紫外發(fā)光二極管（Ultraviolet light-emitting diodes,UV-LED）相比傳統(tǒng)紫外光源具有發(fā)光效率高、光譜單一、壽命長、節(jié)能環(huán)保、反應(yīng)速度快、體積小等特點(diǎn),近年來隨著UV-LED芯片水平和封裝技術(shù)的快速發(fā)展,UV-LED在油墨固化等行業(yè)領(lǐng)域具有巨大的市場前景。目前UV-LED芯片技術(shù)還沒有藍(lán)、紅光LED成熟,除了芯片自身水平需要提高外,封裝技術(shù)對UV-LED的性能也有著重要的影響。本文工作主要是圍繞功率型UV-LED的封裝技術(shù)研究,結(jié)合LED散熱仿真設(shè)計(jì),提出了針對單芯UV-LED、多芯集成UV-LED以及UV-LED光源模組的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并制備性能優(yōu)異的功率型UV-LED器件,取得的研究成果如下:1、在功率型單芯UV-LED封裝中創(chuàng)新性地引入高阻硅片,這種設(shè)計(jì)不僅能夠提高UV-LED的光功率,而且還能通過增加芯片的抗靜電能力和減小UV-LED的光衰來改善UV-LED器件的可靠性。2、以LED散熱仿真設(shè)計(jì)為指導(dǎo),采用3mm大尺寸垂直結(jié)構(gòu)硅基芯片進(jìn)行LED封裝,制備的燈珠器件不但能夠改善電流分布從而提高發(fā)光強(qiáng)度,而且還能降低熱阻和結(jié)溫以改善LED器件的可靠性... 

【文章來源】：江西科技師范大學(xué)江西省

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

UV-LED光源與常規(guī)汞燈光譜對照圖

熱機(jī)制分析 的發(fā)光原理基本結(jié)構(gòu)由 p-n 結(jié)組成[36]，如圖 2-1 所示。所謂 p-n 結(jié)是 p 型（或 n 型）半導(dǎo)體單晶上摻入 n 型（或 p 型）雜質(zhì)，備不同導(dǎo)電類型（p 型和 n 型）的兩個區(qū)域，與此同時在一種具有單向?qū)щ娦缘奶厥饨Y(jié)構(gòu)即為 p-n 結(jié)。當(dāng) n 型或 p在無外場影響下，表現(xiàn)為電中性。然而，一旦兩種半導(dǎo)況就不一樣了，由于兩個區(qū)域的載流子濃度存在差異，使 區(qū)，留下帶正電的電離施主，p 區(qū)與之相反，留下帶負(fù)電離雜質(zhì)不會在半導(dǎo)體中移動，不會結(jié)合呈電中性。電離施于 p-n 結(jié)附近的 n 區(qū)（表現(xiàn)為正電荷區(qū)）和 p 區(qū)（表現(xiàn)為電離雜質(zhì)所構(gòu)成的區(qū)域我們稱之為空間電荷區(qū)，所帶的電

第 2 章 散熱機(jī)制與封裝材料，p-n 結(jié)中兩個區(qū)域有等值的費(fèi)米能級，即有統(tǒng)個半導(dǎo)體組合構(gòu)成 p-n 結(jié)時，電子從具有高費(fèi)米 p 區(qū)移動，使得該區(qū)的費(fèi)米能級呈下降趨勢，空上升，最終達(dá)到兩區(qū)的費(fèi)米能級相等。附加一個正向電壓時，p-n 結(jié)的勢壘會有所降低，電阻大，而勢壘區(qū)外電阻小，因此此時的勢壘該電壓下，n 區(qū)的電子被注入到 p 區(qū)，而 p 區(qū)的，產(chǎn)生的電場與內(nèi)建電場相反，從而使得勢壘，n 區(qū)費(fèi)米能級上移，直至 p 區(qū)和 n 區(qū)的費(fèi)米能之差，高于平衡態(tài)濃度的非平衡載流子在結(jié)的圖 2-2 所示。


本文編號：3404957