基于有機(jī)薄膜晶體管的射頻識(shí)別標(biāo)簽電路
發(fā)布時(shí)間:2021-09-15 08:03
有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)工藝因?yàn)榫哂辛己玫目蓳闲、容易?shí)現(xiàn)大面積制備、制作工藝成本低等優(yōu)勢(shì),在目前十幾年一直是學(xué)術(shù)界研究的方向之一。射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification,RFID)技術(shù),因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)調(diào)制解調(diào)與傳播電磁波來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)記物體非接觸式自動(dòng)識(shí)別,現(xiàn)在己成熟應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,但傳統(tǒng)的硅基集成電路存在厚度、柔韌性和封裝成本等問(wèn)題,人們不得不思考更好的解決方案,而薄膜晶體管可以實(shí)現(xiàn)制作電路輕薄,降低總體集成成本,逐漸成為業(yè)界熱點(diǎn),而基于有機(jī)薄膜晶體管制備的射頻識(shí)別標(biāo)簽更是其中討論的熱點(diǎn)方向。首先,本文概述了薄膜晶體管的發(fā)展歷史,對(duì)比了非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管各類晶體管的特點(diǎn)。然后針對(duì)射頻識(shí)別系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹,并指出有機(jī)薄膜晶體管在射頻識(shí)別系統(tǒng)中的RFID標(biāo)簽電路上具有一定的應(yīng)用前景。其次,介紹了薄膜晶體管頂柵接觸、底柵底接觸和底柵頂接觸的器件結(jié)構(gòu),同時(shí)展示了有機(jī)薄膜晶體管的工藝制備過(guò)程,并根據(jù)實(shí)驗(yàn)室條件選擇頂柵結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜晶體管器件作為本文...
【文章來(lái)源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.0.1薄膜晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景??1??
Transistor)的一個(gè)分類。TFT的結(jié)構(gòu)和工作原理與現(xiàn)代集成電路中的關(guān)鍵??組成器件一一金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)極其相似。薄膜晶體??管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程W見(jiàn)圖1.1.0.]。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的專利最早于??1925年被申請(qǐng)。而第一個(gè)具有正式意義的薄膜晶體管則誕生于1962年[4],??由Paul?K.?Weimer博士在美國(guó)無(wú)線電公司使用硫化鎘(CdS)作為半導(dǎo)體??材料制作而成(圖1.?1.?0.?2?(b)所示)。如圖1.?1.?0.?2?(a)所示的硫化??鎘TFT結(jié)構(gòu)。由于當(dāng)時(shí)工藝水平的限制,美國(guó)無(wú)線電公司的工作人員不得??不通過(guò)漏板工藝,在玻璃基底上沉積作為源漏電極的金電極,并使源漏電??2??
1990?organic?TFT???2003?AMOLED?/Oxide?TFT??圖1.?i.?〇.?i薄膜晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程??薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field?Effect??Transistor)的一個(gè)分類。TFT的結(jié)構(gòu)和工作原理與現(xiàn)代集成電路中的關(guān)鍵??組成器件一一金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)極其相似。薄膜晶體??管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程W見(jiàn)圖1.1.0.]。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的專利最早于??1925年被申請(qǐng)。而第一個(gè)具有正式意義的薄膜晶體管則誕生于1962年[4],??由Paul?K.?Weimer博士在美國(guó)無(wú)線電公司使用硫化鎘(CdS)作為半導(dǎo)體??材料制作而成(圖1.?1.?0.?2?(b)所示)。如圖1.?1.?0.?2?(a)所示的硫化??鎘TFT結(jié)構(gòu)。由于當(dāng)時(shí)工藝水平的限制,美國(guó)無(wú)線電公司的工作人員不得??不通過(guò)漏板工藝,在玻璃基底上沉積作為源漏電極的金電極,并使源漏電??2??
【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]有機(jī)薄膜晶體管模型建立及其集成電路設(shè)計(jì)[D]. 尹飛飛.北京交通大學(xué) 2017
本文編號(hào):3395711
【文章來(lái)源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.0.1薄膜晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景??1??
Transistor)的一個(gè)分類。TFT的結(jié)構(gòu)和工作原理與現(xiàn)代集成電路中的關(guān)鍵??組成器件一一金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)極其相似。薄膜晶體??管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展歷程W見(jiàn)圖1.1.0.]。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的專利最早于??1925年被申請(qǐng)。而第一個(gè)具有正式意義的薄膜晶體管則誕生于1962年[4],??由Paul?K.?Weimer博士在美國(guó)無(wú)線電公司使用硫化鎘(CdS)作為半導(dǎo)體??材料制作而成(圖1.?1.?0.?2?(b)所示)。如圖1.?1.?0.?2?(a)所示的硫化??鎘TFT結(jié)構(gòu)。由于當(dāng)時(shí)工藝水平的限制,美國(guó)無(wú)線電公司的工作人員不得??不通過(guò)漏板工藝,在玻璃基底上沉積作為源漏電極的金電極,并使源漏電??2??
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【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]有機(jī)薄膜晶體管模型建立及其集成電路設(shè)計(jì)[D]. 尹飛飛.北京交通大學(xué) 2017
本文編號(hào):3395711
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