低噪聲MEMS麥克風(fēng)接口電路的設(shè)計與實現(xiàn)
發(fā)布時間:2021-08-24 17:30
隨著電子產(chǎn)品市場需求的急劇增加,MEMS麥克風(fēng)以體積更小、成本更低、集成度更高和抗震耐熱性更強等優(yōu)勢逐步取代了駐極體電容式麥克風(fēng),成為消費電子、醫(yī)療、汽車、錄音和廣播等應(yīng)用領(lǐng)域中麥克風(fēng)的未來發(fā)展趨勢。因此MEMS麥克風(fēng)接口電路的設(shè)計也就變得十分重要。本論文基于英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款名為E2120M的MEMS麥克風(fēng),設(shè)計了三種不同的MEMS麥克風(fēng)接口電路。其中有兩種是模擬信號輸出的接口電路,分別為經(jīng)典的接口電路和正反饋接口電路,主要由偏置電路和前置放大器兩大部分組成;另一種是數(shù)字信號輸出的接口電路,主要由偏置電路、差分輸出前置放大器和Σ-ΔADC三大部分組成。本論文的主要研究內(nèi)容和成果如下:1.在偏置電路中,采用電流基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)以適配于1.5V5.5V的寬電源電壓范圍,電路能在1.5V的極低電源電壓下正常工作;為了降低噪聲,前八級電荷泵前八級采用優(yōu)化的Latched電荷泵,輸出級電荷泵額外增加了一組時鐘,抑制了電荷的泄漏,從而降低了噪聲;為了減少芯片面積,摒棄了傳統(tǒng)的電阻電容濾波器結(jié)構(gòu),消除了紋波,降低了噪聲。2.在經(jīng)典的前置放大器中,讀取信號模塊采用負反饋環(huán)路和三極...
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:89 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖3.4時鐘產(chǎn)生電路輸出仿真圖
第三章 偏置電路的設(shè)計與仿真19圖3.5 二分頻電路輸出仿真圖3.2 帶隙基準(zhǔn)帶隙基準(zhǔn)作為芯片的基本模塊,對整個芯片有著重要的作用。帶隙基準(zhǔn)又可分為電壓基準(zhǔn)和電流基準(zhǔn)。它產(chǎn)生的是一個獨立于工藝參數(shù)、電源電壓以及環(huán)境溫度變化的直流信號[41]。帶隙基準(zhǔn)電路一般都是利用兩個相對獨立的物理性質(zhì)產(chǎn)生一個溫度獨立的基準(zhǔn)信號:一個信號與絕對溫度成正比,另一個信號與絕對溫度成反比,然后按一定的比例疊加,從而得到零溫度系數(shù)的信號[42]。雙極結(jié)型三極管的基極-發(fā)射極電壓 VBE具有負溫度系數(shù),根據(jù)三極管的特性可以寫出:/expBE TV VC SI I(3-1)其中熱電壓 VT=KT/q,K 為波爾茲曼常數(shù),T 為絕對溫度;飽和電流IS=bT4+mexp(-Eg/kT), b 是一個比例系數(shù),m 約為-1.5
ref約為 0.85V。圖3.8 基準(zhǔn)電壓 Vref的瞬態(tài)仿真圖如圖 3.9 所示為帶隙基準(zhǔn)在電源電壓為 3.6V 時,基準(zhǔn)電壓 Vref隨溫度變化的仿真結(jié)果。從圖中可以看到:在-40℃到 125℃的溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)電壓都約為0.85V,基準(zhǔn)電壓最大的變化值僅為 1.609mV。變化值比較小,說明帶隙基準(zhǔn)性能比較理想。圖3.9 Vref隨溫度變化的仿真圖 圖3.10 Vref隨電源電壓變化的仿真圖如圖 3.10 為帶隙基準(zhǔn)在 25℃的溫度下,基準(zhǔn)電壓 Vref隨電源電壓變化的仿真圖。從圖中仿真結(jié)果中可以看到:當(dāng)電源電壓為 1.5V 的時候,基準(zhǔn)電路就可以正常工作了,輸出的基準(zhǔn)電壓值穩(wěn)定值約為 0.85V
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種低功耗頻率穩(wěn)定的CMOS環(huán)形振蕩器設(shè)計[J]. 張可,代雪峰,張海濤. 微處理機. 2017(05)
[2]MEMS麥克風(fēng)技術(shù)滿足音量市場的性能要求[J]. Masahito Kanaya. 電子產(chǎn)品世界. 2017(06)
[3]MEMS麥克風(fēng)的失效機理及失效分析[J]. 張永強,熊小平. 電子與封裝. 2017(04)
[4]一種用于電容式MEMS麥克風(fēng)的讀出電路[J]. 周鋒,李富華,喬東海,徐棟,呂爽,陳偉慶. 微電子學(xué). 2013(03)
[5]一種新型低噪聲麥克風(fēng)前置放大器的設(shè)計[J]. 景新幸,劉東來. 微電子學(xué). 2012(02)
[6]一種用于MEMS麥克風(fēng)的信號采集電路[J]. 劉乃瑞. 半導(dǎo)體技術(shù). 2011(12)
碩士論文
[1]一種帶有溫度和工藝雙重補償?shù)沫h(huán)形振蕩器的研究與設(shè)計[D]. 馬兵兵.東南大學(xué) 2017
