設(shè)計(jì)了一種溫度不靈敏的高線性度的射頻功率放大器芯片,采用新穎的帶溫度反饋環(huán)路的有源片上自適應(yīng)偏置電路,該電路降低了溫度引起的放大器集電極直流電流分量的變化量,補(bǔ)償了由溫度變化而引起的性能偏差,進(jìn)而有效提高了放大器的線性度�；谶@個(gè)溫度不靈敏的偏置結(jié)構(gòu)采用InGaP/GaAs HBT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)工作在2 110～2 170 MHz頻段的功率放大器。測(cè)試結(jié)果表明,該功放在工作頻段內(nèi)的增益大于等于35.3 dB;在中心頻率2 140 MHz處,1 dB功率壓縮點(diǎn)大于33 dBm,功率附加效率在輸出功率24.5 dBm時(shí)為18%;使用LTE_FDD調(diào)制信號(hào),獲得鄰信道功率比為-47 dBc。在環(huán)境溫度為-40℃、+25℃和+80℃條件下,功放的增益平坦度較好,增益變化量小于1.5 dB,輸出級(jí)集電極電流基本不變,有效降低了功放對(duì)溫度的敏感性。 

【文章來(lái)源】：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2020,40(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

傳統(tǒng)自適應(yīng)偏置

可見(jiàn)VBE呈負(fù)溫度系數(shù)。當(dāng)溫度由常溫升高時(shí)，Q0開(kāi)啟電壓下降，若偏置電路沒(méi)有溫度補(bǔ)償作用，則有Q0靜態(tài)偏置電壓VQBE0基本保持不變，Q0靜態(tài)電流將會(huì)升高，而帶溫度補(bǔ)償?shù)钠秒娐氛翘峁┮粋�(gè)隨Q0開(kāi)啟電壓變化的靜態(tài)偏置電壓VQBE0。假設(shè)電阻值和晶體管電流放大倍數(shù)β不隨溫度變化，在晶體管理想模型下若有：

如圖（3）為X點(diǎn)、Y點(diǎn)電壓隨溫度變化曲線圖，無(wú)反饋環(huán)路的偏置，其；有反饋環(huán)路的偏置，其，不考慮晶體管電流放大倍數(shù)β隨溫度的變化，則正好實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。2 功率放大器的設(shè)計(jì)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Si/SiGe/Si雙異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）的負(fù)阻特性[J]. 張萬(wàn)榮,李志國(guó),王立新,汪東,崔福現(xiàn),孫英華,程堯海,陳建新,沈光地,羅晉生.  電子學(xué)報(bào). 2001(08)



本文編號(hào)：3388273