有機(jī)薄膜晶體管（Organic Thin Film Transistor,OTFT）工藝因?yàn)榫哂辛己玫目蓳闲�、容易�?shí)現(xiàn)大面積制備、制作工藝成本低等優(yōu)勢,在目前十幾年一直是學(xué)術(shù)界研究的方向之一。射頻識別（Radio Frequency Identification,RFID）技術(shù),因?yàn)榭梢酝ㄟ^調(diào)制解調(diào)與傳播電磁波來實(shí)現(xiàn)對標(biāo)記物體非接觸式自動(dòng)識別,現(xiàn)在己成熟應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,但傳統(tǒng)的硅基集成電路存在厚度、柔韌性和封裝成本等問題,人們不得不思考更好的解決方案,而薄膜晶體管可以實(shí)現(xiàn)制作電路輕薄,降低總體集成成本,逐漸成為業(yè)界熱點(diǎn),而基于有機(jī)薄膜晶體管制備的射頻識別標(biāo)簽更是其中討論的熱點(diǎn)方向。首先,本文概述了薄膜晶體管的發(fā)展歷史,對比了非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管各類晶體管的特點(diǎn)。然后針對射頻識別系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡單介紹,并指出有機(jī)薄膜晶體管在射頻識別系統(tǒng)中的RFID標(biāo)簽電路上具有一定的應(yīng)用前景。其次,介紹了薄膜晶體管頂柵接觸、底柵底接觸和底柵頂接觸的器件結(jié)構(gòu),同時(shí)展示了有機(jī)薄膜晶體管的工藝制備過程,并根據(jù)實(shí)驗(yàn)室條件選擇頂柵結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜晶體管器件作為本文... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．０．１薄膜晶體管的應(yīng)用場景??１??

Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的一個(gè)分類。ＴＦＴ的結(jié)構(gòu)和工作原理與現(xiàn)代集成電路中的關(guān)鍵??組成器件一一金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（ＭＯＳＦＥＴ）極其相似。薄膜晶體??管和場效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程Ｗ見圖１．１．０．］。場效應(yīng)晶體管的專利最早于??１９２５年被申請。而第一個(gè)具有正式意義的薄膜晶體管則誕生于１９６２年［４］，??由Ｐａｕｌ?Ｋ．?Ｗｅｉｍｅｒ博士在美國無線電公司使用硫化鎘（ＣｄＳ）作為半導(dǎo)體??材料制作而成（圖１．?１．?０．?２?（ｂ）所示）。如圖１．?１．?０．?２?（ａ）所示的硫化??鎘ＴＦＴ結(jié)構(gòu)。由于當(dāng)時(shí)工藝水平的限制，美國無線電公司的工作人員不得??不通過漏板工藝，在玻璃基底上沉積作為源漏電極的金電極，并使源漏電??２??

１９９０?ｏｒｇａｎｉｃ?ＴＦＴ???２００３?ＡＭＯＬＥＤ?／Ｏｘｉｄｅ?ＴＦＴ??圖１．?ｉ．?〇．?ｉ薄膜晶體管和場效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程??薄膜晶體管（Ｔｈｉｎ?Ｆｉｌｍ?Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）屬于場效應(yīng)晶體管（Ｆｉｅｌｄ?Ｅｆｆｅｃｔ??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的一個(gè)分類。ＴＦＴ的結(jié)構(gòu)和工作原理與現(xiàn)代集成電路中的關(guān)鍵??組成器件一一金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（ＭＯＳＦＥＴ）極其相似。薄膜晶體??管和場效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程Ｗ見圖１．１．０．］。場效應(yīng)晶體管的專利最早于??１９２５年被申請。而第一個(gè)具有正式意義的薄膜晶體管則誕生于１９６２年［４］，??由Ｐａｕｌ?Ｋ．?Ｗｅｉｍｅｒ博士在美國無線電公司使用硫化鎘（ＣｄＳ）作為半導(dǎo)體??材料制作而成（圖１．?１．?０．?２?（ｂ）所示）。如圖１．?１．?０．?２?（ａ）所示的硫化??鎘ＴＦＴ結(jié)構(gòu)。由于當(dāng)時(shí)工藝水平的限制，美國無線電公司的工作人員不得??不通過漏板工藝，在玻璃基底上沉積作為源漏電極的金電極，并使源漏電??２??

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]有機(jī)薄膜晶體管模型建立及其集成電路設(shè)計(jì)[D]. 尹飛飛.北京交通大學(xué) 2017



本文編號：3395711