闡述了高可靠混合集成電路（HIC）配套厚膜基板典型異質(zhì)膜層搭接部位的三種典型問(wèn)題:Au/Ag基膜層功能相過(guò)度擴(kuò)散問(wèn)題、Ag基導(dǎo)體與低阻值電阻分層問(wèn)題以及Au基導(dǎo)體與介質(zhì)分層問(wèn)題。從機(jī)理分析結(jié)合剖面微觀分析的角度對(duì)問(wèn)題進(jìn)行了研究。研究發(fā)現(xiàn):Au/Ag基膜層功能相過(guò)度擴(kuò)散問(wèn)題的原因是原子的不平衡擴(kuò)散;Ag導(dǎo)體膜層致密度過(guò)高,電阻中的粘結(jié)相無(wú)法有效浸潤(rùn)從而導(dǎo)致了Ag基導(dǎo)體與低阻值電阻分層問(wèn)題;而Au基導(dǎo)體與介質(zhì)分層問(wèn)題則是由于異質(zhì)漿料粘接相不匹配造成的。最后對(duì)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中可能采取的措施給出了建議。 

【文章來(lái)源】：電子元件與材料. 2020,39(09)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

Au/Ag異質(zhì)導(dǎo)體膜層搭接邊沿

由圖2可以看出,某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質(zhì)導(dǎo)體膜層搭接區(qū)域的初始燒結(jié)狀態(tài)已經(jīng)發(fā)生一定的擴(kuò)散,但由于程度較低,搭接區(qū)邊沿平滑過(guò)渡,SEM未觀察出明顯的邊界。經(jīng)過(guò)20次燒結(jié)后,如圖3所示,試樣中的Ag向Au層中擴(kuò)散明顯,Au/Ag搭接區(qū)中的異質(zhì)金屬成分近似完全均勻分布,而Au向Ag層中擴(kuò)散程度相對(duì)較低,Ag層中檢測(cè)到的Au含量較少。Au/Ag搭接區(qū)發(fā)生的原子不平衡擴(kuò)散導(dǎo)致搭接區(qū)界面處的Ag層厚度出現(xiàn)退化、塌陷。圖3 某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質(zhì)導(dǎo)體膜層20次

某型Au/Ag(10 μm/15 μm)異質(zhì)導(dǎo)體膜層20次

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3402748