為了提升單晶碳化硅（SiC）材料的拋光效率及表面質(zhì)量,提出了將傳統(tǒng)拋光與磁流變拋光（MRF）相結(jié)合的新方法,并對(duì)一塊直徑為100 mm的單晶SiC晶圓進(jìn)行實(shí)際加工。首先,采用環(huán)拋技術(shù)將單晶SiC晶圓表面粗糙度快速加工至0.6 nm左右;然后,通過(guò)配制特殊的磁流變拋光液,采用磁流變拋光技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行35 min快速均勻拋光,改善了SiC晶圓表面的缺陷,消除了晶圓亞表面損傷;最后,采用納米金剛石拋光液,通過(guò)環(huán)拋對(duì)SiC晶圓進(jìn)行精拋光,獲得了粗糙度為0.327 nm的高表面質(zhì)量單晶SiC晶圓。該方法將單晶SiC晶圓的加工時(shí)間縮短了約7 h,有利于提升SiC晶圓的加工效率、精度及質(zhì)量。 

【文章來(lái)源】：光學(xué)學(xué)報(bào). 2020,40(13)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

粘結(jié)示意圖

環(huán)拋加工圖

若晶圓表面存在的表面缺陷及亞表面損傷無(wú)法消除,單晶的電學(xué)性能將大打折扣,甚至無(wú)法使用。如果繼續(xù)采用傳統(tǒng)加工方法來(lái)消除表面缺陷及亞表面損傷,這將意味著需要進(jìn)一步采用納米級(jí)的拋光粉和更小配重(正壓力),從而導(dǎo)致材料去除效率過(guò)低(<0.1 μm·h-1),若要完全消除亞表面損傷并保證表面粗糙度,需要近10 h的分步驟拋光且無(wú)法保證平面度的穩(wěn)定。因此,傳統(tǒng)的加工方法很難解決這一問(wèn)題。鑒于此,本文提出將傳統(tǒng)環(huán)拋與磁流變拋光技術(shù)相結(jié)合的新方法,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面缺陷及亞表面損傷的快速消除。3 單晶SiC晶圓的磁流變拋光

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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