本文研究了封裝基板經(jīng)酸蝕減薄后鍍銅層出現(xiàn)麻點(diǎn)的失效情況,通過(guò)金相顯微鏡、掃描電鏡、能譜分析儀、氬離子截面拋光儀等宏微觀測(cè)試方法和表征手段,對(duì)封裝基板電鍍銅層的生長(zhǎng)過(guò)程和針孔的形成過(guò)程進(jìn)行了分析論述,發(fā)現(xiàn)在正常的電鍍工藝中會(huì)隨機(jī)出現(xiàn)一些銅晶粒缺陷,酸蝕過(guò)程中異常晶粒整體脫落,導(dǎo)致麻點(diǎn)的產(chǎn)生.缺陷會(huì)造成腐蝕速度的不均勻,并引發(fā)毛細(xì)增溶效應(yīng),對(duì)此我們提出改進(jìn)方案,在腐蝕液中添加半胱氨酸等銅離子的配體化合物,可使銅離子不同晶面的溶解速度發(fā)生改變,留下慢溶晶面,使針孔現(xiàn)象不容易發(fā)生,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明針孔數(shù)目明顯減少,優(yōu)化方案的改進(jìn)效果顯著. 

【文章來(lái)源】：復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,59(01)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【部分圖文】：

鍍銅層表面針孔的光鏡照片（150×）

2～6號(hào)樣品的SEM測(cè)試結(jié)果如圖2所示．未進(jìn)行減薄時(shí)，基板表面無(wú)針孔（2號(hào)樣品）；減薄5μm(3號(hào)樣品），底部有針孔形成，腐蝕過(guò)程剛剛開(kāi)始；減薄10μm(4號(hào)樣品），孔洞底部出現(xiàn)弧形晶粒，刻蝕程度較高，部分針孔則出現(xiàn)殘留的大顆粒晶粒，細(xì)孔晶粒已被完全腐蝕；減薄15～20μm(5號(hào)樣品和6號(hào)樣品），孔洞變成碗裝，刻蝕過(guò)程基本結(jié)束．2號(hào)樣品的多個(gè)區(qū)域截面處的SEM測(cè)試結(jié)果如圖3（見(jiàn)第86頁(yè)）所示，B、C區(qū)域的晶粒細(xì)長(zhǎng)連續(xù)，A區(qū)域晶粒生長(zhǎng)不連續(xù)，晶粒粗大異常，距表面15μm處出現(xiàn)明顯分割線，這是在電鍍過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷．圖3(a）和圖3(b）對(duì)比可知，正是較大的晶粒改變了周?chē)木ЯＥ挪寂c結(jié)構(gòu)，使得周?chē)沫h(huán)境發(fā)生改變，微環(huán)境的改變誘導(dǎo)了腐蝕坑的形核．

1號(hào)樣品截面處SEM照片和EDS結(jié)果如圖5（見(jiàn)第86頁(yè)）所示，腐蝕坑的真實(shí)深度約10μm，其內(nèi)部存在一些尺寸很大的銅晶粒，直徑超過(guò)1μm，對(duì)比外部晶粒差異明顯．EDS的結(jié)果則表明，樣品表面只含有銅元素．圖4 1號(hào)樣品表面針孔A、B的SEM圖


本文編號(hào)：3365164