張應力增透膜有效地提高了半導體激光器的斜率效率。 

【文章來源】：半導體光電. 2020,41(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

LD芯片的橫截面示意圖

圖2為襯底溫度與薄膜應力之間的關圖。從中可見，當襯底溫度在323～380K變化時，Al2O3薄膜應力發(fā)生了明顯變化。當襯底溫度在380～432K變化時，應力變化緩慢。在323和432K處，Al2O3薄膜分別處于壓應力狀態(tài)和張應力狀態(tài)。因此，在保持其他參數(shù)（如離子源電流、電壓、氣體流速和沉積速率）相同的情況下，選擇基底溫度為323和432K制備了不同應力的Al2O3薄膜。由于兩次實驗使得薄膜厚度略有差異，薄膜反射率R稍有不同。圖3為橢偏儀測試的Al2O3薄膜反射率曲線，由圖所示曲線可以看出，增透膜表現(xiàn)為壓應力時，在980nm處，測得的反射率為3.152%。增透膜表現(xiàn)為張應力時，在980nm處，測得的反射率為3.59%。

由于兩次實驗使得薄膜厚度略有差異，薄膜反射率R稍有不同。圖3為橢偏儀測試的Al2O3薄膜反射率曲線，由圖所示曲線可以看出，增透膜表現(xiàn)為壓應力時，在980nm處，測得的反射率為3.152%。增透膜表現(xiàn)為張應力時，在980nm處，測得的反射率為3.59%。激光器出光面的外微分量子效率與腔面膜反射率的關系如式（2):

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3416420