基于0.15μm BCD工藝,提出了一種低功耗低溫漂振蕩器。分析了環(huán)形振蕩器的振蕩頻率溫度漂移特性,采用翻轉(zhuǎn)電平優(yōu)化技術(shù),結(jié)合短路電流控制技術(shù),獲得了低溫度漂移的振蕩頻率。且電流消耗極低。該振蕩器適用于鋰電池保護(hù)監(jiān)測(cè)芯片。測(cè)試結(jié)果表明,在-40℃～100℃溫度范圍、32 kHz振蕩頻率、5 V電源電壓條件下,該振蕩器的振蕩頻率隨溫度的變化率小于3.3%,電流消耗僅為170 nA。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

低功耗低溫漂振蕩器

本文的振蕩器基于0.15 μm BCD工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和流片。VDD=5 V。典型工藝角下振蕩器的瞬態(tài)仿真曲線如圖2所示。可以看出,經(jīng)過R1的充放電峰值電流為200 nA,平均電流僅為20 nA。VRAMP的變化范圍為1～4 V。振蕩器頻率為32 kHz時(shí),電源電壓的峰值電流IVCC僅為280 μA。在VRAMP電壓翻轉(zhuǎn)時(shí),VVGN和VVGP使得MN2和MP2管分別導(dǎo)通,從而消除了短路電流。

對(duì)振蕩器在電源、溫度、工藝角變化下進(jìn)行PVT工藝角仿真。振蕩器頻率隨溫度的變化曲線如圖3 所示。PVT仿真參數(shù)如表1所示�？梢钥闯�,振蕩器頻率在不同工藝角下的變化范圍小于2%。表1 PVT仿真參數(shù)結(jié)果 工藝角 條件 頻率誤差 TT 溫度 -40 ℃～100 ℃ 1.83% FF 電源電壓變化范圍 +10% 1.61% SS 電源電壓變化范圍 -10% 0.98%

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3398769