[2]數(shù)字陀螺Sigma-Delta調(diào)制器的設(shè)計[D]. 閆冬.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]MEMS麥克風(fēng)的低噪前置放大器及偏置電路設(shè)計[D]. 王一川.西安電子科技大學(xué) 2015
[4]寬帶CMOS壓控振蕩器研究及設(shè)計[D]. 曹旭.杭州電子科技大學(xué) 2013
[5]MEMS微麥克風(fēng)讀出電路設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 于海明.天津大學(xué) 2012
[6]電容式MEMS麥克風(fēng)調(diào)理電路研究與設(shè)計[D]. 周鋒.蘇州大學(xué) 2012
[7]硅麥克風(fēng)前置放大器設(shè)計研究[D]. 黃立朝.復(fù)旦大學(xué) 2011
本文編號:3360421
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:89 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖3.4時鐘產(chǎn)生電路輸出仿真圖
第三章 偏置電路的設(shè)計與仿真19圖3.5 二分頻電路輸出仿真圖3.2 帶隙基準(zhǔn)帶隙基準(zhǔn)作為芯片的基本模塊,對整個芯片有著重要的作用。帶隙基準(zhǔn)又可分為電壓基準(zhǔn)和電流基準(zhǔn)。它產(chǎn)生的是一個獨立于工藝參數(shù)、電源電壓以及環(huán)境溫度變化的直流信號[41]。帶隙基準(zhǔn)電路一般都是利用兩個相對獨立的物理性質(zhì)產(chǎn)生一個溫度獨立的基準(zhǔn)信號:一個信號與絕對溫度成正比,另一個信號與絕對溫度成反比,然后按一定的比例疊加,從而得到零溫度系數(shù)的信號[42]。雙極結(jié)型三極管的基極-發(fā)射極電壓 VBE具有負溫度系數(shù),根據(jù)三極管的特性可以寫出:/expBE TV VC SI I(3-1)其中熱電壓 VT=KT/q,K 為波爾茲曼常數(shù),T 為絕對溫度;飽和電流IS=bT4+mexp(-Eg/kT), b 是一個比例系數(shù),m 約為-1.5
ref約為 0.85V。圖3.8 基準(zhǔn)電壓 Vref的瞬態(tài)仿真圖如圖 3.9 所示為帶隙基準(zhǔn)在電源電壓為 3.6V 時,基準(zhǔn)電壓 Vref隨溫度變化的仿真結(jié)果。從圖中可以看到:在-40℃到 125℃的溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)電壓都約為0.85V,基準(zhǔn)電壓最大的變化值僅為 1.609mV。變化值比較小,說明帶隙基準(zhǔn)性能比較理想。圖3.9 Vref隨溫度變化的仿真圖 圖3.10 Vref隨電源電壓變化的仿真圖如圖 3.10 為帶隙基準(zhǔn)在 25℃的溫度下,基準(zhǔn)電壓 Vref隨電源電壓變化的仿真圖。從圖中仿真結(jié)果中可以看到:當(dāng)電源電壓為 1.5V 的時候,基準(zhǔn)電路就可以正常工作了,輸出的基準(zhǔn)電壓值穩(wěn)定值約為 0.85V
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種低功耗頻率穩(wěn)定的CMOS環(huán)形振蕩器設(shè)計[J]. 張可,代雪峰,張海濤. 微處理機. 2017(05)
[2]MEMS麥克風(fēng)技術(shù)滿足音量市場的性能要求[J]. Masahito Kanaya. 電子產(chǎn)品世界. 2017(06)
[3]MEMS麥克風(fēng)的失效機理及失效分析[J]. 張永強,熊小平. 電子與封裝. 2017(04)
[4]一種用于電容式MEMS麥克風(fēng)的讀出電路[J]. 周鋒,李富華,喬東海,徐棟,呂爽,陳偉慶. 微電子學(xué). 2013(03)
[5]一種新型低噪聲麥克風(fēng)前置放大器的設(shè)計[J]. 景新幸,劉東來. 微電子學(xué). 2012(02)
[6]一種用于MEMS麥克風(fēng)的信號采集電路[J]. 劉乃瑞. 半導(dǎo)體技術(shù). 2011(12)
碩士論文
[1]一種帶有溫度和工藝雙重補償?shù)沫h(huán)形振蕩器的研究與設(shè)計[D]. 馬兵兵.東南大學(xué) 2017
[2]數(shù)字陀螺Sigma-Delta調(diào)制器的設(shè)計[D]. 閆冬.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]MEMS麥克風(fēng)的低噪前置放大器及偏置電路設(shè)計[D]. 王一川.西安電子科技大學(xué) 2015
[4]寬帶CMOS壓控振蕩器研究及設(shè)計[D]. 曹旭.杭州電子科技大學(xué) 2013
[5]MEMS微麥克風(fēng)讀出電路設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 于海明.天津大學(xué) 2012
[6]電容式MEMS麥克風(fēng)調(diào)理電路研究與設(shè)計[D]. 周鋒.蘇州大學(xué) 2012
[7]硅麥克風(fēng)前置放大器設(shè)計研究[D]. 黃立朝.復(fù)旦大學(xué) 2011
本文編號:3360421
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