隨互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、可移動(dòng)智能終端的發(fā)展,其核心部分集成電路（IC）,也取得了迅速的發(fā)展。從1960年第一個(gè)實(shí)用的集成電路開(kāi)始發(fā)展到今天的超大規(guī)模集成電路,其晶體管的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入14 nm以下。然而隨晶體管尺度的下降,其工藝難度隨之增加。隨著對(duì)二維材料研究的深入,由于其只有一個(gè)原子或分子層,通過(guò)其層間形成的晶體管對(duì)特征尺寸下降到1 nm尺度帶來(lái)了理論上的可行性。本文基于二維過(guò)渡金屬硫化物（2D-TMDC）中的WS2采用激光直寫(xiě)的方式在WS2單晶上制作了電極并研究了WS2的晶體管性能。主要內(nèi)容如下:（1）為解決WS2晶體管在制作過(guò)程中電極圖形的制作問(wèn)題,本文搭建一套激光直寫(xiě)系統(tǒng)。本文中搭建的激光直寫(xiě)系統(tǒng)主要包括兩個(gè)部分,一部分為激光直寫(xiě)系統(tǒng)的硬件部分,包括光路的設(shè)計(jì)、位移臺(tái)、光開(kāi)關(guān)等相關(guān)硬件;另一部分為激光直寫(xiě)軟件程序的設(shè)計(jì),該部分主要是將設(shè)計(jì)圖形將轉(zhuǎn)化為平臺(tái)運(yùn)動(dòng)與光的開(kāi)關(guān),進(jìn)而在光刻膠上刻寫(xiě)出設(shè)計(jì)圖形。（2）在激光直寫(xiě)系統(tǒng)搭建完成的基礎(chǔ)上進(jìn)行了光刻金屬剝離工藝的研究。本文中主要研究了影響光刻線條質(zhì)量的因素,包括激光功率穩(wěn)定性的影響以及本文中設(shè)計(jì)的激光直寫(xiě)兩種掃描方式對(duì)光刻線條質(zhì)量的影... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 二維TMDC簡(jiǎn)介
        1.2.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
        1.2.3 激光直寫(xiě)簡(jiǎn)介
    1.3 研究意義
    1.4 論文主要工作與結(jié)構(gòu)安排
第二章 激光直寫(xiě)系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)
    2.1 激光直寫(xiě)硬件設(shè)計(jì)
        2.1.1 激光直寫(xiě)光路設(shè)計(jì)
        2.1.2 激光直寫(xiě)自動(dòng)聚焦結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)
    2.2 激光直寫(xiě)軟件設(shè)計(jì)
        2.2.1 激光直寫(xiě)曝光部分的實(shí)現(xiàn)
        2.2.2 自動(dòng)聚焦部分原理與實(shí)現(xiàn)
        2.2.3 自動(dòng)聚焦擴(kuò)展應(yīng)用
    2.3 本章小結(jié)
第三章 激光直寫(xiě)光刻工藝研究
    3.1 光刻基本流程
    3.2 激光直寫(xiě)光刻質(zhì)量影響因素
        3.2.1 激光功率穩(wěn)定性對(duì)光刻質(zhì)量的影響
        3.2.2 激光功率大小對(duì)光刻線寬的影響
        3.2.3 激光直寫(xiě)運(yùn)動(dòng)及曝光方式對(duì)線寬影響
    3.3 激光直寫(xiě)金屬剝離工藝
    3.4 本章小結(jié)
第四章 二維材料的制備與表征與轉(zhuǎn)移
    4.1 WS_2的制備方式
    4.2 WS_2的表征
    4.3 WS_2的轉(zhuǎn)移
    4.4 本章小結(jié)
第五章 基于激光直寫(xiě)的TMDC-FFT器件制作與性能測(cè)試
    5.1 激光直寫(xiě)制作WS_2晶體管
    5.2 器件性能測(cè)試
    5.3 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]ZnSnO基薄膜晶體管的制備和性能研究[D]. 王海龍.北京交通大學(xué) 2017
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碩士論文
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[2]用于聲表面波器件制備的激光直寫(xiě)光刻工藝研究[D]. 李敏.河北工業(yè)大學(xué) 2015
[3]單層石墨烯在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用研究[D]. 廖志宇.湖南大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3357407